一种传感器常开常闭转换电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种传感器常开常闭转换电路包括连接在传感器、电源正极或者电源负极、输出端之间的Q1三极管，连接在Q1三极管基极上的所述传感器的原信号线，连接在Q1三极管发射极上的电源正极或者电源负极，连接在Q1三极管集电极上的转换后输出信号线，所述传感器对应的内部三极管Q2与所述Q1三极管的型号相反，所述Q1三极管基极上串联有R1分流电阻，所述Q1三极管基极与所述Q1三极管发射极之间设置有R2分流电阻。本实用新型专利技术采用电阻和三极管等分立元件搭建电路，可直接接入传感器内部电路，也可单独制作成转换器成品接入传感器后端输出回路。电路可实现PNP/NPN输出相互转换，NO常开/NC常闭相互转换。

【技术实现步骤摘要】
一种传感器常开常闭转换电路
本技术涉及一种传感器常开常闭转换电路，尤其涉及一种满足多种输出方式的传感器常开常闭转换电路。
技术介绍
接近开关是一种非接触式距离检测传感器，它能产生电磁场，利用导电物体在靠近时内部产生涡流损耗而产生输出信号。输出方式分为NPN常开、NPN常闭、PNP常开、PNP常闭。很多时候，传感器只带其中一种输出方式，跟现场需求的输出方式不一致，这就需要重新订购其他型号的传感器，带来极大的不便。而本技术中的电路可以实现输出方式的随时切换，直接在输出回路中接入这种转换器即可解决问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种传感器常开常闭转换电路，具有满足多种输出方式的特点。为解决上述技术问题，本技术的技术方案为：一种传感器常开常闭转换电路，其创新点在于：所述传感器常开常闭转换电路包括连接在传感器、电源正极或者电源负极、输出端之间的Q1三极管，连接在Q1三极管基极上的所述传感器的原信号线，连接在Q1三极管发射极上的电源正极或者电源负极，连接在Q1三极管集电极上的转换后输出信号线，所述传感器对应的内部三极管Q2与所述Q1三极管的型号相反，所述Q1三极管基极上串联有R1分流电阻，所述Q1三极管基极与所述Q1三极管发射极之间设置有R2分流电阻。优选的，所述传感器常开常闭转换电路实现PNP转NPN时，所述Q1三极管基极接所述传感器的原信号线，所述Q1三极管发射极接电源负极，所述Q1三极管集电极接转换后输出信号线，所述传感器对应的内部三极管Q2为PNP，所述Q1三极管为NPN。优选的，所述传感器常开常闭转换电路实现NPN转PNP时，所述Q1三极管基极接所述传感器的原信号线，所述Q1三极管发射极接电源正极，所述Q1三极管集电极接转换后输出信号线，所述传感器对应的内部三极管Q2为NPN，所述Q1三极管为PNP。优选的，所述传感器常开常闭转换电路实现NPN转NO或NC时，所述Q1三极管基极接所述传感器的原信号线，所述Q1三极管发射极接电源负极，所述Q1三极管集电极接转换后输出信号线，所述Q1三极管发射极接上串联的R3分流电阻，所述Q1三极管为NPN。优选的，所述传感器常开常闭转换电路实现PNP转NO或NC时，所述Q1三极管基极接所述传感器的原信号线，所述Q1三极管发射极接电源正极，所述Q1三极管集电极接转换后输出信号线，所述Q1三极管发射极接上串联的R3分流电阻，所述Q1三极管为PNP。本技术的优点在于：本技术采用电阻和三极管等分立元件搭建电路，可直接接入传感器内部电路，也可单独制作成转换器成品接入传感器后端输出回路。电路可实现PNP/NPN输出相互转换，NO常开/NC常闭相互转换。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。图1是本技术一种传感器常开常闭转换电路中PNP转NPN电路图。图2是本技术一种传感器常开常闭转换电路中NPN转PNP电路图。图3是本技术一种传感器常开常闭转换电路中PNP和NO/NC互相转换电路图。图4是本技术一种传感器常开常闭转换电路中NPN和NO/NC互相转换电路图。图中：1-Q1三极管、2-Q1三极管基极、3-Q1三极管发射极、4-Q1三极管集电极、5-R1分流电阻、6-R2分流电阻、7-R3分流电阻。具体实施方式本技术的传感器常开常闭转换电路包括连接在传感器、电源正极或者电源负极、输出端之间的Q1三极管1，连接在Q1三极管基极2上的传感器的原信号线，连接在Q1三极管发射极3上的电源正极或者电源负极，连接在Q1三极管集电极4上的转换后输出信号线，传感器对应的内部三极管Q2与Q1三极管1的型号相反，Q1三极管基极2上串联有R1分流电阻5，Q1三极管基极2与Q1三极管发射极3之间设置有R2分流电阻6。本技术采用电阻和三极管等分立元件搭建电路，可直接接入传感器内部电路，也可单独制作成转换器成品接入传感器后端输出回路。电路可实现PNP/NPN输出相互转换，NO常开/NC常闭相互转换。实施例1传感器常开常闭转换电路实现PNP转NPN时，Q1三极管基极2接传感器的原信号线，Q1三极管发射极3接电源负极，Q1三极管集电极4接转换后输出信号线，传感器对应的内部三极管Q2为PNP，传感器原信号线内部PNP三极管Q2导通时，信号线输出高电平，经R1分流电阻5后，使NPNQ1三极管1导通，转换后输出信号线输出低电平。相反传感器原信号线内部PNP三极管Q2关闭时，R2分流电阻6下拉电阻使Q1三极管1的基极为低电平，此时NPNQ1三极管1不导通。综上传感器由PNP输出方式改变为NPN输出方式。实施例2传感器常开常闭转换电路实现NPN转PNP时，Q1三极管基极2接传感器的原信号线，Q1三极管发射极3接电源正极，Q1三极管集电极4接转换后输出信号线，传感器对应的内部三极管Q2为NPN，Q1三极管1为PNP。传感器原信号线内部NPN三极管Q2导通时，信号线输出低电平，经R2分流电阻6后，使PNPQ1三极管1导通，转换后输出信号线输出高电平。相反传感器原信号线内部NPN三极管Q2关闭时，R1分流电阻5上拉电阻使Q1三极管1的基极为高电平，此时Q1三极管1不导通。综上传感器由NPN输出方式改变为PNP输出方式。实施例3传感器常开常闭转换电路实现PNP转NO或NC时，Q1三极管基极2接传感器的原信号线，Q1三极管发射极3接电源负极，Q1三极管集电极4接转换后输出信号线，Q1三极管发射极3接上串联的R3分流电阻7，Q1三极管1为PNP。Q1三极管基极2为高电平时，信号线输出高电平，经R1分流电阻5后，使NPNQ1三极管1导通，转换后输出信号线输出低电平。相反Q1三极管基极2为低电平时，R2分流电阻6下拉电阻使Q1三极管1的基极为低电平，此时PNPQ1三极管1不导通。综上Q1三极管发射极3和Q1三极管发射极3实现PNP输出方式的常开常闭转换。实施例4传感器常开常闭转换电路实现NPN转NO或NC时，Q1三极管基极2接传感器的原信号线，Q1三极管发射极3接电源正极，Q1三极管集电极4接转换后输出信号线，Q1三极管发射极3接上串联的R3分流电阻7，Q1三极管1为NPN。Q1三极管基极2为高电平时，信号线输出高电平，经R2分流电阻6后，使PNPQ1三极管1导通，转换后输出信号线输出低电平。相反Q1三极管基极2为低电平时，R2分流电阻6上拉电阻使Q1三极管1的基极为高电平，此时Q1三极管1不导通。综上Q1三极管发射极3和Q1三极管发射极3实现NPN输出方式的常开常闭转换。最后需要说明的是，以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案而非限制性技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，那些对本专利技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，均应涵盖在本专利技术的权利要求范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传感器常开常闭转换电路，其特征在于：所述传感器常开常闭转换电路包括连接在传感器、电源正极或者电源负极、输出端之间的Q1三极管，连接在Q1三极管基极上的所述传感器的原信号线，连接在Q1三极管发射极上的电源正极或者电源负极，连接在Q1三极管集电极上的转换后输出信号线，所述传感器对应的内部三极管Q2与所述Q1三极管的型号相反，所述Q1三极管基极上串联有R1分流电阻，所述Q1三极管基极与所述Q1三极管发射极之间设置有R2分流电阻。

【技术特征摘要】
1.一种传感器常开常闭转换电路，其特征在于：所述传感器常开常闭转换电路包括连接在传感器、电源正极或者电源负极、输出端之间的Q1三极管，连接在Q1三极管基极上的所述传感器的原信号线，连接在Q1三极管发射极上的电源正极或者电源负极，连接在Q1三极管集电极上的转换后输出信号线，所述传感器对应的内部三极管Q2与所述Q1三极管的型号相反，所述Q1三极管基极上串联有R1分流电阻，所述Q1三极管基极与所述Q1三极管发射极之间设置有R2分流电阻。2.如权利要求1所述的一种传感器常开常闭转换电路，其特征在于：所述传感器常开常闭转换电路实现PNP转NPN时，所述Q1三极管基极接所述传感器的原信号线，所述Q1三极管发射极接电源负极，所述Q1三极管集电极接转换后输出信号线，所述传感器对应的内部三极管Q2为PNP，所述Q1三极管为NPN。3.如权利要求1所述的一种传感器常开常闭转换电路，其特征在于：所述传感器常开常...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴杰，江宏伟，周鑫，
申请(专利权)人：科瑞工业自动化系统苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32