倒装LED芯片及背光模组制造技术

本实用新型专利技术涉及一种倒装LED芯片及背光模组。该倒装LED芯片包括：衬底、沉积在衬底底部的第一反射层、沉积在第一反射层下表面的N型半导体层、沉积在N型半导体层下表面的内源层、沉积在内源层下表面的P型半导体层、沉积在P型半导体层下表面的欧姆接触层、沉积在欧姆接触层下表面的第二反射层，以及设置在第二反射层下表面得到P电极和N电极；所述第一反射层上设置有多个用于反射光线的凸起和用于直射光线的多个通孔。本实用新型专利技术所提供的倒装LED芯片和背光模组，其利用第一反射层上的凸起和通孔，使得该倒装LED芯片的侧面和顶面均匀发光，从而在将上述倒装LED芯片应用于直下式模组中时芯片之间可以均匀混光，从而大大改善了直下式模组的发光效果。

【技术实现步骤摘要】
倒装LED芯片及背光模组
本技术涉及芯片领域，特别是涉及一种倒装LED芯片及背光模组。
技术介绍
随着芯片技术的不断发展，倒装LED芯片由于其优越的散热特性、较高的发光效率以及其低电压、高亮度等优点，逐渐成为目前各大LED厂商日趋追求的量产目标。传统技术中，参见图1所示，倒装LED芯片采用的结构从上往下依次为：蓝宝石衬底101、N-GaN层102、内源层103、P-GaN层104、ITO欧姆接触层105、反射层106、P型焊接电极107和N型焊接电极108。其中，内源层103向下所发出的光经反射层106的反射，从芯片的顶部射出，从而使得倒装LED芯片的亮度集中在芯片的顶部。但是，当将传统的倒装LED芯片应用于直下式模组中时，直下式模组中相邻的两个倒装LED芯片无法均匀混光而难以得到均匀的亮度分布，从而导致直下式模组的发光效果较差。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统技术中直下式模组中相邻的两个倒装LED芯片无法均匀混光而难以得到均匀的亮度分布问题，提供一种倒装LED芯片及背光模组。第一方面，本技术提供一种倒装LED芯片，包括：衬底、沉积在所述衬底底部的第一反射层、沉积在所述第一反射层下表面的N型半导体层、沉积在所述N型半导体层下表面的内源层、沉积在所述内源层下表面的P型半导体层、沉积在所述P型半导体层下表面的欧姆接触层、沉积在所述欧姆接触层下表面的第二反射层，以及设置在所述第二反射层下表面得到P电极和N电极；所述第一反射层上设置有多个用于反射光线的凸起和用于直射光线的多个通孔。上述提供的倒装LED芯片，其通过第一反射层上设置的用于反射光线的凸起，将来自于第二反射层反射的光线再次反射至倒装LED芯片的侧面，并通过在第一反射层上设置用于直射光线的通孔，使得来自于第二反射层反射的光线可以通过该通孔直射至倒装LED芯片的顶部，从而使得倒装LED芯片的顶部和侧面均可以发光。这样，当上述倒装LED芯片应用于直下式模组中时，相邻的两个倒装LED芯片的四个侧面和顶部均可以发光，这样相邻的两个倒装LED芯片可以通过侧面的发光进行均匀混光，从而大大改善了直下式模组的发光效果。另一方面，本实施例无需通过在直下式模组中加大芯片数量来保证直下式模组的发光效果，其大大节省了直下式模组的成本，另外，本实施例也无需通过在LED芯片的顶部增加光学透镜来保证直下式模组的发光效果，因此，其进一步降低了直下式模组的生产成本，并且避免了直下式模组体积过厚导致的适用性差的。在其中一个实施例中，所述多个凸起呈阵列式分布，相邻两个凸起之间设置一个通孔。在其中一个实施例中，所述凸起的横截面形状包括：三角形、倒梯形和圆形中的至少一个。在其中一个实施例中，所述多个凸起的横截面形状相同。在其中一个实施例中，相邻两个凸起之间的间距范围为[6，8]μm，所述通孔的直径的范围为[3，5]μm。第二方面，本技术提供一种背光模组，包括：模组支架、柔性线路板以及多个如上述实施例任一项所述的倒装LED芯片；所述倒装LED芯片的P型焊接电极与N型焊接电极，与所述柔性线路板电连接，所述柔性线路板设置在所述模组支架上。在其中一个实施例中，所述柔性线路板的朝向所述倒装LED芯片的一面涂覆有反射油墨层。在其中一个实施例中，所述背光模组还包括：设置在倒装LED芯片的衬底上表面的膜片；所述膜片包括：经过雾化处理后的量子点薄膜；所述量子点薄膜涂覆在所述倒装LED芯片的衬底的上表面。在其中一个实施例中，所述膜片还包括：设置在所述量子点薄膜上表面的水平增光片、设置在所述水平增光片上的垂直增光片、设置在所述垂直增光片上表面的遮光片以及设置在所述遮光片上表面的保护膜；所述遮光片的下表面为白色，所述遮光片的上表面为黑色。在其中一个实施例中，所述多个LED倒装芯片包括至少两个倒装LED芯片组；同一组内的倒装LED芯片之间串联连接，任意两个倒装LED芯片组之间为并联连接。本技术提供的倒装LED芯片及背光模组，通过在倒装LED芯片的第一反射层上设置的用于反射光线的凸起，将来自于第二反射层反射的光线再次反射至倒装LED芯片的侧面，并通过在第一反射层上设置用于直射光线的通孔，使得来自于第二反射层反射的光线可以通过该通孔直射至倒装LED芯片的顶部，从而使得倒装LED芯片的顶部和侧面均可以发光。这样，当上述倒装LED芯片应用于直下式模组中时，相邻的两个倒装LED芯片的四个侧面和顶部均可以发光，这样相邻的两个倒装LED芯片可以通过侧面的发光进行均匀混光，从而大大改善了直下式模组的发光效果。另一方面，本实施例无需通过在直下式模组中加大芯片数量来保证直下式模组的发光效果，其大大节省了直下式模组的成本，另外，本实施例也无需通过在LED芯片的顶部增加光学透镜来保证直下式模组的发光效果，因此，其进一步降低了直下式模组的生产成本，并且避免了直下式模组体积过厚导致的适用性差的。附图说明图1为传统技术中倒装LED芯片结构示意图；图2为本技术一个实施例提供的倒装LED芯片结构示意图；图2a为本技术另一个实施例提供的倒装LED芯片发光示意图；图2b为本技术另一个实施例提供的倒装LED芯片第一反射层设置的通孔放大示意图；图3为本技术另一个实施例提供的凸起和通孔的横截面示意图；图4为本技术另一个实施例提供的凸起和通孔的横截面示意图；图5为本技术一个实施例提供的背光模组的结构示意图；图6为本技术另一个实施例提供的背光模组的结构示意图。附图标记说明：101：蓝宝石衬底；102：N-GaN层；103：内源层；104：P-GaN层；105：ITO欧姆接触层；106：反射层；107：P型焊接电极；108：N型焊接电极；201：衬底；202：第一反射层；203：N型半导体层；204：内源层；205：P型半导体层；206：欧姆接触层；207：第二反射层；208：P型焊接电极；209：N型焊接电极；210:反射光线；211：直射光线；221：凸起；222：通孔；501：模组支架；502：柔性线路板；503：倒装LED芯片；531：P型焊接电极；532：N型焊接电极；521：高反射油墨层；504：量子点薄膜；505：水平增光片；506：垂直增光片；507：遮光片；508：保护膜。具体实施方式随着芯片技术的不断发展，倒装LED芯片在照明、汽车、显示屏及背光源等对亮度要求高的领域内的作用日益明显。但是，图1所示的传统技术的倒装LED芯片，其在应用于直下式模组中时，直下式模组中相邻的两个倒装LED芯片无法均匀混光而难以得到均匀的亮度分布，从而导致直下式模组的发光效果较差。本申请提供的倒装LED芯片，旨在解决传统技术的如上技术问题。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，通过下述实施例并结合附图，对本技术实施例中的技术方案做进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。图2为本技术一个实施例提供的倒装LED芯片的结构示意图。如图2所示，该LED倒装芯片包括：衬底201、沉积在所述衬底201底部的第一反射层202、沉积在所述第一反射层202下表面的N型半导体层203、沉积在所述N型半导体层203下表面的内源层204、沉积在所述内源层20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片包括：衬底、沉积在所述衬底底部的第一反射层、沉积在所述第一反射层下表面的N型半导体层、沉积在所述N型半导体层下表面的内源层、沉积在所述内源层下表面的P型半导体层、沉积在所述P型半导体层下表面的欧姆接触层、沉积在所述欧姆接触层下表面的第二反射层，以及设置在所述第二反射层下表面得到P电极和N电极；所述第一反射层上设置有多个用于反射光线的凸起和多个用于直射光线的通孔。

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片包括：衬底、沉积在所述衬底底部的第一反射层、沉积在所述第一反射层下表面的N型半导体层、沉积在所述N型半导体层下表面的内源层、沉积在所述内源层下表面的P型半导体层、沉积在所述P型半导体层下表面的欧姆接触层、沉积在所述欧姆接触层下表面的第二反射层，以及设置在所述第二反射层下表面得到P电极和N电极；所述第一反射层上设置有多个用于反射光线的凸起和多个用于直射光线的通孔。2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述多个凸起呈阵列式分布，相邻两个凸起之间设置一个通孔。3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述凸起的横截面形状包括：三角形、倒梯形和圆形中的至少一个。4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述多个凸起的横截面形状相同。5.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，相邻两个凸起之间的间距范围为[6，8]μm，所述通孔的直径的范围为[3，5]μm。6.一种背光模组，其特征在于，包括：模组支架、柔性线路...

【专利技术属性】
技术研发人员：李少娟，陶贤文，许晋源，
申请(专利权)人：惠州雷通光电器件有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44