OLED阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法技术

本发明专利技术公开一种OLED阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法。所述OLED阳极的制造方法包括：形成第一导电图案；采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，所述PVD工艺的压强为0.8～1Pa、功率为2～4kw、惰性气体的流量为100～150sccm；在反射层上形成第二导电图案。基于此，本发明专利技术能够降低反射层中晶粒大小的均一性，提高反射层对可见光的反射率，改善OLED面板的发光效率。

OLED anode and its manufacturing method, and manufacturing method of OLED substrate

The invention discloses a OLED anode and a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of the OLED substrate. The manufacturing method of the OLED anode includes: forming a first conductive pattern; using a physical meteorologic deposition PVD process to form a reflection layer on the first conductive pattern, the pressure of the PVD process is 0.8 to 1Pa, the power is 2 to 4kw, the flow of the inert gas is 100 to 150sccm, and the second conducting pattern is formed on the reflection layer. Based on this, the invention can reduce the uniformity of the grain size in the reflecting layer, improve the reflectivity of the reflecting layer to visible light, and improve the luminous efficiency of the OLED panel.

【技术实现步骤摘要】
OLED阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法
本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法。
技术介绍
与传统的液晶显示面板相比，OLED面板具有反应速度快、对比度高、视角广等优势，被视为下一代显示技术。OLED面板的发光原理是：对阳极和阴极施加电压，在电压驱动下，电子的空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，在迁移至发光层，并在发光层相遇，形成激子并使发光分子激发以发出可见光。在顶发光式(Topemission)OLED面板的结构设计中，由于银(Ag)具有良好的导电性和反射性，其被广泛应用于制造阳极(anode)。但是，在目前采用银形成反射层的工艺中，如图1所示，沉积形成的晶粒11的均一性(uniformity)较差，一般为30％左右，晶粒11排布不整齐，对光的反射性不理想，例如在可见光波长为550nm时的反射率仅为97％左右，这无疑会影响OLED面板的发光效率。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术提供一种OLED阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法，能够降低反射层中晶粒的均一性，提高反射层对可见光的反射率，改善OLED面板的发光效率。本专利技术一实施例的OLED阳极的制造方法，包括：形成第一导电图案；采用PVD(PhysicalVaporDeposition,物理气象沉积)工艺在第一导电图案上形成反射层，PVD工艺的压强为0.8～1Pa(帕斯卡)、功率为2～4kw(千瓦)、惰性气体的流量为100～150sccm(每分钟标准毫升)；在所述反射层上形成第二导电图案。本专利技术一实施例的OLED基板的制造方法，包括：提供衬底基材；在所述衬底基材上形成TFT；形成覆盖所述TFT的平坦层，所述平坦层开设有暴露所述TFT的漏极图案的跨接孔；在所述平坦层上形成第一导电图案，所述第一导电图案覆盖所述跨接孔且与所述TFT的漏极图案接触；采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，其中所述PVD工艺的压强为0.8～1Pa、功率为2～4kw、惰性气体的流量为100～150sccm；在所述反射层上形成第二导电图案；形成覆盖所述平坦层的像素定义层，所述像素定义层开设有开口区，所述开口区暴露所述第二导电图案；在所述第二导电图案上形成有机发光图案。本专利技术一实施例的OLED阳极，包括依次层叠设置的第一导电图案、反射层和第二导电图案，所述反射层中晶粒大小的均一性至少低于5％。有益效果：本专利技术在采用PVD工艺形成反射层的过程中，设计PVD工艺的压强为0.8～1Pa、功率为2～4kw、惰性气体的流量为100～150sccm，反射层中的晶粒排布整齐，能够降低反射层中晶粒的均一性，从而可以提高反射层对可见光的反射率，改善OLED面板的发光效率。附图说明图1是现有技术的反射层中晶体的排布示意图；图2是本专利技术一实施例的OLED阳极的制造方法的流程示意图；图3是本专利技术一实施例的OLED阳极的结构示意图；图4是基于图2所示方法制造的反射层的晶体的排布示意图；图5是本专利技术一实施例的OLED面板的制造方法的流程示意图；图6是基于图5所示方法制造OLED面板的场景示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术所提供的各个示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述各个实施例以及实施例中的特征可以相互组合。并且，本专利技术全文所采用的方向性术语，例如“上”、“下”等，均是为了更好的描述各个实施例的技术方案，并非用于限制本专利技术的保护范围。图2是本专利技术一实施例的OLED阳极的制造方法的流程示意图，图3是本专利技术一实施例的OLED阳极的结构示意图。请参阅图2和图3，所述OLED阳极的制造方法包括步骤S21～S23。S21：形成第一导电图案。S22：采用PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，PVD工艺的压强为0.8～1Pa、功率为2～4kw、惰性气体的流量为100～150sccm。S23：在反射层上形成第二导电图案。如图3所示，第一导电图案31和第二导电图案33的材质可以相同，也可以不相同。本实施例根据不同的材质可以选择合适的制造工艺。例如，对于ITO(IndiumTinOxide,氧化铟锡)，本实施例可以采用溅射、蒸镀等任一种工艺形成第一导电图案31和第二导电图案33。为了便于描述相对于现有技术的改进，本实施例以反射层32的材质为银为例进行说明。在采用PVD工艺制造反射层32的过程中，借助于惰性气体(例如氩气)辉光放电，银汽化蒸发离子化，离子经电场加速，以较高能量轰击第一导电图案31的上表面，从而沉积形成所述反射层32。在本实施例中，PVD工艺所需的条件为：压强为0.8～1Pa、功率为2～4kw、惰性气体的流量为100～150sccm。在该条件下，如图4所示，晶粒(银晶粒)40排布整齐，在反射层32中晶粒40的均一性较低，具体为至少低于5％。晶粒40的均一性满足以下关系式：(R1-R2)/2*R0*100％其中，R1为晶粒40粒径的最大值，R2为晶粒40粒径的最小值，R0为所有晶粒40粒径的平均值。反射层32中晶粒40的均一性越低，表示晶粒40的粒径大小越均匀，反射层32的反射率越高。因此，本实施例能够提高反射层32对可见光的反射率。例如，在可见光波长为550nm时，反射层32的反射率可以达到99％左右。通过上述方式，本实施例即可制得图3所示的OLED阳极。在采用上述方法制得的OLED阳极中，鉴于其包括依次层叠的第一导电图案31、反射层32和第二导电图案33，且反射层32中晶粒40大小的均一性至少低于5％，因此，该OLED阳极也至少具有上述有益效果。图5是本专利技术一实施例的OLED面板的制造方法的流程示意图，图6是基于图5所示方法制造OLED面板的场景示意图。请参阅图5和图6，所述OLED阳极的制造方法包括步骤S51～S58。S51：提供衬底基材。衬底基材60可以为玻璃基体、塑料基体或可挠式基体等透光基体。S52：在所述衬底基材上形成TFT。首先，本实施例可以采用CVD(ChemicalVaporDeposition,化学气相沉积)工艺在衬底基材60上形成缓冲层61，该缓冲层61为覆盖衬底基材60的一整面结构。其中，所述缓冲层61的材质可以为硅氧化物(SiOx)，当然，缓冲层61也可以包括依次形成于衬底基材60上的硅氧化合物层和硅氮化合物，例如SiO2(二氧化硅)和Si3N4(三氮化硅)，以此提高缓冲层61的耐磨损能力和绝缘性能。然后，在缓冲层61形成具有预定图案的半导体图案62，具体而言，本实施例可采用PVD工艺形成覆盖缓冲层61的一整面非晶硅(a-Si)层，再通过图案化工艺形成预定图案的非晶硅图案，接着对非晶硅图案进行退火处理，例如ELA(ExcimerLaserAnneal,准分子激光退火)处理，使其结晶形成多晶硅(p-Si)图案，即半导体图案62。进一步地，本实施例可以采用CVD工艺在缓冲层61上形成栅极绝缘层(GateInsulationLayer，GI)63，其为覆盖缓冲层61的一整面结构，当然也就覆盖半导体图案62。所述栅极绝缘层63可以包括依次形成于缓冲层61上的硅氧化合物层和硅氮化合物，例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述方法包括：形成第一导电图案；采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，其中所述PVD工艺的压强为0.8～1Pa(帕斯卡)、功率为2～4kw(千瓦)、惰性气体的流量为100～150sccm(每分钟标准毫升)；在所述反射层上形成第二导电图案。

【技术特征摘要】
1.一种OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述方法包括：形成第一导电图案；采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，其中所述PVD工艺的压强为0.8～1Pa(帕斯卡)、功率为2～4kw(千瓦)、惰性气体的流量为100～150sccm(每分钟标准毫升)；在所述反射层上形成第二导电图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射层的材质包括银。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用氧化铟锡ITO形成所述第一导电图案和所述第二导电图案。4.一种OLED基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底基材；在所述衬底基材上形成TFT；形成覆盖所述TFT的平坦层，所述平坦层开设有暴露所述TFT的漏极图案的跨接孔；在所述平坦层上形成第一导电图案，所述第一导电图案覆盖所述跨接孔且与所述TFT的漏极图案接触；采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，其中所述PVD工艺的压强为0.8～1Pa、功率为2～4kw、惰性气体的流量为100～150sccm；在所述反射层上形成第二导电图案；形成覆盖所述平坦层的像素定义层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻蕾，李松杉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42