发光器件及发光器件的制作方法技术

本申请公开了一种发光器件及发光器件的制作方法。所述发光器件包括基板及设置在所述基板上的阳极结构，在设置所述阳极结构时所述基板倾斜，所述阳极结构包括设置在所述基板上的第一增反层、设置在所述第一增反层上的金属层及设置在所述金属层上的第二增反层，以此提高阳极结构的透过率。

Fabrication methods of luminescent devices and light emitting devices

The invention discloses a light-emitting device and a method for manufacturing a light-emitting device. The light emitting device includes a substrate and an anode structure arranged on the substrate, and the substrate is tilted at the setting of the anode structure. The anode structure includes a first anti layer on the substrate, a metal layer set on the first anti layer, and a second increasing reverse layer on the metal layer. Increase the permeability of the anode structure.

【技术实现步骤摘要】
发光器件及发光器件的制作方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种发光器件及发光器件的制作方法。
技术介绍
有机发光二极管包括作为阳极的第一电极，作为阴极的第二电极以及二个电极之间夹着单层或者多层不同种类和不同结构的有机材料功能层。常规有机发光二极管中氧化物铟锡(ITO)是最常用的导电氧化物，然而其成本较高且有毒性。而铝掺杂氧化锌(AZO)具有低成本、高带隙、无毒性、高透明度等特性，被认为是最可能替代ITO的材料。特别是显示技术迅速发展成熟的时代，电极对导电氧化物的需要越来越高，发展低成本、清洁型的产业也成为当今社会发展的迫切需求。目前一种电极结构为AZO(接触层)，Ag(反射层)，AZO(第一电极)的提出，为取代经典结构ITO/Ag/ITO结构提供现实依据。同时，具有低电阻率和高透光率的AZO/Ag/AZO电极结构，也有应用于柔性领域，但是目前尚没有从工艺上制备低电阻、高载流子迁移率、高透过率的AZO/Ag/AZO电极的方法，因此该问题亟待业界解决。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种发光器件及发光器件的制作方法，以提高发光器件阳极结构的透过率。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种发光器件，包括：基板及设置在所述基板上的阳极结构，在设置所述阳极结构时所述基板倾斜，所述阳极结构包括设置在所述基板上的第一增反层、设置在所述第一增反层上的金属层及设置在所述金属层上的第二增反层。本专利技术采用的另一个技术方案是：提供了一种发光器件的制作方法，包括：提供一基板；将所述基板倾斜以在所述基板上设置第一增反层；在所述第一增反层上设置金属层；及在所述金属层上设置第二增反层。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术通过将所述基板倾斜以在所述基板上设置第一增反层，在所述第一增反层上设置金属层，以及在所述金属层上设置第二增反层的阳极结构来提高发光器件阳极结构的透过率。附图说明图1是本专利技术发光器件的阳极结构的结构示意图；图2是图1中阳极结构的制作工艺示意图；图3是本专利技术发光器件的第一实施例的结构示意图；图4是本专利技术发光器件的第二实施例的结构示意图；图5至图7是本专利技术发光器件的制作方法的流程示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的，技术方案、优点更加清楚，下面结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案，进行清楚，完整的描述，显然描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，是本专利技术的发光器件的阳极结构的结构示意图。该阳极结构10包括：第一增反层101、金属层102及第二增反层103，其中金属层102夹设于第一增反层101和第二增反层103之间。请一并参阅图2，在所述阳极结构的制作过程中，将基板2倾斜，使用溅射沉积的方法在基板2上形成厚度为10纳米至100纳米的第一增反层101，所述基板2的平行方向与沉积源1的垂直方向之间的夹角为θ，夹角θ范围为10-80度。进一步地，利用物理气相沉积的方法，在所述第一增反层101上形成厚度为5纳米至20纳米的金属层102。进一步地，使用溅射沉积的方法，在所述金属层102上形成第二增反层103，所述第二增反层103的厚度为10纳米至100纳米。进一步地，所述第一增反层101及第二增反层103材料为铝掺杂氧化锌(AZO)，所述金属层102材料为银(Ag)、铝(Al)及金(Au)中的一种或者组合。请参阅图3，是本专利技术发光器件的第一实施例的结构示意图。所述发光器件包括基板2、依次层叠设置在所述基板2上的第一增反层101、金属层102、第二增反层103、发光层和阴极结构401、第一无机层501、第一有机层601及第二无机层502。具体地，利用蒸镀设备在第二增反层103上沉积形成发光层和阴极结构401，发光器件的光色可以是可见光范围内的任何光色。利用等离子增强化学气相沉积技术在发光层和阴极结构401上形成第一无机层501，厚度为1微米至10微米，且要求其完全覆盖下面其余层。所述第一无机层501的材料可以为三氧化二铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiONx)及氮碳化硅(SiCNx)中的一种或者组合。可同样利用等离子增强化学气相沉积工艺在第一无机层501上沉积一层第一有机层601，且要求其完全覆盖下面其余层，所述第一有机层601厚度为1微米至10微米，所述第一有机层601的材料不限于亚克力、聚苯乙烯类、聚酯类等用于缓冲器件在弯曲、折叠时的应力以及颗粒污染物的覆盖；在第一有机层601的表面上形成第二无机层502，且要求其完全覆盖下面其余层，所述第二无机层502的材料和厚度与所述第一无机层501的材料和厚度相同。请参阅图4，是本专利技术的发光器件的第二实施例的结构示意图。所述发光器件的第二实施例与上述第一实施例的区别之处在于：所述发光器件还包括设置在第二无机层502上的第二有机层602及设置在第二有机层602上的第三无机层503。通过设置第二有机层602及第三无机层503以更好的保护有机材料，提高元件的寿命。其中，在所述第二无机层502上形成第二有机层602，且要求其完全覆盖下面其余层；在所述第二有机层602上形成第三无机层503，且要求其完全覆盖下面其余层；而且所述第三无机层503的制备工艺、材料和厚度等条件与第一无机层501和第二无机层502相同，第二有机层602的制备工艺、材料和厚度等条件与第一有机层601相同。请参阅图5，是本专利技术的发光器件的制作方法的流程示意图。所述方法包括如下步骤：步骤S1：提供一基板2，将所述基板2倾斜。具体地，所述基板2可以为玻璃基板等，只要能实现本专利技术的目的即可。所述基板2的平行方向与沉积源1的垂直方向形成夹角θ(如图2所示)，夹角θ的范围为10-80度。步骤S2：在所述倾斜基板2上设置第一增反层101。具体地，所述第一增反层101通过溅射沉积的方法在基板2上形成，所述第一增反层101的材料为铝掺杂氧化锌(AZO)，其厚度为10纳米至100纳米。步骤S3：在所述第一增反层101上设置金属层102。具体地，所述金属层102通过物理气相沉积的方法形成，所述金属层102的材料为银(Ag)、铝(Al)及金(Au)中的一种或者组合，其厚度为5纳米至20纳米。步骤S4：在所述金属层102上设置第二增反层103。具体地，所述第二增反层103通过溅射沉积的方法形成，所述第二增反层103的材料为铝掺杂氧化锌(AZO)，其厚度为10纳米至100纳米。请参阅图6，其中，所述发光器件的制作方法还包括步骤：步骤S5：在所述第二增反层103上形成发光层和阴极结构401。步骤S6：在所述发光层和阴极结构401上形成第一无机层501。步骤S7：在所述第一无机层501上设置第一有机层601。步骤S8：在所述第一有机层601上设置第二无机层502。具体地，所述第一无机层501和第二无机层502的厚度为1微米至10微米，第一有机层601的厚度为1微米至10微米，且要求其完全覆盖下面其余层。具体地，所述第一无机层501和所述第二无机层502的材料可以为三氧化二铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括基板及设置在所述基板上的阳极结构，在设置所述阳极结构时所述基板倾斜，所述阳极结构包括设置在所述基板上的第一增反层、设置在所述第一增反层上的金属层及设置在所述金属层上的第二增反层。

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括基板及设置在所述基板上的阳极结构，在设置所述阳极结构时所述基板倾斜，所述阳极结构包括设置在所述基板上的第一增反层、设置在所述第一增反层上的金属层及设置在所述金属层上的第二增反层。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一增反层及所述第二增反层的材料为铝掺杂二氧化锌，所述第一增反层及所述第二增反层的厚度为10纳米至100纳米；所述金属层的材料为银、铝、金中的一种或者组合，所述金属层的厚度为5纳米至20纳米。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述基板倾斜是所述基板的平行方向与沉积源垂直方向之间形成一夹角θ，所述夹角为10-80度。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括设置在所述第二增反层上的发光层和阴极结构、设置在所述发光层和阴极结构上的第一无机层、设置在所述第一无机层上的第一有机层及设置在所述第一有机层上的第二无机层。5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第一有机层的材料为亚克力、聚苯乙烯类、聚酯类中的一种或者组合，所述第一有机层的厚度为1微米至10微米；所述第一、第二无机层...

【专利技术属性】
技术研发人员：林敏，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42