The invention discloses a method for adjusting the quantum well width of a multi quantum well perovskite material and its application and device. The multi quantum well perovskite material is prepared by AX1, BX2 and MX32 massaging a:b:c, in which a:b:c = (1~100): (1~100): (1~100), of which A is R1 Y+, R1 is a fatty group with 1~50 carbon atoms Alkyl, aliphatic alkyl groups with 5~100 carbon atoms, substituted aryl groups with 6~100 carbon atoms, or any substituted heterocyclic groups with 3~100 carbon atoms. Y+ is any one of amines and N heterocyclic organic cations; B is methylamine, meamamid or metal ions; M is metal element; X1, X2 and X3 are halogen elements; The adjustment method is to control the content of different energy gap quantum well structures by adjusting the content of BX2 and AX1, so that the quantum well width is adjusted, the content of BX2 is increased, the content of the narrow energy gap quantum well is increased, the content of the well is widened, the content of the AX1 is increased, the content of the wide gap quantum well is increased or the well width is narrowed, and the multiple quantum well is used. The control of well width can optimize the efficiency of perovskite light emitting devices.
【技术实现步骤摘要】
一种多量子阱钙钛矿材料量子阱阱宽的调整方法及其应用和器件
本专利技术涉及有机-无机杂化钙钛矿材料,尤其涉及的是一种多量子阱钙钛矿材料量子阱阱宽的调整方法及其应用和器件。
技术介绍
近年来,有机-无机杂化钙钛矿材料已经成为太阳能电池领域的“明星”,引起了人们的广泛重视。除了应用在太阳能电池中,钙钛矿材料也可以作为发光材料应用在发光器件中。最新研究表明,通过低温溶液法可以实现具有多量子阱结构的钙钛矿材料,具有低缺陷密度、荧光量子效率高以及通过简单的组分调整即可调节发光峰位的优势。基于多量子阱结构钙钛矿材料的发光器件(LED)具有高发光效率(器件外量子效率达到11.7%),然而随着外加电流增加,器件效率衰减迅速,导致大电流条件下器件外量子效率和稳定性较低。但是在发光器件实际应用过程中,通常要求器件工作在较高电流区域,因此需要寻找一种提高大电流条件下器件效率和稳定性的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足提供一种多量子阱钙钛矿材料量子阱阱宽的调整方法及其应用和器件。本专利技术的技术方案如下:一种多量子阱钙钛矿材料量子阱阱宽的调整方法,所述多量子阱钙钛矿材料由AX1、BX2和MX32按摩尔比a:b:c制备得到,其中,a:b:c=(1~100):(1~100):(1~100),其中A为R1-Y+,R1-为具有1~50个碳原子的脂族烃基、具有5~100个碳原子的脂环族烃基、具有6~100个碳原子的任取代的芳基或具有3~100个碳原子的任取代的杂环基,Y+为胺、含N杂环有机阳离子中的任意一种;B为甲胺、甲脒或金属离子;M为金属元素;X1、X2、 ...
【技术保护点】
1.一种多量子阱钙钛矿材料量子阱阱宽的调整方法,其特征在于,所述多量子阱钙钛矿材料由AX1、BX2和MX32按摩尔比a:b:c制备得到,其中,a:b:c=(1~100):(1~100):(1~100),其中A为R1‑Y+,R1‑为具有1~50个碳原子的脂族烃基、具有5~100个碳原子的脂环族烃基、具有6~100个碳原子的任取代的芳基或具有3~100个碳原子的任取代的杂环基,Y+为胺、含N杂环有机阳离子中的任意一种;B为甲胺、甲脒或金属离子;M为金属元素;X1、X2、X3为卤族元素;所述调整方法为:通过BX2含量、或AX1含量调整控制不同能隙量子阱材料的含量,从而实现量子阱阱宽的调整,BX2含量增加,窄能隙量子阱含量增加或者阱宽变宽,AX1含量增加,宽能隙量子阱含量增加或者阱宽变窄;通过多量子阱阱宽的调控可实现钙钛矿发光器件效率的优化。
【技术特征摘要】
1.一种多量子阱钙钛矿材料量子阱阱宽的调整方法,其特征在于,所述多量子阱钙钛矿材料由AX1、BX2和MX32按摩尔比a:b:c制备得到,其中,a:b:c=(1~100):(1~100):(1~100),其中A为R1-Y+,R1-为具有1~50个碳原子的脂族烃基、具有5~100个碳原子的脂环族烃基、具有6~100个碳原子的任取代的芳基或具有3~100个碳原子的任取代的杂环基,Y+为胺、含N杂环有机阳离子中的任意一种;B为甲胺、甲脒或金属离子;M为金属元素;X1、X2、X3为卤族元素;所述调整方法为:通过BX2含量、或AX1含量调整控制不同能隙量子阱材料的含量,从而实现量子阱阱宽的调整,BX2含量增加,窄能隙量子阱含量增加或者阱宽变宽,AX1含量增加,宽能隙量子阱含量增加或者阱宽变窄;通过多量子阱阱宽的调控可实现钙钛矿发光器件效率的优化。2.根据权利要求1所述的调整方法,其特征在于,所使用的代表性材料AX1为C10H7CH2NH3I、C10H7CH2NH3Br、C6H5CH2NH3I、C6H5(CH2)2NH3I、C6H5(CH2)4NH3I,BX2为CH3NH3I、NH2CH=NH2I、CsI、NH2CH=NH2Br、NH2CH=NH2Cl、CH3NH3Br、CH3NH3Cl、CsBr、CsCl,MX...
【专利技术属性】
技术研发人员:王建浦,王娜娜,黄维,张树婷,
申请(专利权)人:南京工业大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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