The invention discloses a multi quantum well structure control method of perovskite material and its application and device based on film post-processing. The multi quantum well structure of perovskite material is regulated by the film post-processing technology. The selected material is a perovskite material which can form a multi quantum well structure by self assembly. The material is massaged by AX1, BX2 and MX32. A is prepared by a:b:c, which is R1 Y+, R1 is a fatty hydrocarbon group with 1~50 carbon atoms, a aliphatic alkyl group with 5~100 carbon atoms, a substituted aryl with 6~100 carbon atoms, or a substituted heterocyclic group with 3~100 carbon atoms, and any one of the Y+ amines and the N heterocyclic organic cations. B is methylamine, meamamid or metal ions; M is a metal element; X1X2X3 is a halogen element; the post-processing conditions of the film are one of three or the combination of heating annealing, solvent annealing and vacuum drying, and the optimization of device efficiency can be achieved through the regulation of the structure of multiple quantum wells.
【技术实现步骤摘要】
基于薄膜后处理的钙钛矿材料多量子阱结构调控方法及其应用和器件
有机-无机杂化钙钛矿材料,尤其涉及的是一种基于薄膜后处理的钙钛矿材料多量子阱结构调控方法及其应用和器件。
技术介绍
近年来,有机-无机杂化钙钛矿材料已经成为太阳能电池领域的“明星”,器件性能取得了迅猛发展,目前光伏器件的能量转换效率已突破22%。除了在光伏领域,钙钛矿材料在发光领域也引起了人们的广泛重视,然而目前器件效率和稳定性较低,有待于采用新材料、新结构来提高器件性能。最近,具有多量子阱结构的钙钛矿发光器件已经展现出高效、稳定的优势,然而在目前多量子阱结构钙钛矿器件的制备过程中,还没有简单、有效的调整量子阱结构的方法。虽然可以借鉴传统无机发光中调控量子阱结构的方法,但是无机量子阱制备条件苛刻,成本高昂,不利于低成本、大面积制备器件。因此,很有必要进一步提出一种优化量子阱结构的方法来提高钙钛矿器件的性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足提供一种基于薄膜后处理的钙钛矿材料多量子阱结构调控方法及其应用和器件。本专利技术的技术方案如下:一种基于薄膜后处理的钙钛矿材料多量子阱结构调控方法,通过薄膜后处理工艺来调节钙钛矿材料多量子阱结构;选用的材料为可自组装形成多量子阱结构的钙钛矿材料,该材料由AX1、BX2和MX32按摩尔比a:b:c制备得到,其中A为R1-Y+,R1-为具有1~50个碳原子的脂族烃基、具有5~100个碳原子的脂环族烃基、具有6~100个碳原子的任取代的芳基或具有3~100个碳原子的任取代的杂环基,Y+为胺、含N杂环有机阳离子中的任意一种;B为甲胺、甲脒或金 ...
【技术保护点】
1.一种基于薄膜后处理的钙钛矿材料多量子阱结构调控方法,其特征在于,通过薄膜后处理工艺来调节钙钛矿材料多量子阱结构;选用的材料为可自组装形成多量子阱结构的钙钛矿材料,该材料由AX1、BX2和MX32按摩尔比a:b:c制备得到,其中A为R1‑Y+,R1‑为具有1~50个碳原子的脂族烃基、具有5~100个碳原子的脂环族烃基、具有6~100个碳原子的任取代的芳基或具有3~100个碳原子的任取代的杂环基,Y+为胺、含N杂环有机阳离子中的任意一种;B为甲胺、甲脒或金属离子;M为金属元素;X1、X2、X3为卤族元素;薄膜后处理工艺为:加热退火、溶剂退火、真空干燥三者之一或其组合;通过多量子阱结构的调控可实现器件效率的优化。
【技术特征摘要】
1.一种基于薄膜后处理的钙钛矿材料多量子阱结构调控方法,其特征在于,通过薄膜后处理工艺来调节钙钛矿材料多量子阱结构;选用的材料为可自组装形成多量子阱结构的钙钛矿材料,该材料由AX1、BX2和MX32按摩尔比a:b:c制备得到,其中A为R1-Y+,R1-为具有1~50个碳原子的脂族烃基、具有5~100个碳原子的脂环族烃基、具有6~100个碳原子的任取代的芳基或具有3~100个碳原子的任取代的杂环基,Y+为胺、含N杂环有机阳离子中的任意一种;B为甲胺、甲脒或金属离子;M为金属元素;X1、X2、X3为卤族元素;薄膜后处理工艺为:加热退火、溶剂退火、真空干燥三者之一或其组合;通过多量子阱结构的调控可实现器件效率的优化。2.根据权利要求1所述的多量子阱结构调控方法,其特征在于,加热退火条件为:将旋涂有前驱体溶液的衬底放置在加热台上直接退火,退火温度由材料与衬底类型决定,时间为0-5h。3.根据权利要求1所述的多量子阱结构调控方...
【专利技术属性】
技术研发人员:王建浦,王娜娜,黄维,
申请(专利权)人:南京工业大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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