一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够减少有源层中垂直于OTFT沟道中载流子传输方向的晶界数量。该薄膜晶体管的制作方法包括制作源极和漏极的方法，还包括制作有源层的方法：在衬底上沿第一方向形成多个处理区域，且任意相邻两个处理区域具有不同的亲水性；其中，第一方向与薄膜晶体管的载流子传输方向平行；在衬底上形成至少覆盖相邻两个处理区域的部分交界区域的有源层。

Thin film transistor and its manufacturing method, array substrate and display device

An embodiment of the invention provides a thin film transistor and a fabrication method, an array substrate and a display device, which relate to the display technical field, and can reduce the number of grain boundaries in the carrier transmission direction perpendicular to the OTFT channel in the active layer. The fabrication method of the thin film transistor includes the method of making the source and the drain, and also includes the method of making the active layer: a plurality of processing regions are formed in the first direction on the substrate, and the adjacent two processing regions have different hydrophilicity, in which the first direction is parallel to the carrier transmission direction of the Bo Mojing body tube; An active layer is formed on the substrate to cover part of the junction area of at least two adjacent processing regions.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
TFT-LCD(英文全称：ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，中文全称：薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。具体的，薄膜晶体管包括无机薄膜晶体管和有机薄膜晶体管(英文全称：OrganicThinFilmTransistor，英文简称：OTFT)。其中，OTFT可以用来制作更小的器件，此外OTFT具有很好的柔韧性，可以用来制备柔性显示器。现有的制作OTFT的过程中，可以通过构图工艺在衬底基板上形成栅极和栅极绝缘层，然后通过喷墨打印工艺在该栅极绝缘层上形成有机半导体溶液，该有机半导体溶液在干燥后形成如图1所示的有源层10。然后，通过构图工艺形成源极11和漏极12。然而，由于该有机半导体溶液在栅极绝缘层界面上的干燥过程呈现各项同性，因此经过干燥形成的薄膜的成膜方向以及成膜速度具有一定的随机性。这样一来，形成的薄膜形貌可控性差，且如图1所示有源层10薄膜中的结晶方向杂乱。在此情况下，上述有源层10薄膜中垂直于OTFT沟道中载流子传输方向A的晶界会影响载流子的迁移速度，从而降低了OTFT的迁移率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够减少有源层中垂直于OTFT沟道中载流子传输方向的晶界数量。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括制作源极和漏极的方法，还包括制作有源层的方法：在衬底上沿第一方向形成多个处理区域，且任意相邻两个所述处理区域具有不同的亲水性；其中，所述第一方向与所述薄膜晶体管的载流子传输方向平行；在所述衬底上形成至少覆盖相邻两个所述处理区域的部分交界区域的有源层。优选的，在所述衬底上形成多个处理区域包括：所述多个处理区域依次紧密排列。优选的，在所述衬底上形成多个处理区域包括：所述处理区域的亲水性依次渐变。优选的，被所述有源层覆盖的所有所述处理区域沿第二方向的尺寸均相等；其中，所述第二方向与所述第一方向垂直。优选的，在所述衬底上形成多个处理区域包括：通过紫外光照射工艺在所述衬底上形成多个所述处理区域。进一步优选的，所述紫外光照射工艺包括：在所述衬底待照射的一侧设置光照掩膜板；采用紫外汞灯透过所述光照掩膜板的透光区对所述衬底进行照射；沿所述第一方向匀速移动所述衬底或所述光照掩膜板。进一步优选的，所述紫外光照射工艺包括：在所述衬底待照射的一侧设置光照掩膜板；在同一照射时间内，采用多个具有不同光照强度的低压紫外汞灯透过所述光照掩膜板的透光区对所述衬底进行照射。进一步优选的，所述紫外光照射工艺包括：在所述衬底待照射的一侧设置光照掩膜板；采用多个光照强度相同且光照时间不同的低压紫外汞灯，透过所述光照掩膜板的透光区对所述衬底进行照射。优选的，所述光照掩膜板与制备所述有源层的掩膜板相同。优选的，在所述衬底上形成所述有源层包括：在所述衬底上形成有机半导体溶液；所述有机半导体溶液干燥成膜，以形成所述有源层。优选的，在所述衬底上形成有机半导体溶液之前，所述方法还包括：在所述衬底上形成一层光刻胶；通过一次构图工艺，将部分光刻胶去除，以形成光刻胶去除区域；在所述衬底上形成有机半导体溶液包括在所述衬底上对应所述光刻胶去除区域的位置形成所述有机半导体溶液。优选的，所述在衬底上沿第一方向形成多个处理区域之前，所述方法还包括：在衬底基板上，通过构图工艺依次形成栅极和栅极绝缘层；将所述栅极绝缘层作为所述衬底。优选的，将衬底基板作为所述衬底；在所述衬底上形成至少覆盖相邻两个所述处理区域的部分交界区域的有源层之后，所述方法还包括：在形成有所述有源层的衬底基板上，通过构图工艺依次形成栅极绝缘层和栅极；在形成有栅极的衬底基板上，通过构图工艺形成所述源极和所述漏极。优选的，构成所述有源层的材料包括极性半导体材料。优选的，所述有机半导体溶液的溶剂为极性溶剂。本专利技术实施例的另一方面，提供一种采用如上述所述的制作方法制作的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极和漏极，所述薄膜晶体管还包括衬底以及位于所述衬底上的有源层；构成所述有源层的材料包括有机半导体材料，且所述有源层晶体生长方向与所述薄膜晶体管的载流子传输方向平行。优选的，还包括依次位于所述衬底基板上的栅极和栅极绝缘层；所述栅极绝缘层为所述衬底。优选的，还包括依次位于衬底基板上的栅极绝缘层和栅极；所述衬底基板为所述衬底，所述有源层位于所述衬底基板与所述栅极绝缘层之间。本专利技术实施例的又一方面，提供一种阵列基板，包括如上所述的任意一种薄膜晶体管。本专利技术实施例的再一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。该薄膜晶体管的制作方法，包括制作源极和漏极的方法。此外，该还包括制作有源层的方法：首先，在衬底上沿第一方向形成多个处理区域，且任意相邻两个处理区域具有不同的亲水性。其中，第一方向与该薄膜晶体管的载流子传输方向平行。接下来，在衬底上形成至少覆盖相邻两个处理区域的部分交界区域的有源层。由上述可知，由于在衬底上形成的多个处理区域沿第一方向排列，且任意相邻两个处理区域具有不同的亲水性，因此，上述任意相邻的两个处理区域在衬底表面上沿第一方向的润湿性呈梯度变化。在此情况下，当在衬底上形成至少覆盖相邻两个处理区域的部分交界区域的有源层时，该有源层中的晶体会沿着上述润湿性呈梯度变化的方向，即上述第一方向生长，因此有源层中大部分晶界的方向与上述第一方向平行。而薄膜晶体管在导通过程中，载流子传输方向与上述第一方向平行，这样一来，由于有源层中与载流子传输方向平行的晶界数量较多，因此与载流子传输方向垂直的晶界相应的会减少，从而可以提高载流子的迁移速度，进而达到提高薄膜晶体管的迁移率和电学性能以及电学性能均一性的目的。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的一种薄膜晶体管的有源层中晶界方向的示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的制作方法流程图；图3为本专利技术实施例提供的一种在衬底上形成处理区域的示意图；图4为覆盖图3中相邻两个具有不同亲水性的处理区域的部分交界区域的有源层的示意图；图5为图4所示结构的俯视图；图6为覆盖图3中相邻两个具有不同亲水性的处理区域的部分交界区域的有机半导体溶液的示意图；图7为图6中有机半导体溶液的干燥趋势示意图；图8为图7中有机半导体溶液完全干燥后的示意图；图9为本专利技术实施例提供的另一种在衬底上形成处理区域的示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种制作底栅型薄膜晶体管的方法流程图；图11为采用图10中的步骤S201制作有栅极和栅极绝缘层的结构示意图；图12为采用图10中的步骤S202在栅极绝缘层上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括制作源极和漏极的方法，还包括制作有源层的方法：在衬底上沿第一方向形成多个处理区域，且任意相邻两个所述处理区域具有不同的亲水性；其中，所述第一方向与所述薄膜晶体管的载流子传输方向平行；在所述衬底上形成至少覆盖相邻两个所述处理区域的部分交界区域的有源层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括制作源极和漏极的方法，还包括制作有源层的方法：在衬底上沿第一方向形成多个处理区域，且任意相邻两个所述处理区域具有不同的亲水性；其中，所述第一方向与所述薄膜晶体管的载流子传输方向平行；在所述衬底上形成至少覆盖相邻两个所述处理区域的部分交界区域的有源层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成多个处理区域包括：所述多个处理区域依次紧密排列。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成多个处理区域包括：所述处理区域的亲水性依次渐变。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，被所述有源层覆盖的所有所述处理区域沿第二方向的尺寸均相等；其中，所述第二方向与所述第一方向垂直。5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成多个处理区域包括：通过紫外光照射工艺在所述衬底上形成多个所述处理区域。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述紫外光照射工艺包括：在所述衬底待照射的一侧设置光照掩膜板；采用紫外汞灯透过所述光照掩膜板的透光区对所述衬底进行照射；沿所述第一方向匀速移动所述衬底或所述光照掩膜板。7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述紫外光照射工艺包括：在所述衬底待照射的一侧设置光照掩膜板；在同一照射时间内，采用多个具有不同光照强度的低压紫外汞灯透过所述光照掩膜板的透光区对所述衬底进行照射。8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述紫外光照射工艺包括：在所述衬底待照射的一侧设置光照掩膜板；采用多个光照强度相同且光照时间不同的低压紫外汞灯，透过所述光照掩膜板的透光区对所述衬底进行照射。9.根据权利要求6-8任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述光照掩膜板与制备所述有源层的掩膜板相同。10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述有源层包括：在所述衬底上形成有机半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：元淼，沈奇雨，许徐飞，占建英，郭海兵，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11