The invention provides an impedance random memory storage unit and a fabrication method and an electronic device. The fabrication method of the resistive random memory storage unit comprises a semiconductor substrate, a laminated structure on the semiconductor substrate, and the stack structure including a first electrode layer and an isolation layer stacked with interstaggered layers; A barrier layer is formed on the side wall of the laminated structure; at least, a second electrode layer is formed on the side wall of the resistive layer, thereby forming a plurality of storage units. The fabrication method of the block storage unit can increase storage density, improve persistence and memory window. The resistive random access memory storage unit and electronic device have similar advantages.
【技术实现步骤摘要】
阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
,具体而言涉及一种阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置。
技术介绍
阻变随机存储器(RRAM)是一种基于阻值变化来记录存储数据信息的非易失性存储器(NVM)器件。近年来,NVM器件由于其高密度、高速度和低功耗的特点,在存储器的发展当中占据着越来越重要的地位。硅基flash存储器作为传统的NVM器件,已被广泛投入到可移动存储器的应用当中。但是,工作寿命、读写速度的不足,写操作中的高电压及尺寸无法继续缩小等瓶颈已经从多方面限制了flash存储器的进一步发展。作为替代,多种新兴器件作为下一代NVM器件得到了业界广泛的关注,这其中包括铁电随机存储器(FeRAM)、磁性随机存储器(MRAM)、相变随机存储器(PCRAM)、导电桥接随机存储器(CBRAM)等。导电桥接随机存储器(CBRAM)的原理是导电细丝处于固态电解质/金属氧化物中(写入)或通过施加的偏置电压使导电细丝破裂(擦除)。如铜和银一样可氧化的电极提供了组成绝缘电解质中导电细丝的金属离子的来源,例如使用银阳极来存储离子,锗硫化物玻璃作为电解质,阴极则是惰性钨材料。如图1A和图1B导电桥接随机存储器的存储单元100的一般包括下电极10、电介质开关层11和上电极12,导电桥接随机存储单元及存储器一般采用十字交叉结构(crossbar),示例性地,下电极沿10纵向布置,上电极12沿横向布置,二者交叉的地方在二者之间形成电介质开关层11。目前导电桥接随机存储器的研究主要集中如何改善存储器窗口范围、持久性和存储密度。因此,需要提出一种新 ...
【技术保护点】
1.一种阻变随机存储器存储单元的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成层叠结构,所述层叠结构包括交错层叠的第一电极层和隔离层;在所述层叠结构的侧壁上形成阻变层;至少在所述阻变层的侧壁上形成第二电极层,从而形成多个存储单元。
【技术特征摘要】
1.一种阻变随机存储器存储单元的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成层叠结构,所述层叠结构包括交错层叠的第一电极层和隔离层;在所述层叠结构的侧壁上形成阻变层;至少在所述阻变层的侧壁上形成第二电极层,从而形成多个存储单元。2.根据权利要求1所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法,其特征在于,所述阻变层包括第一金属氧化物层和相对所述层叠结构位于所述第一金属氧化物层外侧的第二金属氧化物层。3.根据权利要求1所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法,其特征在于,所述层叠结构上设置有两个以上的沿第一方向间隔布置的所述第二电极层,所述第一方向与所述层叠结构的堆叠方向垂直,并平行于所述阻变层。4.根据权利要求3所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法,其特征在于,至少在所述阻变层的侧壁上形成第二电极层的步骤包括:在所述层叠结构顶部、所述阻变层的侧壁和所述半导体衬底的表面上形成第二电极材料层;对所述第二电极材料层进行图形化以至少在所述侧壁上形成沿所述第一方向间隔布置的所述第二电极层。5.根据权利要求1所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法,其特征在于,所述层叠结构的数量为两个以上,并沿第二方向间隔排列;所述第二电极层覆盖所述层叠结构的顶部、所述阻变层的侧壁,以及所述半导体衬底的表面;相邻的所述层叠结构上的位于沿所述第二方向延伸的同一直线上的所述第二电极层彼此电性连接。6.根据权利要求1-5中的任意一项所述的阻变随机存储器存储单元的制作...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋以斌,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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