兼容交流耦合电容的射频电路引脚制造技术

本发明专利技术涉及一种兼容交流耦合电容的射频电路引脚，连接在封装引脚和ESD保护电路之间的内芯引脚包括依次堆叠的第一金属层、介质层和第二金属层；介质层包括若干孔位引线；第二金属层的第一端通过孔位引线电连接第一金属层，并与第二金属层的第二端形成分布电容；传统的交流耦合电容是在芯片引脚外部的，本发明专利技术内芯引脚的金属层中设有分布电容，该分布电容能够实现通高频阻低频、通交流阻直流的作用，有效地减少芯片外围器件，节约电子产品的生产制造成本，同时降低芯片内部的ESD保护电路的设计难度；在减少芯片外围器件的同时，保障电子产品的可靠性。

RF circuit pins compatible with AC coupling capacitance

The invention relates to a radio frequency circuit pin compatible with AC coupling capacitance. The inner core pins of the package pin and the ESD protection circuit include the first metal layer, the medium layer and the second metal layer stacked in turn; the medium layer includes a number of hole position leads, and the first end of the second metal layer connects the first gold through the hole position lead wire. The distribution capacitance is formed by the layer and the second end of the second metal layer. The traditional AC coupling capacitance is external to the chip pin. The metal layer of the inner core pin of the invention has distributed capacitance. The distributed capacitance can realize the function of high frequency resistance to low frequency and through alternating current resistance, effectively reducing the peripheral devices of the chip and saving the device. The production cost of electronic products reduces the difficulty of designing the ESD protection circuit inside the chip, and ensures the reliability of the electronic products while reducing the peripheral devices of the chip.

【技术实现步骤摘要】
兼容交流耦合电容的射频电路引脚
本专利技术涉及射频天线引脚电路领域，特别是涉及一种兼容交流耦合电容的射频电路引脚。
技术介绍
目前，越来越多的电子产品已经完成了小型化、微型化甚至芯片化，尤其是电子通讯产品，诸如Wi-Fi(WIreless-Fidelity，无线保真)、蓝牙及其其它射频类的电子产品，做的也越来越精细，使用的芯片集成度越来越高；但是静电干扰却成了芯片首当其冲要解决的要素。通常，会在芯片外部封装引脚处安置交流耦合电容，这样的防护措施能够有效地防止静电干扰射频电路的发送与接收。封装引脚处的交流耦合电容起到阻直流通交流，阻低频通高频的作用。在实现过程中，专利技术人发现传统技术中至少存在如下问题：在无线通信产品要求精细化的情况下，有必要既要保障产品细小，又要保障产品可靠。如果去掉该交流耦合电容，电子产品的可靠性得不到保障，如果不去掉该交流耦合电容，又难以进一步做细做小产品。
技术实现思路
基于此，有必要针对去掉该交流耦合电容，电子产品的可靠性得不到保障，不去掉该交流耦合电容则难以进一步做细做小产品问题，提供一种兼容交流耦合电容的射频电路引脚。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种兼容交流耦合电容的射频电路引脚，包括连接在封装引脚和ESD保护电路之间的内芯引脚；内芯引脚包括依次堆叠的第一金属层、介质层和第二金属层；介质层包括若干孔位引线；第二金属层的第一端通过孔位引线电连接第一金属层，并与第二金属层的第二端形成分布电容；第一金属层通过金属引线连接封装引脚，第二金属层的第二端连接ESD保护电路；或，第二金属层的第二端通过金属引线连接封装引脚，第一金属层连接ESD保护电路。在其中一个实施例中，第二金属层的第一端为第一金属极板，第二金属层的第二端为第二金属极板；第一金属极板以预设间距与第二金属极板形成分布电容；封装引脚、金属引线、第一金属层、孔位引线、第一金属极板、分布电容、第二金属极板以及ESD保护电路在通电时形成电通道；或，ESD保护电路、第一金属层、孔位引线、第一金属极板、分布电容、第二金属极板、金属引线以及封装引脚在通电时形成电通道。在其中一个实施例中，第一金属极板为设有窗口的第一金属框；第二金属极板嵌合于窗口内、且以预设间距与第一金属框内壁形成分布电容。在其中一个实施例中，第一金属框包括连接第一金属框、朝向窗口的第一突出端；第二金属极板设有与第一突出端匹配的第一凹槽；第一凹槽的内槽壁以预设间距与第一突出端配合形成分布电容。在其中一个实施例中，第一金属框为第一矩形金属框。在其中一个实施例中，第一矩形金属框包括连接第一矩形金属框的内角、朝向窗口的第二突出端；第二金属极板设有与第二突出端匹配的第二凹槽；第二凹槽的内槽壁以预设间距与第一突出端配合形成分布电容。在其中一个实施例中，第一金属框设有连通窗口的开口；第二金属极板通过开口连接ESD保护电路；或，第二金属极板通过开口连接金属引线。在其中一个实施例中，第二金属极板为设有窗口的第二金属框；第一金属极板嵌合于窗口内、且以预设间距与第二金属框内壁形成分布电容。在其中一个实施例中，第二金属框包括连接第二金属框、朝向窗口的第三突出端；第一金属极板设有与第三突出端匹配的第三凹槽；第三凹槽的内槽壁以预设间距与第三突出端配合形成分布电容。在其中一个实施例中，第二金属框为第二矩形金属框。在其中一个实施例中，第二矩形金属框包括连接第二矩形金属框的内角、朝向窗口的第四突出端；第一金属极板设有与第四突出端匹配的第四凹槽；第四凹槽的内槽壁以预设间距与第四突出端配合形成分布电容。在其中一个实施例中，孔位引线的第一端沿第一金属极板的边缘间隔排布；孔位引线的轴向垂直于介质层的平面。在其中一个实施例中，内芯引脚还包括若干个堆叠在第二金属层下的功能层，功能层为介质层和第二金属层以预设层叠顺序依次堆叠形成的；预设层叠顺序为介质层堆叠在第二金属层之上。上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：连接在封装引脚和ESD保护电路之间的内芯引脚包括依次堆叠的第一金属层、介质层和第二金属层；介质层包括若干孔位引线；第二金属层的第一端通过孔位引线电连接第一金属层，并与第二金属层的第二端形成分布电容；该分布电容能够实现通高频阻低频，通交流阻直流的作用，有效地减少芯片外围器件，节约电子产品的生产制造成本，同时降低芯片内部的ESD保护电路的设计难度；在减少芯片外围器件的同时，保障电子产品的可靠性。附图说明通过附图中所示的本专利技术的优选实施例的更具体说明，本专利技术的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1为传统的防静电射频保护电路的结构示意图；图2为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第一示意性结构图；图3为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第二示意性结构图；图4为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第三示意性结构图；图5为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第一示意性内芯引脚布局结构图；图6为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第二示意性内芯引脚布局结构图；图7为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第三示意性内芯引脚布局结构图；图8为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第四示意性内芯引脚布局结构图；图9为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第五示意性内芯引脚布局结构图；图10为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第六示意性内芯引脚布局结构图；图11为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第七示意性内芯引脚布局结构图；图12为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第八示意性内芯引脚布局结构图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的首选实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面。需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“嵌合”、“匹配”、“配合”、“第一端”、“第二端”以及类似的表述只是为了说明的目的。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。目前，电子产品越来越小的条件，除了优化电路设计减少元器件，采用体积较小的贴片元器件外，还有就是将必要的电子元器件尽可能地集成到芯片内部中，减少芯片外围电子器件的布局。与此同时，虽然芯片集成度越来越高了，但是静电干扰却成了芯片首当其冲要解决的要素。通常，在触摸到芯片引脚时，或者芯片工作时，都会产生几千伏甚至上万伏的静电，轻者会干扰射频天线的发送与接收，重者会破坏芯片内部电路结构。为此，在芯片防静电措施上，通常会在芯片内部的内芯引脚处设置ESD(Electro-Staticdischarge，静电释放本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种兼容交流耦合电容的射频电路引脚，其特征在于，包括连接在封装引脚和ESD保护电路之间的内芯引脚；所述内芯引脚包括依次堆叠的第一金属层、介质层和第二金属层；所述介质层包括若干孔位引线；所述第二金属层的第一端通过所述孔位引线电连接所述第一金属层，并与所述第二金属层的第二端形成分布电容；所述第一金属层通过金属引线连接所述封装引脚，所述第二金属层的第二端连接所述ESD保护电路；或，所述第二金属层的第二端通过金属引线连接所述封装引脚，所述第一金属层连接所述ESD保护电路。

【技术特征摘要】
1.一种兼容交流耦合电容的射频电路引脚，其特征在于，包括连接在封装引脚和ESD保护电路之间的内芯引脚；所述内芯引脚包括依次堆叠的第一金属层、介质层和第二金属层；所述介质层包括若干孔位引线；所述第二金属层的第一端通过所述孔位引线电连接所述第一金属层，并与所述第二金属层的第二端形成分布电容；所述第一金属层通过金属引线连接所述封装引脚，所述第二金属层的第二端连接所述ESD保护电路；或，所述第二金属层的第二端通过金属引线连接所述封装引脚，所述第一金属层连接所述ESD保护电路。2.根据权利要求1所述的兼容交流耦合电容的射频电路引脚，其特征在于，所述第二金属层的第一端为第一金属极板，所述第二金属层的第二端为第二金属极板；所述第一金属极板以预设间距与所述第二金属极板形成所述分布电容；所述封装引脚、所述金属引线、所述第一金属层、孔位引线、第一金属极板、所述分布电容、所述第二金属极板以及所述ESD保护电路在通电时形成电通道；或，所述ESD保护电路、所述第一金属层、孔位引线、第一金属极板、所述分布电容、所述第二金属极板、所述金属引线以及所述封装引脚在通电时形成电通道。3.根据权利要求2所述的兼容交流耦合电容的射频电路引脚，其特征在于，所述第一金属极板为设有窗口的第一金属框；所述第二金属极板嵌合于所述窗口内、且以所述预设间距与所述第一金属框内壁形成所述分布电容。4.根据权利要求3所述的兼容交流耦合电容的射频电路引脚，其特征在于，所述第一金属框包括连接所述第一金属框、朝向所述窗口的第一突出端；所述第二金属极板设有与所述第一突出端匹配的第一凹槽；所述第一凹槽的内槽壁以所述预设间距与所述第一突出端配合形成所述分布电容。5.根据权利要求3所述的兼容交流耦合电容的射频电路引脚，其特征在于，所述第一金属框为第一矩形金属框。6.根据权利要求5所述的兼容交流耦合电容的射频电路引脚，其特征在于，所述第一矩形金属框包括连接所述第一矩形金属框的内角、朝向所述窗口...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄海涛，
申请(专利权)人：珠海市杰理科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44