触摸传感器及其制造方法技术

技术编号:18496450 阅读:18 留言:0更新日期:2018-07-21 19:52
本发明专利技术涉及具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器及其制造方法。该方法包括:将包含基底膜和形成在基底膜上的触摸传感器层的触摸传感器提供至退火室;以及在退火室中对触摸传感器实施退火工序,其中构成触摸传感器层的透明电极单元的厚度为35nm~150nm。根据本发明专利技术,通过优化影响触摸传感器的耐久性和光学特性的透明电极的厚度和退火条件,从而能够同时提高触摸传感器的柔性和耐久性,并且使触摸传感器的光学特性的降低最小化。

Touch sensor and its manufacturing method

The invention relates to a touch sensor with improved durability and optical properties and a manufacturing method thereof. The method includes: the touch sensor which includes the basement membrane and the touch sensor layer formed on the basement membrane is provided to the annealing chamber; and the annealing process is performed on the touch sensor in the annealing chamber, in which the thickness of the transparent electrode unit of the touch sensor layer is 35nM to 150nm. According to the invention, by optimizing the thickness and annealing conditions of the transparent electrode that affects the durability and optical properties of the touch sensor, the flexibility and durability of the touch sensor can be improved at the same time, and the reduction of the optical characteristics of the touch sensor is minimized.

【技术实现步骤摘要】
触摸传感器及其制造方法
本专利技术涉及具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器。更具体地,本专利技术涉及触摸传感器及其制造方法,其通过优化影响触摸传感器的耐久性和光学特性的透明电极单元的厚度和退火条件,从而能够同时提高触摸传感器的柔性和耐久性,并且使触摸传感器的光学特性的降低最小化。
技术介绍
通常,触摸传感器是为了检测触摸点而配置的装置,当使用者通过手指或触摸笔触摸显示在屏幕上的图像时所述触摸点会对触摸产生响应。触摸传感器通常以覆盖液晶显示器(LCD)或有机发光二极管(OLED)等显示装置的方式制造。近年来,对于柔性显示装置和触摸传感器的研究快速进展,通过使用聚合物膜而非玻璃基板可以将其制造得更薄、更轻且可弯曲。另一方面,在提高触摸传感器的柔性和光学特性的工艺中应用了减小作为触摸传感器的组件的透明电极的厚度的方法。然而,根据该方法,触摸传感器的耐久性可能降低而导致裂纹。与此相对,可能存在增加透明电极的厚度以提高触摸传感器的耐久性的方法。然而,该方法会产生触摸传感器的光学特性(例如透光率)和柔性降低的问题。现有技术文献专利文献1:韩国专利公开第10-2010-0118219号(公开日:2010年11月5日,标题:用于显示面板的柔性基板及其制造方法)专利文献2:韩国专利公开第10-2006-0124940号(公开日:2006年12月6日,标题:制造柔性显示装置的方法)
技术实现思路
技术问题本专利技术的技术目的是提供能够同时提高触摸传感器的耐久性和光学特性的触摸传感器及其制造方法。本专利技术的另一个技术目的是提供如下触摸传感器及其制造方法,即通过优化影响触摸传感器的耐久性和光学特性的透明电极单元的厚度和退火条件,从而能够同时提高触摸传感器的柔性和耐久性,并且使触摸传感器的光学特性的降低最小化。解决问题的方法一种制造具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器的方法,其包括:将包含基底膜和形成在基底膜上的触摸传感器层的触摸传感器提供至退火室;以及在退火室中对触摸传感器实施退火工序,其中构成触摸传感器层的透明电极单元的厚度为35nm~150nm。在根据本专利技术的方法中,在实施退火工序之后,构成触摸传感器层的透明电极单元的伸长率为1.6%~7.0%。在根据本专利技术的方法中,退火工序可以在70℃~170℃的温度下实施。在根据本专利技术的方法中,退火工序的实施时间可以为5分钟~60分钟。在根据本专利技术的方法中,可以在基底膜的露出面和触摸传感器层的露出面中的至少一个露出面上形成保护膜。在根据本专利技术的方法中,基底膜可以具有柔性,并且根据本专利技术的方法可以进一步包括在提供触摸传感器之前,通过在载体基板上形成触摸传感器层并将触摸传感器层转印至基底膜而初始制造触摸传感器。在根据本专利技术的方法中,触摸传感器的初始制造可以包括:在载体基板上形成分离层;在分离层上形成包含透明电极单元的触摸传感器层;将载体基板分离以露出分离层;以及将基底膜与分离层的露出面粘接。在根据本专利技术的方法中,触摸传感器的初始制造可以进一步包括在形成触摸传感器层之前在分离层上形成第一保护层,并且可以在形成触摸传感器层期间将触摸传感器层形成在第一保护层上。在根据本专利技术的方法中,可以以覆盖包括分离层的侧表面在内的所有露出面的方式形成第一保护层。在根据本专利技术的方法中,触摸传感器的初始制造可以进一步包括在形成触摸传感器层之后,在触摸传感器层上形成第二保护层。在根据本专利技术的方法中,触摸传感器的初始制造可以进一步包括在粘接基底膜之后,在基底膜的露出面和触摸传感器层的露出面中的至少一个露出面上形成保护膜。在根据本专利技术的方法中,透明电极单元可以包含氧化铟锡(ITO)。在根据本专利技术的具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器中,构成触摸传感器层的透明电极单元的伸长率为1.6%~7.0%。根据本专利技术的触摸传感器可以进一步包含形成在触摸传感器上的基底膜。在根据本专利技术的触摸传感器中,构成触摸传感器层的透明电极单元的厚度可以为35nm~150nm。根据本专利技术的触摸传感器可以进一步包含形成在基底膜和触摸传感器层之间的分离层。根据本专利技术的触摸传感器可以进一步包含形成在分离层和触摸传感器层之间的第一保护层。根据本专利技术的触摸传感器可以进一步包含形成在上述触摸传感器层的两个表面中的形成有基底膜一面的相反面上的第二保护层。在根据本专利技术的触摸传感器中,透明电极单元可以包含ITO。有益效果根据本专利技术,其有益效果在于提供能够同时提高触摸传感器的耐久性和光学特性的触摸传感器的制造方法。此外,其有益效果在于提供如下触摸传感器的制造方法,即通过优化影响触摸传感器的耐久性和光学特性的透明电极单元的厚度和退火条件,从而能够同时提高触摸传感器的柔性和耐久性,并且使触摸传感器的光学特性的降低最小化。附图说明图1是根据本专利技术的示例性实施方式的具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器的制造方法的工艺流程图。图2~图12是用于说明根据本专利技术的示例性实施方式的具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器的制造方法的截面图。符号说明10:载体基板20:分离层30:第一保护层40:触摸传感器层41、42:透明电极单元41:第一感应图案42:第二感应图案45:绝缘层47:连接图案50:第二保护层70:粘着层80:基底膜92、94:保护膜S10:触摸传感器初始制造工序S20:触摸传感器提供工序S30:退火工序具体实施方式这里公开的对于根据专利技术构思的实施方式的具体结构性或功能性描述仅仅是为了说明根据本专利技术构思的实施方式的目的而例示,因此根据本专利技术构思的实施方式可以以各种形式体现,并不限于这里说明的实施方式。本专利技术的实施方式可以进行各种修改和变更,其具体实施方式已通过实例示于附图中,并且将在后文中详细地述。然而,应该理解的是,其并不旨在将本专利技术限于所公开的特定形式,相反,本专利技术包括落入本专利技术的精神和范围的所有修改、等同物和替代方式。应当理解的是,虽然这里可能使用术语“第一”、“第二”等来说明各种元件,但是这些元件不应被这些术语限制。该术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如,在不脱离本专利技术的范围内,第一元件可以被称为第二元件,并且相似地第二元件也可以被称为第一元件。应当理解的是,当提及将一个元件与另一个元件“连接”或“耦合”时,该元件可以与另一个元件直接连接或耦合,或者也可以存在中间元件。相对地,当提及将一个元件与另一个元件“直接连接”或“直接耦合”时,不存在中间元件。对于用于说明元件之间的关系的其他词语而言应该以相似的方式进行理解(即“介于…之间”对比“直接介于…之间”、“相邻”对比“直接相邻”等)。这里使用的术语仅用于描述特定的实施方式,并且不旨在限定本专利技术。除非另有明确指明,则如这里所使用的那样,单数形式也意指包括复数形式。进一步应当理解的是,术语“包括/包含”在用于本文时是例举所陈述的特征、整体、操作、元件和/或组件的存在,并不排除一个或多个其他特征、整体、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。除非另有定义,这里所使用的所有术语(包括技术和科学术语)均具有与本专利技术所属
的普通技术人员通常所理解的相同的含义。进一步应当理解的是,术语诸如通常使用的字典中所定义的那些,应该被解释为具有与其在相关
中的含义相一致的含义,不应被理解为理想化或过于形式化的意义,本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种制造具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器的方法,所述方法包括:将包含基底膜和形成在所述基底膜上的触摸传感器层的触摸传感器提供至退火室;以及在所述退火室中对所述触摸传感器实施退火工序,其中,构成所述触摸传感器层的透明电极单元的厚度为35nm~150nm。

【技术特征摘要】
2017.01.12 KR 10-2017-00050861.一种制造具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器的方法,所述方法包括:将包含基底膜和形成在所述基底膜上的触摸传感器层的触摸传感器提供至退火室;以及在所述退火室中对所述触摸传感器实施退火工序,其中,构成所述触摸传感器层的透明电极单元的厚度为35nm~150nm。2.根据权利要求1所述的方法,其中,在实施所述退火工序之后,构成触摸传感器层的所述透明电极单元的伸长率为1.6%~7.0%,其中,在所述基底膜的露出面和所述触摸传感器层的露出面中的至少一个露出面上形成保护膜,其中,所述透明电极单元包含氧化铟锡(ITO)。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述退火工序在70℃~170℃的温度下实施,其中,所述退火工序的实施时间为5分钟~60分钟。4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基底膜具有柔性,并且,所述方法进一步包括在提供触摸传感器之前,通过在载体基板上形成触摸传感器层并将所述触摸传感器层转印至所述基底膜而初始制造触摸传感器。5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述触摸传感器的初始制造包括:在所述载体基板上形成分离层;在所述分离层上形成包含透明电极单元的触摸传感器层;将所述载体基板分离以露出所...

【专利技术属性】
技术研发人员:金键朴东必朴容秀
申请(专利权)人:东友精细化工有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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