The invention relates to a metal anchor filling process and a method for the fabrication of a detector. The process includes preparation of a dedicated integrated circuit (ASIC) with a flat surface, which includes a special integrated circuit with a flat surface, a reflection layer, a circuit elicited electrode, and a silicon dioxide processed by a CMP or a silicon dioxide. Silicon nitride layer; making through holes at the position of the circuit lead electrode; sputtering the multilayer metal and metal nitride layer on the ASIC silicon oxide film; depositing a certain thickness of metal aluminum (also tungsten, titanium tungsten, copper and other metals) as filling metals; graphing the filled gold to form metal anchorage and PI CMP process After that, the anchor point is wrapped in PI, and then processed by the rear detector.
【技术实现步骤摘要】
一种金属锚点填充工艺以及热探测器件
本专利技术涉及微机电系统(MEMS:Micro-electromechanicalSystems)
,具体涉及一种金属锚点填充工艺以及热探测器件。
技术介绍
非制冷红外焦平面探测器(Uncooledinfraredfocalplanearraydetector)在军事和民用领域有非常重要的战略地位和作用,目前正广泛应用于汽车、安防、生物医学、电力、军事、航空、警用、森林防火和物联网等
近年来,基于测微辐射热计的非致冷红外探测器技术实现了同CMOS读出电路的大规模或超大规模集成。一个测微辐射热计就是探测器产生的二维图像的一个像元,每一个测微辐射热计的热敏电阻的变化转换为读出电路(ROIC)电信号的变化,并把电信号转换为图像信号进行成像。测微辐射热计的加工属于微机电系统(MEMS:Micro-electromechanicalSystems)领域,是一种基于微电子技术和微加工技术的一种高新
每一个测微辐射热计都有两个锚点(Anchor),在制作微结构时,它不仅可以起到固定支撑三维的MEMS器件的作用,同时也用于探测器与读出电路的连接。非制冷红外探测器实现了和读出电路的集成,随着技术路线的发展和技术革新,非制冷红外探测器的像元(Pixel)大小从35μm-25μm-17μm-14μm—10μm及以下尺寸发展。而当像元尺寸低于17μm时,传统的铝(Al)填充会导致锚点底部金属Al台阶覆盖差及其他技术问题:因为Al台阶覆盖率差,随像元尺寸缩小和深宽比增加,Al的填充能力变差。所以本专利技术方法,就是针对非制冷 ...
【技术保护点】
1.一种金属锚点填充工艺,其特征在于,所述工艺包括如下步骤:步骤1,准备具有平坦化表面的专用集成电路(ASIC),所述具有平坦化表面的专用集成电路包括:专用集成电路(1)、反射层(2)、电路引出电极(3)和经过CMP处理的二氧化硅或氮化硅层(4);步骤2,在电路引出电极(3)的位置制作通孔(5);步骤3,在所述ASIC的氧化硅薄膜上溅射多层金属和金属氮化物层;步骤4,沉积一定厚度的金属作为填充金属(6);步骤5,图形化所述填充金属(6)以形成金属锚点。
【技术特征摘要】
1.一种金属锚点填充工艺,其特征在于,所述工艺包括如下步骤:步骤1,准备具有平坦化表面的专用集成电路(ASIC),所述具有平坦化表面的专用集成电路包括:专用集成电路(1)、反射层(2)、电路引出电极(3)和经过CMP处理的二氧化硅或氮化硅层(4);步骤2,在电路引出电极(3)的位置制作通孔(5);步骤3,在所述ASIC的氧化硅薄膜上溅射多层金属和金属氮化物层;步骤4,沉积一定厚度的金属作为填充金属(6);步骤5,图形化所述填充金属(6)以形成金属锚点。2.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述步骤1包括如下子步骤:步骤11,在ASIC(1)上依次沉积TEOS层、Ti/TiN层和金属层;步骤12,使用光刻刻蚀工艺对所述TEOS层、Ti/TiN层和金属层处理以得到反射层(2)和电路引出电极(3);步骤13,在所述ASIC(1)、反射层(2)和电路引出电极(3)上沉积二氧化硅或氮化硅层(4),并使用CMP工艺进行平坦化处理,以形成具有平坦化表面的专用集成电路。3.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述步骤5之后还进一步包括如下步骤:步骤6,在填充金属层(6)图形化后露出的氮化硅或者氧化硅薄膜上旋涂牺牲层(7),并在所述牺牲层(7)固化后进行PICMP工艺。4.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述PICMP工艺的终点是填充金属层(6)的顶端。5.一种具有金属填充锚点的专用集成电路结构,其特征在于,所述结构包括:位于底层的专用集成电路(1),位于所述专用集成电路上的反射层(2)和电路引出电极(3);覆盖所述专用集成电路(1)、反射层(2)和电路引出电极(3)上,并经过CMP处理的二氧化硅或氮化硅层(4);透过所述二氧化硅或氮化硅层(4),并在所述电路引出电极(3)截止的通孔(5);通过填充所述通孔(5),并在对应电路引出电极(3)位置图形化的金属锚点。6.根据权利要求5所述的结构,其特征在于,所述金属锚点之间填充有牺牲层(7),所述牺牲层与所述金属锚点...
【专利技术属性】
技术研发人员:甘先锋,王杰,王鹏,王宏臣,陈文礼,杨鑫,
申请(专利权)人:烟台艾睿光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:山东,37
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