一种太阳能电池薄膜制造技术

本实用新型专利技术一种太阳能电池薄膜，包括基板、金属层、透明导电层和半导体层，所述基板设置在最底层，所述基板上自下而上依次通过胶合连接有金属层、透明导电层和半导体层，所述金属层为交织的铜丝制成，本实用新型专利技术的半导体层选用GaAs、CuInSe2和CdTe中一种或多种成分组成，GaAs属于III‑V族化合物半导体层，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，CuInSe2材料的能降为1.1 eV，适于太阳光的光电转换，另外，CuInSe2材料不存在光致衰退问题，而且具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，CdTe是Ⅱ‑Ⅵ族化合物半导体，带隙1.5eV，与太阳光谱非常匹配，性能很稳定，最适合于光电能量转换。

A solar cell film

A solar cell film comprises a substrate, a metal layer, a transparent conductive layer and a semiconductor layer. The substrate is arranged at the lowest bottom. The substrate is sequentially connected with a metal layer, a transparent conductive layer and a semiconductor layer from bottom to top. The metal layer is made of interwoven copper wire, and the utility model is a utility model. The semiconductor layer is composed of one or more components of GaAs, CuInSe2 and CdTe. GaAs belongs to the III V compound semiconductor layer, and its energy gap is 1.4eV, which is exactly the value of high absorption solar light. It is suitable for matching with the sun spectrum, and can withstand high temperature, and the energy of CuInSe2 material is 1.1 eV, suitable for the photoelectric conversion of solar light. In addition, the CuInSe2 material has no light induced decline problem, and has the advantages of low price, good performance and simple process. CdTe is a II compound VI compound semiconductor, with the band gap 1.5eV, which is very matched with the solar spectrum, and the performance is very stable. It is most suitable for the photoelectric energy conversion.

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池薄膜
本技术涉及薄膜
，具体为一种太阳能电池薄膜。
技术介绍
随着煤、石油、天然气等能源日益枯竭和环境污染日益加剧,人们迫切需要寻找清洁可再生新能源，作为地球无限可再生的无污染能源—太阳能的应用日益引起人们的关注,将太阳能转化为电能的太阳能电池的研制得到了迅速发展，薄膜太阳能电池是缓解能源危机的新型光伏器件，太阳能电池薄膜是薄膜太阳能电池中最重要的部件，现有的太阳能电池薄膜的半导体层一般选用硅材料，然而硅材料的太阳光的光电转换率较低，而且太阳能电池薄膜的基板一般采用玻璃材料，强度一般，容易发生损坏，为了解决这些问题，我们提出一种太阳能电池薄膜。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种太阳能电池薄膜，解决了
技术介绍
中所提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种太阳能电池薄膜，包括基板、金属层、透明导电层和半导体层，所述基板设置在最底层，所述基板自下而上依次通过胶合连接有金属层、透明导电层和半导体层，所述金属层为交织的铜丝制成。作为本技术的一种优选实施方式，所述半导体层选用GaAs、CuInSe2和CdTe中一种或多种成分组成。作为本技术的一种优选实施方式，所述基板选用玻璃、塑料、陶瓷和石墨组成。作为本技术的一种优选实施方式，所述透明导电层选用经过铯化处理的ITO制成。作为本技术的一种优选实施方式，所述基板内设有加强层，所述加强层为波浪结构，所述加强层选用玻璃纤维、碳纤维、硼纤维、芳纶纤维、碳化硅纤维等复合材料制成。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：1.本技术的半导体层选用GaAs、CuInSe2和CdTe中一种或多种成分组成，GaAs属于III-V族化合物半导体层，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，CuInSe2材料的能降为1.1eV，适于太阳光的光电转换，另外，CuInSe2材料不存在光致衰退问题，而且具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，带隙1.5eV，与太阳光谱非常匹配，性能很稳定，最适合于光电能量转换；2.本技术的基板选用玻璃、塑料、陶瓷和石墨组成，取材多样，原料丰富而且生产成本低；3.透明导电层选用经过铯化处理的ITO制成，具有光电发射效应，其光电发射稳定，有1.71ua/lm的积分灵敏度,寿命达千小时以上；4.基板内设有加强层，使结构稳定，提高本技术整体强度，增加使用寿命。附图说明图1为本技术一种太阳能电池薄膜结构示意图；图中：1-基板；2-加强层；3-金属层；4-透明导电层；5-半导体层。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术提供一种技术方案：一种太阳能电池薄膜，包括基板1、金属层3、透明导电层4和半导体层5，所述基板1设置在最底层，所述基板1自下而上依次通过胶合连接有金属层3、透明导电层4和半导体层5，所述金属层3为交织的铜丝制成。作为本技术的一种优选实施方式，所述半导体层5选用GaAs、CuInSe2和CdTe中一种或多种成分组成，GaAs属于III-V族化合物半导体层，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，CuInSe2材料的能降为1.1eV，适于太阳光的光电转换，另外，CuInSe2材料不存在光致衰退问题，而且具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，带隙1.5eV，与太阳光谱非常匹配，性能很稳定，最适合于光电能量转换。所述基板1选用玻璃、塑料、陶瓷和石墨组成，取材多样，原料丰富而且生产成本低。所述透明导电层4选用经过铯化处理的ITO制成，具有光电发射效应，其光电发射稳定，有1.71ua/lm的积分灵敏度,寿命达千小时以上。所述基板1内设有加强层2，所述加强层2为波浪结构，所述加强层2选用玻璃纤维、碳纤维、硼纤维、芳纶纤维、碳化硅纤维等复合材料制成，结构稳定，提高本技术整体强度，增加使用寿命。工作原理：太阳光照在半导体层5的p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流，本技术的半导体层5选用GaAs、CuInSe2和CdTe中一种或多种成分组成，光电能量转换率高，发电效果好，基板1内设有加强层2，提高本技术整体强度，增加使用寿命。最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池薄膜，包括基板（1）、金属层（3）、透明导电层（4）和半导体层（5），其特征在于：所述基板（1）设置在最底层，所述基板（1）上自下而上依次通过胶合连接有金属层（3）、透明导电层（4）和半导体层（5），所述金属层（3）为交织的铜丝制成，所述半导体层（5）选用GaAs、CuInSe2、CdTe中一种，所述基板（1）内设有加强层（2），所述加强层（2）为波浪结构。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池薄膜，包括基板（1）、金属层（3）、透明导电层（4）和半导体层（5），其特征在于：所述基板（1）设置在最底层，所述基板（1）上自下而上依次通过胶合连接有金属层（3）、透明...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维兴，
申请(专利权)人：瑞安市鸿日塑胶有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33