The utility model is suitable for the field of semiconductor technology. A diamond Schottky diode is provided, including a first diamond layer, the upper surface of the first diamond layer is provided with second diamond layers and an anode electrode on the lower surface, in which the first diamond layer is a P type heavily doped layer, and the second diamond layer is p. A light doped layer, and the thickness of the first diamond layer is greater than the thickness of the second diamond layer; the second diamond layer is provided with a plurality of grooves; the surface of the groove covers the N type heterostructure and the first metal layer; the surface of the first metal layer and the groove outside the second diamond layer are in the area. The upper surface covers the second metal layer. The utility model can remarkably improve the performance of the device.
【技术实现步骤摘要】
金刚石肖特基二极管
本技术属于半导体
,尤其涉及一种金刚石肖特基二极管。
技术介绍
电力电子系统正在向着更高击穿电压,更小导通损耗的方向发展,对器件提出了更高的要求。其中,二极管器件是电力电子系统中最基本的器件之一。金刚石以其宽禁带、高热导率、高临界击穿电场、低的介电常数以及高的载流子迁移率等优势特性,是制作大功率、高频、高温、低功率损耗电力电子器件的理想材料。传统的肖特基二极管损导通耗大、击穿电压小、反向漏电流大,不能满足日益发展的电力电子系统的需求。
技术实现思路
有鉴于此,本技术实施例提供了一种金刚石肖特基二极管,以解决现有技术中金刚石肖特基二极管性能差的问题。本技术实施例提供了一种金刚石肖特基二极管,包括:第一金刚石层,所述第一金刚石层的上表面设有第二金刚石层,下表面设有阳极电极;其中,所述第一金刚石层为P型重掺杂层,所述第二金刚石层为p型轻掺杂层,且所述第一金刚石层的厚度大于所述第二金刚石层的厚度;所述第二金刚石层中设有多个凹槽;所述凹槽的表面依次覆盖N型异质半导体层和第一金属层;所述第一金属层的表面和所述第二金刚石层凹槽以外区域的上表面覆盖第二金属层。可选的,所述第一金刚石层的厚度为50微米至2000微米,所述第二金刚石层的厚度为5纳米至20微米。可选的,所述第一金刚石层的掺杂浓度为1×2018cm-3至1×2022cm-3,所述第二金刚石层的掺杂浓度为1×2014cm-3至1×2018cm-3。可选的,所述阳极电极包括与所述第一金刚石层形成欧姆接触的第三金属层。进一步的,所述第三金属层由Ti、pt、Au、Ir中的至少一种形成。可选的,所述第二金 ...
【技术保护点】
1.一种金刚石肖特基二极管,其特征在于,包括:第一金刚石层,所述第一金刚石层的上表面设有第二金刚石层,下表面设有阳极电极;其中,所述第一金刚石层为P型重掺杂层,所述第二金刚石层为p型轻掺杂层,且所述第一金刚石层的厚度大于所述第二金刚石层的厚度;所述第二金刚石层中设有多个凹槽;所述凹槽的表面依次覆盖N型异质半导体层和第一金属层;所述第一金属层的表面和所述第二金刚石层凹槽以外区域的上表面覆盖第二金属层。
【技术特征摘要】
1.一种金刚石肖特基二极管,其特征在于,包括:第一金刚石层,所述第一金刚石层的上表面设有第二金刚石层,下表面设有阳极电极;其中,所述第一金刚石层为P型重掺杂层,所述第二金刚石层为p型轻掺杂层,且所述第一金刚石层的厚度大于所述第二金刚石层的厚度;所述第二金刚石层中设有多个凹槽;所述凹槽的表面依次覆盖N型异质半导体层和第一金属层;所述第一金属层的表面和所述第二金刚石层凹槽以外区域的上表面覆盖第二金属层。2.如权利要求1所述的金刚石肖特基二极管,其特征在于,所述第一金刚石层的厚度为50微米至2000微米,所述第二金刚石层的厚度为5纳米至20微米。3.如权利要求1所述的金刚石肖特基二极管,其特征在于,所述第一金刚石层的掺杂浓度为1×2018cm-3至1×2022cm-3,所述第二金刚石层的掺杂浓度为1×2014cm-3至1×2018cm-3。4.如权利要求1所述的金刚石肖特基二极管,其特征在于,所述阳极电...
【专利技术属性】
技术研发人员:周闯杰,王晶晶,蔚翠,何泽召,郭建超,刘庆彬,高学栋,冯志红,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所,
类型:新型
国别省市:河北,13
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