交错式布线结构的功率模块制造技术

本实用新型专利技术涉及一种交错式布线结构的功率模块，包括基板和设于基本上的金属线，所述的金属线包括第一金属线、第二金属线和第三金属线，第一金属线由四个键合点组成，第二金属线由四个键合点组成，第三金属线由四个键合点组成，键合时，先键合第一金属线，再键合第二金属线，后键合第三金属线，所述的第一金属线、第二金属线和第三金属线在水平方向上相互交错，相互交错时的第一金属线、第二金属线和第三金属线的弧度依次增高。本实用新型专利技术键合点按一定的方式排列，键合时按照一定的次序键合，达到节约空间同时不损伤线弧的作用，提高单位面积利用率以及引线抗震动能力。

Power module of staggered wiring structure

The utility model relates to a power module of an interlaced wiring structure, including a base plate and a basic metal line. The metal wire includes a first wire, a second metal wire and a third metal wire. The first metal wire is composed of four bonding points, the second wire is composed of four bonding points, and the third metal line is four. The bonding point consists of the first metal line, the second metal wire and the third wire, the first wire, the second wire and the third wire are interlaced in the horizontal direction, and the radians of the first metal wire, the second metal line and the third metal line are increased in turn. The bonding points of the utility model are arranged in a certain way, and the keys are bonded in a certain order in order to save space and do not damage the line arc at the same time, and improve the utilization rate of unit area and the anti vibration ability of the lead.

【技术实现步骤摘要】
交错式布线结构的功率模块
本技术属于电力电子学领域，涉及功率模块的设计和封装，具体为一种交错式布线结构的功率模块。
技术介绍
功率模块中的绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应管（MOSFET）以及自由轮转二极管（FWD）等功率芯片加上焊料通过真空回流后贴装到DBC或是DBA上，再通过金属线将芯片和外部电路连接在一起，同时需要留出足够的空间用于下一步焊接功率端子和信号引线。功率模块在较恶劣的条件下工作时，震动会使金属连接线倒向一边，甚至引起模块短路。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种能够在较小空间内键合的交错式布线方法，解决功率模块在较恶劣的条件下工作时，震动会使金属连接线倒向一边，甚至引起模块短路的问题。本技术的技术方案为：一种交错式布线结构的功率模块,包括基板和设于基本上的金属线，所述的金属线包括第一金属线、第二金属线和第三金属线，第一金属线由b11、b12、b13、b14四个键合点组成，第二金属线由b21、b22、b23、b24四个键合点组成，第三金属线由b31、b32、b33、b34四个键合点组成，键合时，先键合第一金属线，再键合第二金属线，后键合第三金属线，所述的第一金属线、第二金属线和第三金属线在水平方向上相互交错，相互交错时的第一金属线、第二金属线和第三金属线的弧度依次增高。所述的弧度依次增高是指，键合点b12和b13的弧度低于b22和b23的弧度，键合点b22和b23的弧度低于b32和b33的弧度，设置键合点b13和b14的弧度低于b23和b24的弧度，键合点b23和b24的弧度低于b33和b34的弧度。所述的键合点在竖直方向上的设置为：键合点b11高于键合点b21，键合点b21高于键合点b31，键合点b12高于键合点b22，键合点b22高于键合点b32，键合点b33高于键合点b23，键合点b23高于键合点b13，键合点b14高于键合点b24，键合点b24高于键合点b34。所述的金属线的直径大于等于5mil(127um)。金属线的成分为纯铜、纯铝。金属线被连续的键合在芯片和引出端上。金属线弧度在高度方向相互叠加。相互叠加时的金属线相互接触。本技术的有益效果为：一种用于解决引线分布密集、引线直径较大、可键合区域较小的功率模块交错式布线方法。键合点按一定的方式排列，键合时按照一定的次序键合，达到节约空间同时不损伤线弧的作用，提高单位面积利用率以及引线抗震动能力。附图说明图1为本技术的布线图。图2为传统的布线图。具体实施方式：如图1所示，一种交错式布线结构的功率模块,包括基板和设于基本上的金属线，所述的金属线包括第一金属线1、第二金属线2和第三金属线3，第一金属线1由b11、b12、b13、b14四个键合点组成，第二金属线2由b21、b22、b23、b24四个键合点组成，第三金属线3由b31、b32、b33、b34四个键合点组成，键合时，先键合第一金属线1，再键合第二金属线2，后键合第三金属线3，所述的第一金属线1、第二金属线2和第三金属线3在水平方向上相互交错，相互交错时的第一金属线1、第二金属线2和第三金属线3的弧度依次增高。所述的弧度依次增高是指，键合点b12和b13的弧度低于b22和b23的弧度，键合点b22和b23的弧度低于b32和b33的弧度，设置键合点b13和b14的弧度低于b23和b24的弧度，键合点b23和b24的弧度低于b33和b34的弧度。所述的键合点在竖直方向上的设置为：键合点b11高于键合点b21，键合点b21高于键合点b31，键合点b12高于键合点b22，键合点b22高于键合点b32，键合点b33高于键合点b23，键合点b23高于键合点b13，键合点b14高于键合点b24，键合点b24高于键合点b34。所述的金属线的直径大于等于5mil(127um)。金属线的成分为纯铜、纯铝。金属线被连续的键合在芯片和引出端上。金属线弧度在高度方向相互叠加。相互叠加时的金属线相互接触。一种交错式布线结构的功率模块的布线方法,所述的方法为金属线是按照一定的方式排布，键合时按照一定次序键合的布线方法。包括基板和设于基本上的金属线，所述的金属线包括第一金属线、第二金属线和第三金属线，第一金属线由b11、b12、b13、b14四个键合点组成，第二金属线由b21、b22、b23、b24四个键合点组成，第三金属线由b31、b32、b33、b34四个键合点组成，键合时，先键合第一金属线，再键合第二金属线，后键合第三金属线，所述的第一金属线、第二金属线和第三金属线在水平方向上相互交错，相互交错时的第一金属线、第二金属线和第三金属线的弧度依次增高；所述的弧度依次增高是指，键合点b12和b13的弧度低于b22和b23的弧度，键合点b22和b23的弧度低于b32和b33的弧度，设置键合点b13和b14的弧度低于b23和b24的弧度，键合点b23和b24的弧度低于b33和b34的弧度；所述的键合点在竖直方向上的设置为：键合点b11高于键合点b21，键合点b21高于键合点b31，键合点b12高于键合点b22，键合点b22高于键合点b32，键合点b33高于键合点b23，键合点b23高于键合点b13，键合点b14高于键合点b24，键合点b24高于键合点b34；这样设置外部引出端和金属线的距离被拉开，使得金属线和外部引出端的距离较远，在外部剧烈震动的情况不容易引起模块短路。本技术的设计使得外部引出端T1和T2和金属线的距离被拉开，金属线和外部引出端的距离较远，在外部剧烈震动的情况不容易引起模块短路。如图2所示的传统的布线方式，金属线间相互平行，金属线和外部引出端的距离较进，在外部剧烈震动的情况下容易引起模块短路。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种交错式布线结构的功率模块,其特征在于：包括基板和设于基板上的金属线，所述的金属线包括第一金属线、第二金属线和第三金属线，第一金属线由b11、b12、b13、b14四个键合点组成，第二金属线由b21、b22、b23、b24 四个键合点组成，第三金属线由b31、b32、b33、b34四个键合点组成，键合时，先键合第一金属线，再键合第二金属线，后键合第三金属线，所述的第一金属线、第二金属线和第三金属线在水平方向上相互交错，相互交错时的第一金属线、第二金属线和第三金属线的弧度依次增高;所述的弧度依次增高是指，键合点b12和b13的弧度低于b22和b23的弧度，键合点b22和b23的弧度低于b32和b33的弧度，设置键合点b13和b14的弧度低于b23和b24的弧度，键合点b23和b24的弧度低于b33和b34的弧度;所述的键合点在竖直方向上的设置为：键合点b11高于键合点b21，键合点b21高于键合点b31，键合点b12高于键合点b22，键合点b22高于键合点b32，键合点b33高于键合点b23，键合点b23高于键合点b13，键合点b14高于键合点b24，键合点b24高于键合点b34。

【技术特征摘要】
1.一种交错式布线结构的功率模块,其特征在于：包括基板和设于基板上的金属线，所述的金属线包括第一金属线、第二金属线和第三金属线，第一金属线由b11、b12、b13、b14四个键合点组成，第二金属线由b21、b22、b23、b24四个键合点组成，第三金属线由b31、b32、b33、b34四个键合点组成，键合时，先键合第一金属线，再键合第二金属线，后键合第三金属线，所述的第一金属线、第二金属线和第三金属线在水平方向上相互交错，相互交错时的第一金属线、第二金属线和第三金属线的弧度依次增高;所述的弧度依次增高是指，键合点b12和b13的弧度低于b22和b23的弧度，键合点b22和b23的弧度低于b32和b33的弧度，设置键合点b13和b14的弧度低于b23和b24的弧度，键合点b23和b24的弧度低于b33和b34的弧度;所述的键合点在竖直方向上...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丽芳，
申请(专利权)人：李丽芳，
类型：新型
国别省市：浙江,33