The utility model provides a transient voltage suppressor with a positive metal as silver, which comprises a chip body, the front metal layer of the chip body is made of aluminum copper or aluminum silicon copper, and the back metal layer is made of titanium nickel silver, in which the metal layer is attached to the front metal layer and the additional gold layer is made of titanium nickel silver. The thickness of silver in the positive titanium nickel silver is more than 3 u m. The surface of the additional metal layer is connected to the front pole plate by pressure welding, and the surface of the back metal layer is connected to the back electrode plate by pressure welding. The front metal of the transient voltage suppressor is titanium nickel silver, which can be welded directly with the plate by welding tin. The contact area is larger, and the contact is better. The parasitic capacitance is small.
【技术实现步骤摘要】
一种正面金属为银的瞬态电压抑制器
本技术涉及半导体器件，尤其涉及一种正面金属为银的瞬态电压抑制器。
技术介绍
目前市场上的TVS芯片正面金属一般为铝铜(ALCU)和铝硅铜(ALSICU)，封装时通过打线的方式，将正面金属和封装体引脚连接。正面金属铝铜(ALCU)和铝硅铜(ALSICU)存在以下不足之处：1、芯片与引脚间的串联电阻高；2、打线容易造成芯片内部损伤；3、连接不牢固，容易造成接触不良；4、寄生电容大。因此，有必要对这种进行结构优化，以克服上述缺陷。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，以保证接触良好，降低寄生电容。本技术为解决其技术问题所采用的技术方案是：一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。正面钛镍银中银的厚度大于3μm。附加金属层表面通过压焊连接正面极板，背面金属层表面通过压焊连接背面极板。本技术的优点在于：该瞬态电压抑制器的正面金属为钛镍银，可以通过焊锡直接与极板压焊在一起，接触面积较大，能起到更好的接触，寄生电容较小。附图说明图1是本技术提出的瞬态电压抑制器的结构示意图；图2是该瞬态电压抑制器的制作工艺流程图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合图示与具体实施例，进一步阐述本技术。如图1所示，本技术提出的正面金属为银的瞬态电压抑制器包括芯片本体1，芯片本体的正面金属层2采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层3采用钛镍银制作，其中，正面金属...
【技术保护点】
1.一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其特征在于，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。
【技术特征摘要】
1.一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其特征在于，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。2.根据权利要求1所述的一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，余晓明，
申请(专利权)人：深圳傲威半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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