半导体封装结构制造技术

本申请涉及半导体封装领域，公开了一种半导体封装结构。该结构包括：并排排列的第一芯片和第二芯片，之间形成一并排间隙；封装罩，具有第三安装面以及由第三安装面凹入的第一空腔和第二空腔，第一芯片容置于第一空腔内，第二芯片容置于第二空腔内，第一空腔与第一芯片之间具有第一间隙，第二空腔与第二芯片之间具有第二间隙；导热介质，填充于第一间隙和第二间隙；重布线层，包括第一扇入焊盘、第二扇入焊盘及外接焊盘，第一扇入焊盘接合于第一接点并经由第一扇出线路连接至对应的外接焊盘，第二扇入焊盘接合于第二接点并经由第二扇出线路连接至对应的外接焊盘，重布线层还包括至少一内互连线路，连接第一扇入焊盘与第二扇入焊盘。

Semiconductor packaging structure

The application relates to the field of semiconductor encapsulation, and discloses a semiconductor packaging structure. The structure consists of a parallel arrangement of a first chip and a second chip, which forms a parallel gap between the third mounting surfaces, the first cavity and the second cavity in which the third mounting surface is concave, the first chip is placed in the first cavity, the second chip is housed in the second cavity, the first cavity and the first chip. There is a first gap between the second cavity and the second chip, which has a second gap; the heat conduction medium is filled with the first gap and the second gap; the rewiring layer, including the first fan pad, the second welding disc and the external welding disc, is joined to the first contact and connected to the corresponding outside by the first fan out line. The weld plate is connected to the second contact and connected to the corresponding external welding plate through the second out line. The rewiring layer also includes at least one inner interconnect line, connecting the first fan and the second welds.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构
本申请涉及半导体封装领域，具体地，涉及一种半导体封装结构。
技术介绍
三维立体封装(3D)是在垂直于芯片表面的方向上堆叠，互连两片以上晶粒的封装。其空间占用小，电性能稳定，是一种高级的系统级封装(SIP，System-In-Package)封装技术。目前先进的3D集成是基于晶圆级封装的系统级架构，内部含有多种器件的叠层，并经由硅通孔(ThroughSiVia，TSV)在垂直方向(Z方向)相互连接。此外，在封装技术中，致力于缩短封装的芯片与基板上的焊球之间的信号传输距离以及降低形状因素(formfactor)，同时还需要对芯片良好散热。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种半导体封装结构，该半导体封装结构具有更好的散热效果。为了实现上述目的，在本申请的一个方面，提供一种半导体封装结构，包括：并排排列的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片具有第一安装面以及多个显露在所述第一安装面的第一接点，所述第二芯片具有第二安装面以及多个显露在所述第二安装面的第二接点，所述第一芯片和所述第二芯片之间形成一并排间隙；封装罩，具有第三安装面以及由所述第三安装面凹入的第一空腔和第二空腔，所述第三安装面对齐于所述第一安装面和所述第二安装面，所述第一芯片容置于所述第一空腔内，所述第二芯片容置于所述第二空腔内，所述第一空腔与所述第一芯片之间具有第一间隙，所述第二空腔与所述第二芯片之间具有第二间隙；导热介质，填充于所述第一间隙和所述第二间隙，所述导热介质具有填充表面，连接所述第一安装面、所述第二安装面及所述第三安装面，使得所述第一安装面、所述第二安装面及所述第三安装面构成于一连续表面；重布线层，形成于所述连续表面上，所述重布线层包括第一扇入焊盘、第二扇入焊盘及外接焊盘，所述第一扇入焊盘接合于所述第一接点并经由第一扇出线路连接至对应的所述外接焊盘，所述第二扇入焊盘接合于所述第二接点并经由第二扇出线路连接至对应的所述外接焊盘，所述重布线层还包括至少一内互连线路，连接所述第一扇入焊盘与所述第二扇入焊盘。可选地，所述封装罩还具有通道，连通所述第一空腔和所述第二空腔，所述导热介质亦填充于所述通道。可选地，半导体封装结构还可包括第一焊球，植接在所述外接焊盘上。可选地，半导体封装结构还可包括：承载基板，具有第一表面和第二表面，所述承载基板包含位于所述第一表面的互连焊盘、位于所述第二表面的端子焊盘、以及电连接所述互连焊盘和所述端子焊盘的线路，所述互连焊盘与所述第一焊球键合；以及第二焊球，植接在所述端子焊盘上。可选地，所述封装罩还具有与所述第一空腔连通的第一开口和与所述第二空腔连通的第二开口，以供所述导热介质的填入。可选地，所述第一开口或所述第二开口的形状可包括椭圆形、圆形、方形、棱形中的任意一者。可选地，所述第一扇出线路、所述第二扇出线路和所述内互连线路中的任意一者具有小于15微米的线宽/线距。可选地，所述封装罩可包含硅封装罩。可选地，所述第一间隙和所述第二间隙的宽度范围介于10微米至100微米，使得所述第一芯片和所述第二芯片不直接接触所述封装罩。通过上述技术方案，导热介质围绕芯片四周，能有效将芯片工作时产生的热快速散去。本申请的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：图1是根据本申请的一实施方式的半导体封装结构的剖视图；图2是根据本申请的进一步实施方式的半导体封装结构的剖视图；图3是根据本申请的另一进一步实施方式的半导体封装结构的剖视图；图4是根据本申请的进一步实施方式的半导体封装结构的俯视图；图5示出了在硅晶圆上形成根据本申请的实施方式的半导体封装结构中的封装罩；图6A至图6H示出了根据本申请的一实施方式的用于制造半导体封装结构的方法在执行每个步骤之后得到的结构的示意图。附图标记说明100半导体封装结构110第一芯片111第一安装面112第一接点113第一钝化层114并排间隙120第二芯片121第二安装面122第二接点123第二钝化层130封装罩131第三安装面132第一空腔133第二空腔134第一间隙135第二间隙136第一开口137第二开口138通道140导热介质141填充表面150重布线层151第一表面152第二表面153第一扇入焊盘154第二扇入焊盘155外接焊盘156a第一扇出线路156b第二扇出线路156c内互连线路157第一焊球160承载基板161第一表面162第二表面163互连焊盘164端子焊盘165线路166第二焊球167阻焊层200载板210胶带具体实施方式以下结合附图对本申请的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上面/之上、下面/之下、左边/左侧、右边/右侧”通常是指参照附图所示的上、下、左、右。“内、外”通常是指相对于各部件本身轮廓的内、外。在本申请中如果使用术语“芯片的正面”、“芯片的有源面”、“芯片的第一表面”，则其可以指具有集成电路的表面；在本申请中如果使用术语“芯片的背面”、“芯片的第二表面”，则其可以指与“芯片的正面”、“芯片的有源面”、“芯片的第一表面”相反的表面。在附图中，示出的形状根据制造工艺和/或容差可以有变形。因此，本申请的示例性实施方式不限于附图中示出的特定形状，且可以包括在制造过程中造成的形状改变。此外，附图中的不同元件和区域只是示意性示出，因此本申请不限于附图中示出的相对尺寸或距离。图1是根据本申请的一实施方式的半导体封装结构100的剖视图。参考图1，根据本申请的实施方式的半导体封装结构100可以包括第一芯片110和第二芯片120。第一芯片110和第二芯片120可以并排排列。第一芯片110可以具有第一安装面111以及多个显露在第一安装面111的第一接点112。例如，第一安装面111可以是第一芯片110的有源面，第一接点112可以是第一芯片焊盘。另外，在第一安装面111上的第一芯片焊盘1以外的区域可以覆盖有第一钝化层113。第一钝化层113的种类可以包括但不限于无机玻璃和有机高分子。无机玻璃的材料可以包含但不限于，氧化物(例如，SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、Fe2O3、SixOy)、硅酸盐(例如，PSG、BSG、BPSG)、氮化物(例如，Si3N4、SixNyH、BN、AlN、GaN)。有机高分子的材料可以包含但不限于，合成树脂(例如，聚酰亚胺类树脂、聚硅氧烷类树脂)、合成橡胶(例如，硅酮橡胶)。第二芯片120可以具有第二安装面121以及多个显露在第二安装面121的第二接点122。例如，第二安装面121可以是第二芯片120的有源面，第二接点122可以是第二芯片焊盘。另外，在第二安装面121上的第二芯片焊盘以外的区域可以覆盖有第二钝化层123。第二钝化层123的种类可以包括但不限于无机玻璃和有机高分子。无机玻璃的材料可以包含但不限于氧化物(例如，SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、Fe2O3、SixOy)、硅酸盐(例如，PSG、BSG、BPSG)、氮化物(例如，Si3N4、Six本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：并排排列的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片具有第一安装面以及多个显露在所述第一安装面的第一接点，所述第二芯片具有第二安装面以及多个显露在所述第二安装面的第二接点，所述第一芯片和所述第二芯片之间形成一并排间隙；封装罩，具有第三安装面以及由所述第三安装面凹入的第一空腔和第二空腔，所述第三安装面对齐于所述第一安装面和所述第二安装面，所述第一芯片容置于所述第一空腔内，所述第二芯片容置于所述第二空腔内，所述第一空腔与所述第一芯片之间具有第一间隙，所述第二空腔与所述第二芯片之间具有第二间隙；导热介质，填充于所述第一间隙和所述第二间隙，所述导热介质具有填充表面，连接所述第一安装面、所述第二安装面及所述第三安装面，使得所述第一安装面、所述第二安装面及所述第三安装面构成于一连续表面；重布线层，形成于所述连续表面上，所述重布线层包括第一扇入焊盘、第二扇入焊盘及外接焊盘，所述第一扇入焊盘接合于所述第一接点并经由第一扇出线路连接至对应的所述外接焊盘，所述第二扇入焊盘接合于所述第二接点并经由第二扇出线路连接至对应的所述外接焊盘，所述重布线层还包括至少一内互连线路，连接所述第一扇入焊盘与所述第二扇入焊盘。...

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：并排排列的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片具有第一安装面以及多个显露在所述第一安装面的第一接点，所述第二芯片具有第二安装面以及多个显露在所述第二安装面的第二接点，所述第一芯片和所述第二芯片之间形成一并排间隙；封装罩，具有第三安装面以及由所述第三安装面凹入的第一空腔和第二空腔，所述第三安装面对齐于所述第一安装面和所述第二安装面，所述第一芯片容置于所述第一空腔内，所述第二芯片容置于所述第二空腔内，所述第一空腔与所述第一芯片之间具有第一间隙，所述第二空腔与所述第二芯片之间具有第二间隙；导热介质，填充于所述第一间隙和所述第二间隙，所述导热介质具有填充表面，连接所述第一安装面、所述第二安装面及所述第三安装面，使得所述第一安装面、所述第二安装面及所述第三安装面构成于一连续表面；重布线层，形成于所述连续表面上，所述重布线层包括第一扇入焊盘、第二扇入焊盘及外接焊盘，所述第一扇入焊盘接合于所述第一接点并经由第一扇出线路连接至对应的所述外接焊盘，所述第二扇入焊盘接合于所述第二接点并经由第二扇出线路连接至对应的所述外接焊盘，所述重布线层还包括至少一内互连线路，连接所述第一扇入焊盘与所述第二扇入焊盘。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装罩还具有通道，...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34