An optoelectronic semiconductor component (100), which includes a semiconductor layer sequence (1), and the semiconductor layer sequence has a first main side, a first layer (10), an active layer (11), a second layer (12) and a second main side. A second contact element (32) and a first contact element (31) are arranged on the second main side, and the first contact element fills the missing part (2) in the semiconductor layer sequence. The first contact element (31) comprises a transparent first intermediate layer (20), a metal first mirror layer (21) and a metal injection element (23). The first intermediate layer (20) is applied to the side wall extending horizontally on the active layer of the empty part and directly contacts with the semiconductor layer sequence (1). The first mirror layer (21) is directly applied to the first middle layer (20) in the area of the side wall. The injection element (23) is directly attached to the bottom of the first layer (10), which is applied directly to the left empty section (2), in which no other metal elements are set between the injection element (23) and the bottom. At runtime, the first intermediate layer (20) prohibits the direct electrical current between the second layers (12) and the first contact element (31). The injection element (23) and the mirror layer (21) have different material compositions.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法相关申请的交叉参引本申请要求德国专利申请102015119353.1的优先权,其公开内容通过参考并入本文。
提出一种光电子半导体组件。此外,提出一种用于制造光电子半导体组件的方法。
技术实现思路
要实现的目的在于:提出一种具有像素化的发光面的光电子半导体组件。在此,发光面的各个像点或像素应对于观察者而言是尤其对比度高的,即清晰地彼此分开。另一要实现的目的在于:提出一种用于制造这种半导体组件的方法。根据至少一个实施方式,光电子半导体组件包括半导体层序列。半导体层序列具有如下以所提出的顺序上下相叠设置的元件:第一主侧、第一层、有源层、第二层和第二主侧。有源层例如基本上平行于第一和/或第二主侧伸展。第一和第二层优选是半导体层并且例如能够分别具有多个单独的半导体层。例如,第一层直接邻接于第一主侧和有源层。第二层优选直接邻接于有源层和第二主侧。第一层例如是n型掺杂的层,第二层是p型掺杂的层。但是相反的掺杂分别是可行的。半导体层序列例如基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如为氮化物化合物半导体材料,如AlnIn1-n-mGamN,或者为磷化物化合物半导体材料,如AlnIn1-n-mGamP,或者也为砷化物化合物半导体材料,如AlnIn1-n-mGamAs,其中分别有0≤n≤1,0≤m≤1并且n+m≤1。在此,半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而,为了简单性仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分,即Al、As、Ga、In、N或P,即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。 ...
【技术保护点】
1.一种光电子半导体组件(100),所述光电子半导体组件具有:‑半导体层序列(1),所述半导体层序列包括如下以所提出的顺序上下相叠设置的元件:第一主侧、第一层(10)、有源层(11)、第二层(12)和第二主侧;‑设置在所述第二主侧上的第一接触元件(31),所述第一接触元件填充所述半导体层序列(1)中的留空部(2),其中所述留空部(2)从所述第二主侧起完全地延伸穿过所述第二层(12)和所述有源层(11),并且通到所述第一层(10)中,‑施加到所述第二主侧上的第二接触元件(32),所述第二接触元件在所述第二主侧的俯视图中横向地设置在所述留空部(2)旁边,其中‑所述第一接触元件(31)具有透明的第一中间层(20)、金属的第一镜层(21)和金属的注入元件(23),‑所述第一中间层(20)施加在所述留空部(2)的横向于所述有源层(11)伸展的侧壁上,并且与所述半导体层序列(1)直接接触,‑所述第一镜层(21)在所述侧壁的区域中直接施加到所述第一中间层(20)上,‑所述注入元件(23)施加到所述留空部(2)的直接邻接于所述第一层(10)的底面上,并且在所述注入元件(23)和所述底面之间不设置有任何 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.10 DE 102015119353.11.一种光电子半导体组件(100),所述光电子半导体组件具有:-半导体层序列(1),所述半导体层序列包括如下以所提出的顺序上下相叠设置的元件:第一主侧、第一层(10)、有源层(11)、第二层(12)和第二主侧;-设置在所述第二主侧上的第一接触元件(31),所述第一接触元件填充所述半导体层序列(1)中的留空部(2),其中所述留空部(2)从所述第二主侧起完全地延伸穿过所述第二层(12)和所述有源层(11),并且通到所述第一层(10)中,-施加到所述第二主侧上的第二接触元件(32),所述第二接触元件在所述第二主侧的俯视图中横向地设置在所述留空部(2)旁边,其中-所述第一接触元件(31)具有透明的第一中间层(20)、金属的第一镜层(21)和金属的注入元件(23),-所述第一中间层(20)施加在所述留空部(2)的横向于所述有源层(11)伸展的侧壁上,并且与所述半导体层序列(1)直接接触,-所述第一镜层(21)在所述侧壁的区域中直接施加到所述第一中间层(20)上,-所述注入元件(23)施加到所述留空部(2)的直接邻接于所述第一层(10)的底面上,并且在所述注入元件(23)和所述底面之间不设置有任何其他的金属元件,-在运行时,所述第一中间层(20)禁止所述第二层(12)和所述第一接触元件(31)之间的直接电通流,-所述第二接触元件(32)的轮廓限定所述半导体组件(100)的在观察所述第一主侧时在运行时发光的像点(4)的形状、位置和大小,-所述注入元件(23)和所述镜层(21)具有不同的材料组成。2.根据权利要求1所述的光电子半导体组件(100),其中-用所述第一镜层(21)覆盖所述留空部(2)的所述侧壁的至少80%,-所述第一镜层(21)在由所述有源层(11)发射的平均波长处的反射率至少为80%,-所述注入元件(23)在由所述有源层(11)发射的平均波长处的反射率最高为50%。3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体组件(100),其中-所述注入元件(23)在所述底面的区域中直接邻接于所述第一层(10)或-在所述底面的区域中,在所述注入元件(23)和所述第一层(10)之间构成透明层,所述透明层直接邻接于所述注入元件(23)和所述第一层(10),并且在由所述有源层(11)发射的平均波长处的透明度至少为80%。4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(100),其中所述第一中间层(20)是第一绝缘层(20),所述第一绝缘层在所述侧壁的区域中禁止所述第一镜层(21)和所述半导体层序列(1)之间的直接电通流。5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(100),其中所述第一中间层(20)是接触层(20),其中-所述接触层(20)在所述第一层(10)的区域中建立所述第一层(10)和所述第一镜层(21)之间的电接触,-所述接触层(20)在所述第二层(12)的区域中在所述第一镜层(21)和所述第二层(12)之间起电绝缘的作用,-所述接触层(20)附加地设置在所述底面和所述注入元件(23)之间。6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(100),其中-所述第二接触元件(32)连贯地构成,-所述有源层(11)在通过所述第二接触元件(32)到所述有源层(11)上的投影限定的区域中连贯地构成。7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(100),所述光电子半导体组件具有多个沿平行于所述第二主侧的横向方向彼此并排地且彼此间隔开地设置的第二接触元件(31,32),其中-每个所述第二接触元件(32)与一个像点(4)一对一地相关联,-所述第二接触元件(32)在运行时能够单独地且彼此独立地操控,使得所述像点(4)能够彼此独立地置于发光,-所述留空部(2)设置在两个相邻的第二接触元件(32)之间的区域中。8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(100),其中至少一个像点(4)与多个第一接触元件(31)相关联,所述第一接触元件冗余地接触相应的所述像点(4)。9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(100),其中所述第一接触元件(31)中的至少一个设置成同时横向邻接于多个相邻的像点(4),并且构成用于同时接触所述多个相邻的像点(4)。10.至少根据权利要求7...
【专利技术属性】
技术研发人员:多米尼克·斯科尔茨,亚历山大·F·普福伊费尔,
申请(专利权)人:欧司朗光电半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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