A light emitting diode device, including: a plurality of nanowires or nanowires on a graphite substrate, the nanowire or the nano cone having a p n or p i n junction, a first electrode contact with the graphite substrate, an optical reflection layer that is in contact with the top of at least part of the nanowire or nano cone, and the light reflection layer is optional. When the second electrode is optional, the second electrode is electrically contact with the top of at least part of the nanowire or nano cone, the second electrode is essential in the case that the light reflection layer does not act as an electrode; the nanowires or nanowires include at least one III semiconducting semiconductor semiconductor; and in use, light is used. The device is emitted in the direction opposite to the light reflecting layer in general.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】纳米线/纳米锥形状的发光二极管及光检测器
本专利技术涉及薄石墨层作为用于生长纳米线或纳米锥的透明基板的用途,该纳米线或纳米锥可形成LED及光检测器,例如,用于可见光或UV光谱中的光的发射或检测的LED及光检测器(特定言之,UVLED及UV光检测器)。该纳米线或纳米锥可设有导电及理想反射性顶部接触电极材料以实现倒装芯片配置。
技术介绍
近几年来,随着纳米技术变为重要工程规则,对半导体纳米结晶(诸如,纳米线及纳米锥)的兴趣愈加强烈。已发现纳米线(一些作者亦称为纳米须、纳米棒、纳米柱、纳米管柱等)于各种电装置(诸如感测器、太阳能电池及发光二极管(LED))中的重要应用。本专利技术涉及(特定言之)分别发射及检测紫外线(UV)光谱中的光的LED及光检测器。该UV光可归类为三个不同波长类型:UV-A:315至400nm,UV-B:280至315,及UV-C:100至280nm。UV-C光(尤其深UV(250至280nm))的应用包括水及空气纯化,及通过通过直接攻击DNA的方式消灭细菌、病毒、原生动物及其他微生物以进行表面消毒。深UV消毒亦于化学选择上提供许多有利之处。深UV消毒不可过量且不产生副产物、毒素或挥发性有机化合物。深UV光非常适用于处理对化学消毒剂变得极具抗性的微生物,因为它们无法对深UV辐射发展免疫力。在卫生领域中,深UV光可有助于消毒医学工具或消灭致命病毒(诸如H1N1及埃博拉(Ebola))。在食品加工中,UV光可有助于增加食品的储架寿命。UV光发射器可应用于消费性电子产品(诸如净水器、空气净化器、牙刷消毒器及其他卫浴产品)中。当前UV发射器是通常基于 ...
【技术保护点】
1.一种发光二极管装置,包括:在石墨基板上生长的多个纳米线或纳米锥,该纳米线或纳米锥具有p‑n或p‑i‑n结,与该石墨基板电接触的第一电极;与该纳米线或纳米锥中的至少一部分的顶部接触的第二电极,可选地,第二电极呈光反射层的形式;其中该纳米线或纳米锥包括至少一个III‑V族化合物半导体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.13 GB 1512231.0;2016.01.05 GB 1600164.61.一种发光二极管装置,包括:在石墨基板上生长的多个纳米线或纳米锥,该纳米线或纳米锥具有p-n或p-i-n结,与该石墨基板电接触的第一电极;与该纳米线或纳米锥中的至少一部分的顶部接触的第二电极,可选地,第二电极呈光反射层的形式;其中该纳米线或纳米锥包括至少一个III-V族化合物半导体。2.如权利要求1所述的发光二极管装置,包括:在石墨基板上生长的多个纳米线或纳米锥,该纳米线或纳米锥具有p-n或p-i-n结,与该石墨基板电接触的第一电极;与该纳米线或纳米锥中的至少一部分的顶部接触或与第二电极接触的光反射层,该第二电极与该纳米线或纳米锥中的至少一部分的顶部电接触,可选地,该光反射层充当该第二电极;可选地,与该纳米线或纳米锥的至少一部分的顶部电接触的第二电极,该第二电极在该光反射层不充当电极的情况下是必不可少的;其中该纳米线或纳米锥包括至少一个III-V族化合物半导体;且其中在使用中,光自该装置以大体上与该光反射层相对的方向发射。3.一种光检测器装置,包括:在石墨基板上生长的多个纳米线或纳米锥,该纳米线或纳米锥具有p-n或p-i-n结,与该石墨基板电接触的第一电极;与该纳米线或纳米锥的至少一部分的顶部接触的第二电极,第二电极可选地呈光反射层的形式;其中该纳米线或纳米锥包括至少一个III-V族化合物半导体;且其中在使用中,光被吸收于该装置中。4.如任何前述权利要求所述的装置,其中该纳米线或纳米锥是通过该石墨基板上的空穴图案化掩膜的空穴来生长的。5.如任何前述权利要求所述的装置,其中该纳米线或纳米锥是外延生长的。6.如任何前述权利要求所述的装置,其中该基板是石墨烯。7.如任何前述权利要求所述的装置,其中该基板的厚度高达20nm。8.如任何前述权利要求所述的装置,其中该基板是具有多达10个原子层的石墨烯。9.如任...
【专利技术属性】
技术研发人员:达萨·L·德赫拉杰,金东彻,比约恩·奥韦·M·菲姆兰,黑尔格·韦曼,
申请(专利权)人:科莱约纳诺公司,挪威科技大学,
类型:发明
国别省市:挪威,NO
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