In the solid-state image pickup element, the sensitivity of near infrared light and the color mixing are mainly improved. The solid-state image pickup element includes a pixel, a light receiving surface side groove and a light receiving surface side shielding member. Multiple projections are formed on the light receiving surface of the pixel in the solid-state image pickup element. In addition, a light receiving surface side groove is formed around a plurality of projecting pixels at the optical receiving surface formed in the solid-state image pickup element. In addition, the light receiving surface side member is buried in the light receiving surface side groove formed around the pixel, and the pixel has a plurality of protuberances formed on the light receiving surface in the solid-state image pickup element. In addition, the photoelectric conversion region of the near-infrared optical pixel is extended to the surface side opposite to the optical receiving surface of the photoelectric conversion region of the visible pixel. Further, a groove is further formed within the pixel opposite the surface of the light receiving surface.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态图像拾取元件、图像拾取装置以及制造固态图像拾取元件的方法
本技术涉及一种固态图像拾取元件、一种图像拾取装置以及一种制造固态图像拾取元件的方法。具体地,本技术涉及假定在低照度下捕获图像的一种固态图像拾取元件和一种图像拾取装置,以及一种制造固态图像拾取元件的方法。
技术介绍
常规地,图像拾取装置包括用于捕获图像数据的固态图像拾取元件。在假定在诸如夜间的低照度下捕获图像的情况下,固态图像拾取元件包括布置的接收红外光的红外(IR)像素和接收可见光的可见光像素。这种固态图像拾取元件经常具有小于可见光量的红外光量,并且因此需要优先提高IR像素的灵敏度。例如,为了提高灵敏度,已经提出了一种具有提供在IR像素的光接收表面上的良好凹凸度的固态图像拾取元件(例如,参考专利文献1)。凹凸度使得光接收表面上的反射率下降并且透射率相对上升,使得与没有提供凹凸度的情况相比,由像素进行光电转换的光量增加并且IR像素的灵敏度提高。引文列表专利文献专利文献1:日本专利申请公开号2010-199289
技术实现思路
本专利技术要解决的问题然而,常规技术存在入射到IR像素上的光可能泄漏到相邻可见光像素中以引起混色的风险。另外,存在IR像素的灵敏度可能由于光泄露无法充分提高的风险。因此,出现混色或灵敏度不足会降低图像质量的问题。另外,在某些情况下,混色或灵敏度不足会对可见光像素造成问题。考虑到这些情况而提出了本技术,并且本技术的目的是提高固态图像拾取元件的灵敏度,从而抑制混色。问题的解决方案为了解决这些问题而提出了本技术,并且本技术的第一方面是一种固态图像拾取元件,包括:像素,其具有形成在光接收 ...
【技术保护点】
1.一种固态图像拾取元件,包含:像素,其具有形成在光接收表面上的多个突起;光接收表面侧沟槽,其是在所述光接收表面处的所述像素周围形成的沟槽;以及光接收表面侧构件,其掩埋在所述光接收表面侧沟槽中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.11 JP 2015-2422611.一种固态图像拾取元件,包含:像素,其具有形成在光接收表面上的多个突起;光接收表面侧沟槽,其是在所述光接收表面处的所述像素周围形成的沟槽;以及光接收表面侧构件,其掩埋在所述光接收表面侧沟槽中。2.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述多个突起的各个代表点之间的间隔为250纳米或更多。3.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述多个突起的各个代表点之间的间隔与平行于所述光接收表面的预定方向上的所述像素大小的除数大体上相同。4.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述多个突起形成在所述光接收表面处的所述像素的部分区域中。5.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述光接收表面侧沟槽的深度为两微米或更多。6.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述光接收表面侧构件包括折射率低于所述像素的构件。7.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述光接收表面侧构件包括金属。8.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述像素包括:被配置成接收红外光的红外光像素;以及被配置成接收可见光的可见光像素。9.根据权利要求8所述的固态图像拾取元件,其中所述多个突起形成在所述红外光像素处。10.根据权利要求8所述的固态图像拾取元件,其中所述多个突起形成在所述红外光像素和所述可见光像素两者处。11.根据权利要求8所述的固态图像拾取元件,进一步包含:近红外光中断滤光器,其被配置成中断来自所述可见光和所述红外光的所述红外光,所述近红外光中断滤光器布置在所述可见光像素和图像拾取透镜之间。12.根据权利要求8所述的固态图像拾取元件,其中所述红外光像素包括被配置成光电转换所述红外光的第一光电转换部分,所述可见光像素包括被配置成光电转换所述可见光的第二光电转换部分,以及所述第一光电转换部分在被认为是向上的朝向图像拾取透镜的方向上在所述第二光电转换部分下方扩展。13.根据权利要求8所述的固态图像拾取元件,其中所述红外光像素包括被配置成光电转换所述光的光电转换部分,以及所述光接收表面侧沟...
【专利技术属性】
技术研发人员:田中晴美,押山到,横川创造,
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。