半导体芯片和电子装置制造方法及图纸

本技术涉及半导体芯片和电子装置，其可抑制包括图像拾取设备的半导体芯片的光学特性的劣化。半导体芯片包括：图像拾取设备；保护图像拾取设备的透明保护构件；布置在图像拾取设备的受光面和保护构件之间的IR截止膜；将IR截止膜和保护构件粘合在一起的粘合层；以及覆盖IR截止膜和粘合层的侧表面的保护膜。本技术可应用于例如图像拾取设备的半导体芯片。

Semiconductor chips and electronic devices

The technology relates to semiconductor chips and electronic devices, which can inhibit deterioration of optical characteristics of semiconductor chips including image pickup devices. Semiconductor chip includes: image pickup equipment; transparent protection component for protecting image pickup equipment; IR cut-off film arranged between the light face and protective components of the image pickup device; adhesive layer that combines the IR cut-off film with the protective component; and a protective film covering the IR cut-off film and the side surface of the adhesive layer. The technology can be applied to semiconductor chips such as image pickup devices.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体芯片和电子装置
本技术涉及半导体芯片和电子装置，且特别是涉及包括图像拾取设备的半导体芯片和电子装置。
技术介绍
照惯例，在包括图像拾取设备的半导体芯片中，它设计成在图像拾取设备和保护图像拾取设备的玻璃基板之间形成涂布型IR截止滤光片(IRCF)(见例如专利文件1)。引用列表专利文件专利文件1：日本专利申请特开号2014-130344
技术实现思路
由本专利技术解决的问题对于涂布型IRCF，通常使用金属络合物材料例如铜络合物，但这种材料容易由于氧化而劣化。然而在专利文件1中所述的专利技术中，假设外部空气通过所提供的粘合剂部分进入，以便将图像拾取设备和玻璃基板一起粘合在图像拾取设备的外周边中，且IRCF被氧化。作为结果，IRCF的遮光性能降低，且半导体芯片的光学特性劣化。此外，因为通常使用具有至少200μm的厚度的玻璃基板，厚度是防止半导体芯片的小型化的因素。本技术鉴于这样的情况被创作，并意欲抑制包括图像拾取设备的半导体芯片的光学特性的劣化。此外，本技术意欲使半导体芯片小型化。对问题的解决方案本技术的第一方面的半导体芯片包括：图像拾取设备；保护图像拾取设备的透明保护构件；布置在图像拾取设备的受光面和保护构件之间的IR截止膜；将IR截止膜和保护构件粘合在一起的粘合层；以及覆盖IR截止膜和粘合层的侧表面的保护膜。保护膜可被制造为进一步覆盖图像拾取设备的侧表面的至少一部分。IR截止膜和粘合层可以每个包括具有粘附性的粘附型IR截止膜，且图像拾取设备和保护构件可经由粘附型IR截止膜而粘合在一起。在IR截止膜中，可分层堆积具有相应的不同遮光波长带的多个IR膜。可在半导体芯片的待焊接的表面上设有具有小于或等于150℃的熔点的金属焊料。反射型IR截止膜可在保护构件的至少一个表面上形成。IR截止膜可以是涂布型。本技术的第二方面的电子装置包括：半导体芯片，其包括图像拾取设备、保护图像拾取设备的透明保护构件、布置在图像拾取设备的受光面和保护构件之间的IR截止膜、将IR截止膜和保护构件粘合在一起的粘合层、以及覆盖IR截止膜和粘合层的侧表面的保护膜；以及处理来自图像拾取设备的信号的信号处理电路。本技术的第三方面的半导体芯片包括：图像拾取设备；保护图像拾取设备的透明保护构件；以及布置在保护构件内部的IR截止膜。保护构件可设置有：第一构件，其包括在图像拾取设备的与受光面侧相对侧的表面上的平面沟槽，IR截止膜布置在平面沟槽中；以及密封沟槽的第二构件，且可进一步提供将IR截止膜和第二构件粘合在一起的粘合层。本技术的第四方面的电子装置包括：半导体芯片，其包括图像拾取设备、保护图像拾取设备的透明保护构件、布置在保护构件内部的IR截止膜；以及处理来自图像拾取设备的信号的信号处理电路。本技术的第五方面的半导体芯片包括：图像拾取设备和贴在图像拾取设备的受光面侧上并保护图像拾取设备的透明树脂膜。树脂膜的厚度可被制造为小于200μm。IR截止膜可布置在树脂膜上。抗反射膜可布置在IR截止膜上。抗反射膜可被制造为进一步围绕树脂膜和IR截止膜的侧表面。衍射光栅可在树脂膜的表面上形成。衍射光栅可设置有狭缝形遮光膜。透明膜可布置在图像拾取设备的芯片上透镜上，透明膜具有小于芯片上透镜的材料的折射率。本技术的第六方面的电子装置包括：半导体芯片，其包括图像拾取设备和贴在图像拾取设备的受光面侧上并保护图像拾取设备的透明树脂膜；以及处理来自图像拾取设备的信号的信号处理电路。在本技术的第一或第二方面中，IR截止膜由图像拾取设备、保护构件和保护膜围绕。在本技术的第三或第四方面中，IR截止膜由保护构件围绕。在本技术的第五或第六方面中，图像拾取设备的受光面由保护膜保护。本专利技术的效果根据本技术的第一到第四方面，可抑制包括图像拾取设备的半导体芯片的光学特性的劣化。根据本技术的第五到第六方面，可实现半导体芯片的小型化。注意，在本说明书中所述的效果仅仅是例子，以及本技术的效果不限于在说明书中所述的效果，且可具有额外的效果。附图说明图1是示意性示出根据本技术的第一实施方式的半导体芯片的配置例子的横截面视图。图2是用于描述制造图1的半导体芯片的方法的图。图3是用于描述制造图1的半导体芯片的方法的图。图4是示意性示出图1的半导体芯片的第一修改的横截面视图。图5是示意性示出图1的半导体芯片的第二修改的横截面视图。图6是示意性示出图1的半导体芯片的第三修改的横截面视图。图7是示意性示出图1的半导体芯片的第四修改的横截面视图。图8是示意性示出图1的半导体芯片的第五修改的横截面视图。图9是示意性示出图1的半导体芯片的第六修改的横截面视图。图10是示意性示出根据本技术的第二实施方式的半导体芯片的配置例子的横截面视图。图11是用于描述制造图10的半导体芯片的方法的图。图12是用于描述制造图10的半导体芯片的方法的图。图13是用于描述制造图10的半导体芯片的方法的图。图14是示意性示出图10的半导体芯片的第一修改的横截面视图。图15是用于描述制造图14的半导体芯片的方法的图。图16是示意性示出图10的半导体芯片的第二修改的横截面视图。图17是示意性示出图10的半导体芯片的第三修改的横截面视图。图18是用于描述制造图17的半导体芯片的方法的图。图19是示意性示出图10的半导体芯片的第四修改的横截面视图。图20是示意性示出图10的半导体芯片的第五修改的横截面视图。图21是示意性示出图10的半导体芯片的第六修改的横截面视图。图22是示意性示出图10的半导体芯片的第七修改的横截面视图。图23是示出本技术应用于的成像装置的实施方式的配置例子的方框图。图24是示出图像传感器的使用例子的图。具体实施方式下文是用于实现本技术的方式的描述(方式在下文中将被称为实施方式)。注意，将以下面的顺序进行该描述。1.第一实施方式2.第一实施方式的修改3.第二实施方式4.第二实施方式的修改5.应用例子<1.第一实施方式>{半导体芯片的配置例子}图1是示意性示出根据本技术的第一实施方式的半导体芯片10a的配置例子的横截面视图。注意，在下文中，半导体芯片10a的光入射于的侧面被定义为半导体芯片10a的上侧，以及半导体芯片10a的与光入射于的侧面相对的侧面被定义为下侧。此外，在下文中，光入射于的图像传感器11被称为受光面，以及在与受光面相对的侧面上的表面被称为底表面。这也适用于如稍后描述的其它半导体芯片。半导体芯片10a是具有芯片尺寸封装(CSP)结构的半导体芯片，且图像传感器11、IR截止膜12、粘合层13和玻璃14从底部按顺序分层堆积。图像传感器11的类型并不被特别限制。例如，图像传感器11可以是正面照射型或背面照射型。此外例如，图像传感器11可以是CMOS图像传感器、CCD图像传感器或另一类型的图像传感器。IR截止膜12包括例如涂布型IR截止滤光片，其包括金属络合物材料，例如铜络合物。IR截止膜12减小被包含在入射光中的红外光分量并抑制红外光到图像传感器11的入射。提供玻璃14以保护图像传感器11。IR截止膜12和玻璃14经由粘合层13粘合在一起。粘合层13包括例如透明密封树脂或粘合剂。在这里，图像传感器11、IR截止膜12和粘合层13的面积稍微小于玻璃14，且图像传感器11、IR截止膜12和粘合层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体芯片，包括：图像拾取设备；透明保护构件，其保护所述图像拾取设备；IR截止膜，其布置在所述图像拾取设备的受光面和所述保护构件之间；粘合层，其将所述IR截止膜和所述保护构件粘合在一起；以及保护膜，其覆盖所述IR截止膜和所述粘合层的侧表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.03 JP 2015-2364501.一种半导体芯片，包括：图像拾取设备；透明保护构件，其保护所述图像拾取设备；IR截止膜，其布置在所述图像拾取设备的受光面和所述保护构件之间；粘合层，其将所述IR截止膜和所述保护构件粘合在一起；以及保护膜，其覆盖所述IR截止膜和所述粘合层的侧表面。2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述保护膜进一步覆盖所述图像拾取设备的侧表面的至少一部分。3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述IR截止膜和所述粘合层每个包括具有粘附性的粘附型IR截止膜，以及所述图像拾取设备和所述保护构件经由所述粘附型IR截止膜而粘合在一起。4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中在所述IR截止膜中，分层堆积具有相应的不同遮光波长带的多个膜。5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中在所述半导体芯片的待焊接的表面上设有具有小于或等于150℃的熔点的金属焊料。6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中反射型IR截止膜在所述保护构件的至少一个表面上形成。7.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述IR截止膜是涂布型。8.一种电子装置，包括：半导体芯片，其包括：图像拾取设备，透明保护构件，其保护所述图像拾取设备，IR截止膜，其布置在所述图像拾取设备的受光面和所述保护构件之间，粘合层，其将所述IR截止膜和所述保护构件粘合在一起，以及保护膜，其覆盖所述IR截止膜和所述粘合层的侧表面；以及信号处理电路，其处理来自所述图像拾取设备的信号。9.一种半导体芯片，包括：图像拾取设备；透明保护构件，其保护所述图像拾取设备；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木直人，大冈丰，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP