Inductors with multiple coils and semiconductor devices integrated with such inductors are proposed. On the one hand, the semiconductor device can include a core on a substrate and an inductor on the core, which includes a number of wires having a plurality of non planar coils above the core. On the other hand, the semiconductor device can include a plurality of posts on the core of the substrate and inductors on the tube core. The inductor may include a conductor surrounding the plurality of columns, so that the inductor includes a plurality of non planar coils.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】螺线管电感器相关申请的交叉引用本专利申请要求于2015年11月8日提交的题为“SOLENOIDINDUCTORWITHAIRCORE(具有空芯的螺线管电感器)”的美国临时专利申请No.62/252,567的权益,该临时申请待决并且已被转让给本申请受让人并由此通过援引明确地整体纳入于此。公开领域本公开的一个或多个方面一般涉及电感器,并且尤其涉及管芯上的螺线管电感器。
技术介绍
现有的薄膜工艺不足以生成高性能的3D电感器。例如,图1中解说的常规近场通信(NFC)天线100(其本质上是电感器)的尺寸是50mm×85mm(4,250mm2)。对于诸如智能电话和其他移动设备之类的应用而言,这代表了相当大量的表面积。概述本概述标识了一些示例方面的特征,并且不是对所公开的主题内容的排他性或穷尽性描述。各特征或各方面是被包括在本概述中还是从本概述中省略不旨在指示这些特征的相对重要性。描述了附加特征和方面,并且这些附加特征和方面将在阅读以下详细描述并查看形成该详细描述的一部分的附图之际变得对本领域技术人员显而易见。第一方面可以涉及一种半导体器件。该半导体器件可以包括基板、该基板上的管芯、以及该管芯上的电感器。该电感器可以包括具有在该管芯上方的多个非平面线圈的导线。第二方面可以涉及一种形成半导体器件的方法。该方法可以包括提供基板,在该基板上提供管芯,以及在该管芯上形成电感器。形成电感器可以包括环绕导线,使得该电感器包括在该管芯上方的多个非平面线圈。第三方面可以涉及一种半导体器件。该半导体器件可以包括基板、该基板上的管芯、该管芯上的电感器、以及也在该管芯上的用于终接该电感器的装置。该 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,包括:基板;所述基板上的管芯;以及所述管芯上的电感器,其中所述电感器包括具有在所述管芯上方的多个非平面线圈的导线。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.08 US 62/252,567;2016.11.07 US 15/345,3121.一种半导体器件,包括:基板;所述基板上的管芯;以及所述管芯上的电感器,其中所述电感器包括具有在所述管芯上方的多个非平面线圈的导线。2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述电感器具有空芯。3.如权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,还包括在所述管芯上并且包围所述电感器的盖子。4.如权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述盖子内部除了所述电感器以外未被填充。5.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,还包括在所述管芯上的模塑,所述模塑封装所述电感器。6.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,还包括在所述管芯上的柱子,其中所述电感器环绕所述柱子。7.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,还包括所述管芯上的多个柱子,其中所述电感器环绕所述多个柱子。8.如权利要求7所述的半导体器件,其特征在于,所述电感器并非完全缠绕所述多个柱子中的任何个体柱子。9.如权利要求7所述的半导体器件,其特征在于,所述电感器的至少一个线圈并非完全缠绕所述多个柱子中的任何个体柱子。10.如权利要求7所述的半导体器件,其特征在于,所述多个柱子包括第一柱子和第二柱子,并且所述导线按8字形环绕所述第一柱子和第二柱子。11.如权利要求7所述的半导体器件,其特征在于,所述多个柱子包括第一多个柱子,所述导线是第一导线,并且所述电感器是第一电感器,所述多个柱子还包括第二多个柱子,并且所述半导体器件进一步包括所述管芯上的第二电感器,所述第二电感器包括环绕所述第二多个柱子的第二导线,并且所述第二电感器具有在所述管芯上方的多个非平面线圈。12.如权利要求11所述的半导体器件,其特征在于,所述第一电感器与所述第二电感器垂直相交。13.如权利要求11所述的半导体器件,其特征在于,所述第一电感器在所述第二电感器内部。14.如权利要求7所述的半导体器件,其特征在于,还包括在所述管芯上的触点,其中所述触点被配置为电耦合到所述管芯的输入引脚、输出引脚、电源引脚和接地引脚之一,并且其中所述电感器包围所述触点。15.如权利要求7所述的半导体器件,其特征在于,还包括所述管芯上的第一和第二接合焊盘,其中所述导线的第一端和第二端分别终接于第一和第二接合焊盘。16.如权利要求7所述的半导体器件,其特征在于,所述多个柱子是导电柱子,并且所述导线是绝缘导线,或者所述多个柱子是非导电柱子,并且所述导线是非绝缘导线。17.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:在...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·F·维纶茨,N·S·慕达卡特,C·H·尹,D·D·金,D·F·伯蒂,J·金,Y·马,C·左,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。