The sensor semiconductor device includes a substrate (1) having a main surface (2), a sensor area (3) on or above the main surface, a coating layer (4) above the main surface, and a groove (5) in the coating layer formed around the sensor area. The grooves provide the discharge of the liquid from the coating layer.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】传感器半导体器件和生产传感器半导体器件的方法
技术介绍
半导体器件被提供用于包括传感器特别是相对湿度传感器的各种应用。湿度传感器必须与环境接触,并且因此可以经受冷凝。许多传感器应用要求从冷凝快速恢复。当温度升高到露点以上时,存在于传感器区域上的水滴应该瞬时消失,露点是恒定大气压力下空气样品中的水蒸气以其蒸发的同一速率冷凝成液态水的温度。美国2013/0069176Al公开了包括覆盖有保护层的传感器元件区域的集成电路封装。集成电路被安装在载体上并且被接合线连接。覆盖接合线的包封在传感器元件区域上具有开口。在开口内侧,保护层包括环绕传感器元件区域的通道。日本2010-050452A公开了用于制造具有被布置在引线框架上的多个芯片的传感器器件的方法。芯片的检测器结构可以包括湿度传感器的聚合物膜。缓冲层被形成在集成的电子电路上方,并且使检测器结构自由。模塑的盖接触检测器结构的外周处的缓冲层,因此在检测器结构上方形成密封的腔体。日本2012-068054A公开了包括被亲水的膜环绕的湿气敏感膜的静电电容型湿度传感器,其具有其中冷凝的水形成膜的凹槽。如果在湿度传感器周围的空气的温度变得高于露点温度,则亲水膜的凹槽部分中的水蒸发,并且水中所含有的污物保留。美国2009/0243015Al公开了一种用于制造半导体器件的方法,其中,树脂层被形成在包括光电二极管的基板的上表面上,使得树脂层不覆盖光接收区域。同心凹槽被形成在树脂层中,使得凹槽环绕光接收区域。光电二极管被用模塑树脂密封。凹槽防止模塑树脂流入到光接收区域中。德国112013004203T5公开了包括湿气敏感层的传感器器件,湿 ...
【技术保护点】
1.一种传感器半导体器件,包括:基板(1),其包括主表面(2),传感器区域(3),其在所述主表面(2)上或上方,传感器元件(10),其在所述传感器区域(3)中,以及涂覆层(4),其在所述主表面(2)的上方,所述涂覆层(4)包含所述传感器区域(3),其特征在于,所述传感器元件(10)被所述涂覆层(4)完全覆盖,所述涂覆层(4)由能够被湿气渗透的材料形成,沟槽(5)被形成在所述传感器区域(3)周围的所述涂覆层(4)中,所述沟槽(5)提供来自所述涂覆层(4)的液体的排放,以及所述涂覆层(4)具有背离所述基板(1)的上表面(8),所述上表面(8)在由所述沟槽(5)环绕的区域中是平坦的。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.16 EP 15194745.41.一种传感器半导体器件,包括:基板(1),其包括主表面(2),传感器区域(3),其在所述主表面(2)上或上方,传感器元件(10),其在所述传感器区域(3)中,以及涂覆层(4),其在所述主表面(2)的上方,所述涂覆层(4)包含所述传感器区域(3),其特征在于,所述传感器元件(10)被所述涂覆层(4)完全覆盖,所述涂覆层(4)由能够被湿气渗透的材料形成,沟槽(5)被形成在所述传感器区域(3)周围的所述涂覆层(4)中,所述沟槽(5)提供来自所述涂覆层(4)的液体的排放,以及所述涂覆层(4)具有背离所述基板(1)的上表面(8),所述上表面(8)在由所述沟槽(5)环绕的区域中是平坦的。2.根据权利要求1所述的传感器半导体器件,还包括:被布置在所述沟槽(5)中的亲水的衬里(7)。3.根据权利要求1或2所述的传感器半导体器件,还包括:被形成在所述传感器区域(3)周围的所述涂覆层(4)中的通道(6),被布置在所述传感器区域(3)与所述通道(6)之间的所述沟槽(5)。4.根据权利要求3所述的传感器半导体器件,还包括:被布置在所述涂覆层(4)上或上方的模塑化合物(9),不被所述模塑化合物(9)覆盖的所述传感器区域(3)和所述沟槽(5),以及完全环绕整个没有所述模塑化合物(9)的区域的所述通道(6)。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的传感器半导体器件,其中,由所述沟槽(5)环绕的所述区域整个被所述涂覆层(4)覆盖。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的传感器半导体器件,其中,所述涂覆层(4)包括湿气敏感材料。7.一种生产传感器半导体器件的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:内博伊沙·内纳多维奇,阿加塔·沙基奇,米查·因特·赞特,弗雷德里克·威廉·毛里茨·万赫尔蒙特,希尔科·瑟伊,罗埃尔·达门,
申请(专利权)人:AMS有限公司,
类型:发明
国别省市:奥地利,AT
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。