A ferroelectric storage element with low drive voltage and can be formed by coating is provided. At least a first conductive film, a second conductive film, and an ferroelectric storage element arranged between the first conductive film and the second conductive film are provided, in which the ferroelectric layer contains an ferroelectric particle and an organic component, and the flat average diameter of the ferroelectric particle is 30 to 500nm.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铁电体存储元件、其制造方法、以及使用其的存储单元及使用其的无线通信装置
本专利技术涉及铁电体存储元件、其制造方法、以及使用其的存储单元及使用其的无线通信装置。
技术介绍
近年来,开始在电子纸、柔性传感器、RFID(RadioFrequencyIdentification,射频识别)标签等电子设备的制造工序中导入涂布法。使用涂布法时,可避免真空工艺、高温工艺,因此,能够以低成本制造电子设备。这样的电子设备中,RFID标签被期待在所有商品中使用,对于低成本化的要求较大。因此,对使用涂布法来制造RFID标签中所包含的各结构元件的技术进行了研究。RFID标签中所包含的结构元件之一为存储元件,可举出例如铁电体存储元件。铁电体存储元件中,通过向元件施加电场而产生的极化即使在使电场为0时依然得以保持。并且,通过沿与极化方向相反的方向施加电场,可使极化方向反转。这称为极化反转,而极化反转所需的电场强度称为矫顽电场(coerciveelectricfield)。矫顽电场低时,可以以低电压发挥作为存储元件的功能(存储信息的写入、保存、读取之类)。作为使用涂布法制造铁电体存储元件的技术,已知通过涂布聚偏二氟乙烯与聚三氟乙烯形成的共聚物(PVDF-TrFE)这样的氟树脂的溶液、使溶剂干燥从而形成铁电体层的方法(例如,参见专利文献1~2)。另外,作为无机铁电体材料,钛酸钡、锆钛酸铅等是已知的。作为使用这些材料制作涂布型铁电体存储元件的例子,提出了将涂布含有它们的粒子的清漆而制成的膜适用于薄膜晶体管(TFT)的栅极绝缘膜的技术(例如,参见专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1: ...
【技术保护点】
1.铁电体存储元件,其是至少具备第一导电膜、第二导电膜、和设置于所述第一导电膜与所述第二导电膜之间的铁电体层的铁电体存储元件,其中,所述铁电体层含有铁电体粒子及有机成分,并且,所述铁电体粒子的平均粒径为30~500nm。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.25 JP 2015-229337;2016.04.20 JP 2016-084201.铁电体存储元件,其是至少具备第一导电膜、第二导电膜、和设置于所述第一导电膜与所述第二导电膜之间的铁电体层的铁电体存储元件,其中,所述铁电体层含有铁电体粒子及有机成分,并且,所述铁电体粒子的平均粒径为30~500nm。2.如权利要求1所述的铁电体存储元件,其中,所述铁电体粒子的平均粒径为100~300nm。3.如权利要求1或2所述的铁电体存储元件,其中,所述铁电体层的膜厚为0.2~2μm。4.如权利要求1~3中任一项所述的铁电体存储元件,其中,所述有机成分为具有选自羧基、磺基、磷酸基、酰胺基、巯基、氨基及羟基中的至少一种以上的树脂。5.如权利要求1~4中任一项所述的铁电体存储元件,其中,所述有机成分为含有羧基及羟基的树脂。6.如权利要求1~5中任一项所述的铁电体存储元件,其中,所述有机成分为至少具有化学式(1)表示的单元结构、化学式(2)表示的单元结构和化学式(3)表示的单元结构的树脂,[化1]化学式(1)、(2)中,R1表示氢原子或碳原子数1~20的1价有机基团;化学式(2)中,R2表示至少具有1个羟基的碳原子数1~20的1价有机基团;化学式(3)中,R3及R4表示氢原子或碳原子数1~20的1价有机基团。7.如权利要求1~3中任一项所述的铁电体存储元件,其中,所述有机成分为含有化学式(4)表示的单元结构的树脂,[化2]8.如权利要求1~7中任一项所述的铁电体存储元件,其中,所述有机成分包含具有五元杂环结构的化合物,所述五元杂环结构含有碳原子和氮原子。9.如权利要求1~8中任一项所述的铁电体存储元件,其中,所述第一导电膜及所述第二导电膜中至少一方的导电膜含有金属粒子。10.如权利要求9所述的铁电体存储元件,其中,所述金属粒子的平均粒径为0.01μm~5μm。11.如权利要求1~1...
【专利技术属性】
技术研发人员:胁田润史,清水浩二,河井翔太,村濑清一郎,
申请(专利权)人:东丽株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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