The process of injecting impurities into the silicon carbide semiconductor layer is highly efficient. A manufacturing method is provided for the fabrication of a semiconductor device with a silicon carbide semiconductor layer, with an impurity injection step: in the condition of setting the temperature of the silicon carbide semiconductor layer below 150 centigrade, the impurities are injected into different depths for the impurity injection area at the silicon carbide semiconductor layer. In the impurity injection step, the temperature of the silicon carbide semiconductor layer can be set at a state above room temperature, and the impurities are injected into different depths for the impurity injection area.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法和半导体装置
本专利技术涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。
技术介绍
以往,已知有使用了碳化硅(在本说明书中,有时称为SiC)的半导体装置。作为用于在SiC基板形成器件结构的杂质注入工艺,已知有离子注入法(例如,参照专利文献1)。专利文献1:日本特开2009-252811号公报技术问题为了抑制离子注入时的结晶缺陷产生,将离子注入时的基板温度设定为175℃~500℃程度。通过将基板温度设为高温,能够抑制结晶缺陷的产生,但是基板的升温和降温会耗费时间。技术方案在本专利技术的第一方式中,提供具备碳化硅半导体层的半导体装置的制造方法。制造方法可以具备在将碳化硅半导体层的温度设为150℃以下的状态下,将杂质注入到碳化硅半导体层处的杂质注入区的杂质注入步骤。在杂质注入步骤中,可以针对杂质注入区,将杂质多次注入到不同的深度。在杂质注入步骤中,可以在将碳化硅半导体层的温度设为室温以上的状态下,针对杂质注入区,将杂质多次注入到不同的深度。在杂质注入步骤中,可以在将碳化硅半导体层配置于室温气氛的状态下,针对杂质注入区,将杂质多次注入到不同的深度。在杂质注入步骤中,可以以使杂质注入区的杂质浓度成为1.0×1016/cm3以上且5.0×1019/cm3以下的方式注入杂质。在杂质注入步骤中,可以以使杂质注入区的杂质浓度成为1.0×1018/cm3以下的方式注入杂质。在杂质注入步骤中,注入有杂质的杂质注入区的深度方向上的杂质浓度分布可以具有多个峰和多个谷。谷之中第一谷的杂质浓度相对于峰之中第一峰的杂质浓度的比例可以为10%以上且60%以下,上述第一峰是从碳化硅 ...
【技术保护点】
1.一种制造方法,其是具备碳化硅半导体层的半导体装置的制造方法,其特征在于,具备杂质注入步骤,在所述杂质注入步骤中,在将所述碳化硅半导体层的温度设为150℃以下的状态下,针对所述碳化硅半导体层处的杂质注入区,将杂质多次注入到不同的深度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.24 JP 2016-1254541.一种制造方法,其是具备碳化硅半导体层的半导体装置的制造方法,其特征在于,具备杂质注入步骤,在所述杂质注入步骤中,在将所述碳化硅半导体层的温度设为150℃以下的状态下,针对所述碳化硅半导体层处的杂质注入区,将杂质多次注入到不同的深度。2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在所述杂质注入步骤中,在将所述碳化硅半导体层的温度设为室温以上的状态下,针对所述杂质注入区,将杂质多次注入到不同的深度。3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,在所述杂质注入步骤中,在将所述碳化硅半导体层配置于室温气氛的状态下,针对所述杂质注入区,将杂质多次注入到不同的深度。4.根据权利要求1~3中任一项所述的制造方法,其特征在于,在所述杂质注入步骤中,以使所述杂质注入区的杂质浓度成为1.0×1016/cm3以上且5.0×1019/cm3以下的方式注入杂质。5.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,在所述杂质注入步骤中,以使所述杂质注入区的杂质浓度成为1.0×1018/cm3以下的方式注入杂质。6.根据权利要求4或5所述的制造方法,其特征在于,在所述杂质注入步骤中,注入有所述杂质的所述杂质注入区的深度方向上的杂质浓度分布具有多个峰和多个谷,所述多个谷之中第一谷的杂质浓度相对于所述多个峰之中第一峰的杂质浓度的比例为10%以上且60%以下,所述第一峰是从所述碳化硅半导体层的注入有所述杂质的注入面观察时最深的峰,所述第一谷是从所述注入面观察时最深的谷。7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,在所述杂质注入步骤中,注入有所述杂质的所述杂质注入区的深度方向上的杂质浓度分布具有多个峰和多个谷,所述杂质浓度分布中的各个峰的深度方向上的间隔dp满足下述式(3),[数学式3]其中,相邻的所述多个峰的在所述深度方向上深的一侧的峰的所述杂质浓度分布的标准偏差为σ1,相邻的所述多个峰的在深度方向上浅的一侧的峰的所...
【专利技术属性】
技术研发人员:西山雄士,宫崎正行,北村祥司,
申请(专利权)人:富士电机株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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