The present disclosure provides a method for cleaning the chamber components after etching the substrate. In one example, a method of cleaning includes the following steps: using a plasma activation etching of a gas mixture to produce a living etching gas mixture, etched gas mixture containing a hydrogen containing precursor and a fluorine precursor, and the process of transporting the activated etching gas mixture to the processing chamber of the process chamber. The chamber has an edge ring located therein, and the rim ring comprises a catalyst and an anti catalytic material, wherein the activated gas removes an anti catalytic material from the rim ring.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于蚀刻硬件的基于氢等离子体的清洗工艺
本专利技术的实施方式大体而言是关于用于清洗在半导体制造应用中所使用的蚀刻硬件的方法。
技术介绍
可靠地生产亚半微米和更小的特征是半导体器件的下一代大规模集成电路(VLSI)和超大规模集成电路(ULSI)的关键技术挑战之一。然而,随着电路技术的极限被推进,VLSI和ULSI技术的缩小尺寸对处理能力提出了额外的要求。在基板上可靠地形成栅极结构对于VLSI和ULSI的成功及对于用以提高单独的基板和晶粒的电路密度和质量的持续努力是重要的。当形成这些特征时,使用光刻胶层作为蚀刻掩模的蚀刻工艺是经常使用的。边缘环可用于控制基板的可用于蚀刻剂的区域。通常,蚀刻剂在边缘环附近的暴露的基板表面处积聚,这可能导致那个区域的过度蚀刻(也称为边缘卷起)。使用围绕晶片而放置的镍边缘环(Ni-ER)控制晶片边缘蚀刻量(EA)。金属Ni通过作为淬灭过量蚀刻剂的化学催化剂而移除晶片边缘附近的过量蚀刻剂。然而,一些生产的晶片含有金属化合物(诸如TiN)的可改变的数量。即使在对这些化合物具有良好选择性(如,大于500:1)的蚀刻工艺中,在Si蚀刻工艺期间可能蚀刻少量。空中传播的Ti物种沉积在腔室零件上,诸如工艺套组的铝部件和Ni-ER。Ti可接着影响Ni-ER的催化活性,从而防止Ni-ER的保护活性。ER催化活性的损失可导致在晶片边缘附近的强的Si蚀刻和在Si膜上的不良的蚀刻均匀性,这可能包括12%或更高的非均匀性百分比。一些人已试图通过高温烘烤受污染的部件(如,在160℃的温度下烘烤)和部件擦拭(如,使用湿的和干的擦拭物)来恢复蚀刻轮廓,而未成功。其 ...
【技术保护点】
1.一种清洗方法,包含以下步骤:使用等离子体活化蚀刻气体混合物,以产生活化的蚀刻气体混合物,该蚀刻气体混合物包含含氢前体和含氟前体;及将该活化的蚀刻气体混合物输送到工艺腔室的处理区域,该工艺腔室具有位于其中的边缘环,该边缘环包含催化剂和抗催化材料,其中该活化的气体从该边缘环移除该抗催化材料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.13 US 62/278,2551.一种清洗方法,包含以下步骤:使用等离子体活化蚀刻气体混合物,以产生活化的蚀刻气体混合物,该蚀刻气体混合物包含含氢前体和含氟前体;及将该活化的蚀刻气体混合物输送到工艺腔室的处理区域,该工艺腔室具有位于其中的边缘环,该边缘环包含催化剂和抗催化材料,其中该活化的气体从该边缘环移除该抗催化材料。2.如权利要求1所述的方法,其中该含氢前体为H2,H2O,H2O2或其组合。3.如权利要求1所述的方法,其中该含氟前体为F2,HF,NF3,XeF2,CF4,CHF3,CH2F2,CH3F或其组合。4.如权利要求1所述的方法,其中该含氢前体与该含氟前体的浓度的比率为至少3:1的比率。5.如权利要求1所述的方法,其中活化蚀刻气体混合物的步骤进一步包含以下步骤:从限定在工艺腔室的盖中的等离子体腔形成远程等离子体。6.如权利要求1所述的方法,进一步包含以下步骤:将该边缘环维持在约摄氏25度和约摄氏1000度之间的温度。7.如权利要求1所述的方法,进一步包含以下步骤:在该远程等离子体工艺期间在没有RF源功率的情况下供应RF偏压功率。8.如权利要求1所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·偌德瑞格,张景春,纪丽丽,王安川,N·K·英格尔,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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