基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质制造方法及图纸

技术编号:18466488 阅读:41 留言:0更新日期:2018-07-18 16:16
基板处理装置具备:基板保持部(31),其保持基板(W);外喷嘴(45),其以使基板的表面的至少中心部被喷出的处理液的液膜覆盖的方式从比被基板保持部保持的基板的外周缘靠外侧的位置朝向基板的表面喷出处理液;以及致动器(46、90),其能够变更外喷嘴的高度位置或俯仰角。

Substrate liquid treatment device, substrate liquid treatment method and storage medium

The substrate treatment device is provided with a substrate holding unit (31), which maintains a substrate (W), and an outer nozzle (45), which is used to spray a processing liquid on the surface of the substrate by a liquid film covering at least the central part of the substrate on the surface of the substrate from the outer edge of the substrate maintained by the substrate holding part, and the actuator (46). (90) it can change the height or elevation angle of the external nozzle.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
本专利技术涉及一种通过向半导体晶圆等基板供给处理液来对该基板实施液处理的技术。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中,通过一边使半导体晶圆等基板绕铅垂轴线旋转一边向基板的表面供给处理液来对基板实施湿蚀刻或药液清洗等液处理。一般利用被保持于喷嘴臂的可动喷嘴来对基板进行处理液的供给,但有时也利用在基板的外周缘的外侧设置的外喷嘴来对基板进行处理液的供给(例如参照专利文献1)。外喷嘴用于向基板的中心部供给处理液,以使防止在可动喷嘴不能够向基板的中心部供给所期望的处理液时旋转的基板的中心部干燥。外喷嘴不动地固定于基板的外周缘的外侧。因此,从外喷嘴喷出的处理液的着落位置主要由处理液的喷出流量(液的势力)确定。当考虑防止基板干燥时,从外喷嘴喷出的处理液必须覆盖基板的中心部。因此,不能够根据需要灵活地变更从外喷嘴向基板供给的处理液的流量。专利文献1:日本特开2013-021183号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于提供一种能够灵活地变更喷出流量的外喷嘴。根据本专利技术的一个实施方式,提供一种基板液处理装置,其具备:基板保持部,其保持基板;外喷嘴,其从比被所述基板保持部保持的所述基板的外周缘靠外侧的位置,以使所述基板的表面的至少中心部被喷出的处理液的液膜覆盖的方式朝向所述基板的表面喷出处理液;以及致动器,其能够变更所述外喷嘴的高度位置或俯仰角。根据本专利技术的其它实施方式,提供一种基板液处理方法,其包括:从被配置于比基板的外周缘靠外侧的位置的外喷嘴朝向所述基板的表面喷出处理液;以及使用致动器来调节所述外喷嘴的高度位置或俯仰角,以使从所述外喷嘴喷出的所述处理液着落于所述基板上的目标着落位置。根据本专利技术的其它实施方式,提供一种存储介质,记录有以下程序,在由用于控制基板液处理装置的动作的计算机执行所述程序时,所述计算机控制所述基板液处理装置来执行上述的基板液处理方法。根据上述本专利技术的实施方式,通过利用致动器来变更外喷嘴的高度位置或俯仰角,能够灵活地变更来自外喷嘴的处理液的喷出流量。附图说明图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理系统的结构的概要俯视图。图2是表示处理单元的结构的概要纵剖截面图。图3是表示处理单元的结构的概要俯视图。图4是表示外喷嘴和附加于该外喷嘴的处理液供给机构以及升降机构的结构的概要图。图5是表示外喷嘴和附加于该外喷嘴的处理液供给机构以及升降机构的其它结构的概要图。图6是用于说明同时从外喷嘴和第一喷嘴喷出处理液的实验的图。具体实施方式图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。下面,为了使位置关系明确,规定彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴,并且将Z轴正方向设为铅垂向上方向。如图1所示,基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3相邻地设置。搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11上载置多个承载件C,所述多个承载件C用于将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称作晶圆W)以水平状态进行收纳。搬送部12与承载件载置部11相邻地设置,在搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外,基板搬送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转,其使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间搬送晶圆W。处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在搬送部15的两侧的方式设置。搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外,基板搬送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转,其使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间搬送晶圆W。处理单元16用于对由基板搬送装置17搬送的晶圆W进行规定的基板处理。另外,基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机,其具备控制部18和存储部19。在存储部19中存储有用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行被存储在存储部19中的程序来控制基板处理系统1的动作。此外,该程序既可以是存储在可由计算机读取的存储介质中的程序,也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质,存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)以及存储卡等。在如所述那样构成的基板处理系统1中,首先,搬入搬出站2的基板搬送装置13将晶圆W从被载置于承载件载置部11的承载件C取出,并将取出后的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板搬送装置17将被载置于交接部14的晶圆W从交接部14取出并搬入到处理单元16。在利用处理单元16对被搬入到处理单元16中的晶圆W进行处理之后,利用基板搬送装置17将该晶圆W从处理单元16搬出并载置于交接部14。然后,利用基板搬送装置13将被载置于交接部14的处理完成后的晶圆W返回到承载件载置部11的承载件C。接着,参照图2和图3来说明处理单元16的结构。处理单元16具备腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40、液体接收杯50。腔室20收纳基板保持机构30和处理流体供给部40和液体接收杯50。在腔室20的顶部设置有用于在腔室20内形成清洁空气的下降流的FFU(FanFilterUnit:风扇过滤器单元)21。基板保持机构30具备基板保持部31、轴部32和旋转驱动部33。基板保持部31将晶圆W保持为水平。利用旋转驱动部33来经由轴部32使基板保持部31旋转,由此能够使被保持于基板保持部31的晶圆W绕铅垂轴线旋转。处理流体供给部40具有向晶圆W供给处理流体(处理液或处理气体)的多个可动的喷嘴41。在本实施方式中,多个喷嘴41包括第一喷嘴41a、干燥气体喷嘴41b、第二喷嘴41c和溶剂喷嘴41d。多个喷嘴41也可以包括用于供给处理流体的其它喷嘴。特别是如图3所示,处理流体供给部40具有第一喷嘴臂42A和第二喷嘴臂42B。为了简略附图,在图2中只表示两个喷嘴臂42A、42B中的一个(42A)。在第一喷嘴臂42A上安装有第一喷嘴41a和干燥气体喷嘴41b。在第二喷嘴臂42B上安装有第二喷嘴41c和溶剂喷嘴41d。第一喷嘴41a和第二喷嘴41c以朝向正下方喷出液的方式安装于第一喷嘴臂42A和第二喷嘴臂42B。利用图2所示的臂驱动部43能够使各喷嘴臂(42A、42B)绕铅垂方向轴线转动(图2的箭头MA、MB),并且能够使各喷嘴臂(42A、42B)沿铅垂方向升降。通过使喷嘴臂(42A、42B)转动,能够使设置于该喷嘴臂(42A、42B)上的喷嘴41(41a~41d)位于晶圆W的中心O的正上方的位置与俯视时的液体接收杯50的外侧的待机位置(图3所示的位置)之间的任意的位置。如图3所示,第一喷嘴41a与蚀刻液供给部(药液供给部)71和第一冲洗液供给部72连接,通过对切换阀装置73进行切换,能够选择性地从第一喷嘴41a供给蚀刻液(例如硝氟酸)和冲洗液(例如DIW(DeionizedWater:去离子水)即纯水)中的任一方。第二喷嘴41c与清洗液供给部(药液供给部)74和第二冲洗液供给部75连接,通过对切换阀装置76进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板液处理装置,其具备:基板保持部,其保持基板;外喷嘴,其从比被所述基板保持部保持的所述基板的外周缘靠外侧的位置,以使所述基板的表面的至少中心部被喷出的处理液的液膜覆盖的方式朝向所述基板的表面喷出处理液;以及致动器,其能够变更所述外喷嘴的高度位置或俯仰角。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.24 JP 2015-2288331.一种基板液处理装置,其具备:基板保持部,其保持基板;外喷嘴,其从比被所述基板保持部保持的所述基板的外周缘靠外侧的位置,以使所述基板的表面的至少中心部被喷出的处理液的液膜覆盖的方式朝向所述基板的表面喷出处理液;以及致动器,其能够变更所述外喷嘴的高度位置或俯仰角。2.根据权利要求1所述的基板液处理装置,其特征在于,还具备:流量控制阀,其调节从所述外喷嘴喷出的所述处理液的流量;以及控制部,其基于从所述外喷嘴喷出的所述处理液的流量控制所述致动器来调节所述外喷嘴的高度位置或俯仰角。3.根据权利要求2所述的基板液处理装置,其特征在于,所述控制部基于预先求出的、从所述外喷嘴喷出的所述处理液在所述基板上的着落位置与从所述外喷嘴喷出的所述处理液的流量以及所述外喷嘴的高度位置之间的关系,来调节所述外喷嘴的高度位置或俯仰角。4.根据权利要求2所述的基板液处理装置,其特征在于,所述外喷嘴设置为俯视观察时所述外喷嘴与所述基板保持部之间的相对位置关系不发生变化。5.根据权利要求2所述的基板液处理装置,其特征在于,所述控制部在使所述外喷嘴喷出所述处理液并且使所述处理液的液膜覆盖所述基板的表面的中心部之后,控制所述流量控制阀来减少从所述外喷嘴喷出的所述处理液的流量,并且控制所述致动器来升高所述外喷嘴的高度位置。6.根据权利要求1所述的基板液处理装置,其特征在于,还具备:旋转驱动部,其使所述基板保持部旋转来使所述基板绕铅垂轴线旋转;可动喷嘴,其从所述基板上方向下喷出处理液;喷嘴臂,其承载所述可动喷嘴,并且使所述可动喷嘴在被所述基板保持部保持的基板的上方的位置与比所述基板的外周缘靠外侧的位置之间进行移动;以及控制部,其使得同时执行如下处理:使所述可动喷嘴对所述基板的预先设定的位置喷出所述处理液;以及使所述外喷嘴以使处理液着落于所述基板的中心的方式喷出所述处理液,其中,所述预先设定的位置在所述基板的中心附近且在XY正交坐标系中位于第四象限内,所述XY正交坐标系为,在从正上方观察旋转的所述基板时,将包括从所述外喷嘴喷出的所述处理液的飞行...

【专利技术属性】
技术研发人员:小佐井一树甲斐義广五师源太郎小宫洋司藤本诚也大塚贵久
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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