电极箔的制造方法以及电容器的制造方法技术

本发明专利技术所涉及的电极箔的制造方法是制造部分蚀刻的电极箔的方法，包括：第1工序，准备带状的金属箔；第2工序，配置掩蔽构件，使得覆盖所述金属箔的至少一个主面的一部分；和第3工序，在所述第2工序之后，在蚀刻液中，使电极隔着所述掩蔽构件与所述金属箔对置的状态下，在所述金属箔与所述电极之间流过电流，对所述金属箔的所述主面部分地进行蚀刻，所述掩蔽构件是带状，在所述第2工序，所述掩蔽构件配置为沿着所述金属箔的长边方向，并且与所述金属箔的两个端边分离。

Manufacturing method of electrode foil and manufacturing method of capacitor

A method of making an electrode foil involved in the invention is a method of making an etched electrode foil, including the first process, the preparation of a strip of metal foil, the second process, and a masking component to cover at least one part of the main surface of the metal foil, and the third process in the second process, in the etchant, In a state where the electrode is opposed to the metal foil, the metal foil is partially etched with a current between the metal foil and the electrode, and the masking member is a ribbon. In the second process, the masking member is configured along the long side direction of the metal foil. And is separated from the two ends of the metal foil.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电极箔的制造方法以及电容器的制造方法
本公开涉及电极箔的制造方法以及电容器的制造方法。
技术介绍
作为电容器元件的阳极体，使用包括阀作用金属的金属箔。为了使电容器元件的电容增加，在金属箔的主面的全部或一部分实施蚀刻。例如专利文献1教导了：在带状的金属箔的主面，在包括宽度方向的两个端边的区域形成覆膜作为掩蔽构件，在上述主面的未被覆膜覆盖的区域进行蚀刻。现有技术文献专利文献专利文献1：JP特开2005-340794号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在蚀刻工序之后，进行对蚀刻过的区域(蚀刻部)进行化学转化处理的工序。通过化学转化处理，在蚀刻部形成电介质层时，存在蚀刻部收缩的情况。在掩蔽构件配置为包括金属箔的沿着长边方向的两个端边的情况下，在金属箔的表面，蚀刻部形成为被未蚀刻部夹着。在该情况下，若蚀刻部收缩，则在蚀刻部(特别是其中央部)产生的皱折以及/或者翘曲的程度易于变大。若在蚀刻部有皱折以及/或者翘曲，则化学转化处理后形成于蚀刻部的固体电解质层、阴极引出层变得不均匀，或者在将电容器元件配置在电容器时产生不良状况。为此，难以得到具备稳定的质量的电容器。用于解决课题的手段本公开的第一方面涉及电极箔的制造方法，是制造部分蚀刻的电极箔的方法，包括：第1工序，准备带状的金属箔；第2工序，配置掩蔽构件，使得覆盖所述金属箔的至少一个主面的一部分；和第3工序，在所述第2工序之后，在蚀刻液中，使电极隔着所述掩蔽构件与所述金属箔对置的状态下，在所述金属箔与所述电极之间流过电流，对所述金属箔的所述主面部分地进行蚀刻，所述掩蔽构件是带状，在所述第2工序，所述掩蔽构件配置为沿着所述金属箔的长边方向，并且与所述金属箔的两个端边分离。本公开的第二方面涉及电容器的制造方法，包括：准备工序，准备通过上述的方法制造的电极箔；和在被蚀刻的所述电极箔的所述主面形成电介质层后，使电解质与所述电介质层接触的工序。专利技术效果根据本公开，因为能够得到皱折以及/或者翘曲少的电极箔，所以使用该电极箔的电容器具备高质量。附图说明图1是示意地表示通过本公开的实施方式所涉及的电解蚀刻工序蚀刻的电极箔的顶视图。图2是示意地表示通过本公开的实施方式所涉及的电解蚀刻工序蚀刻的电极箔的剖视图。图3是示意地表示本公开的实施方式所涉及的电解蚀刻工序中使用的电解蚀刻装置的说明图。图4是表示电解蚀刻工序中的金属箔、掩蔽构件以及电极的位置关系的示意图。图5是示意地表示电极箔的剪裁位置的顶视图。图6是示意地表示连结体的顶视图。图7是示意地表示本公开的实施方式所涉及的电容器中使用的电容器元件的剖视图。图8是示意地表示本公开的一个实施方式所涉及的电容器的剖视图。具体实施方式本公开的电极箔的制造方法是制造部分蚀刻的电极箔的方法，具备：第1工序，准备带状的金属箔；第2工序，配置掩蔽构件，覆盖金属箔的至少一个主面的一部分；以及第3工序，在第2工序之后，在蚀刻液中，使电极隔着掩蔽构件与金属箔对置的状态下，在金属箔与电极之间流过电流，来对金属箔的所述主面部分地进行蚀刻。掩蔽构件是带状，在第2工序中配置为沿着金属箔的长边方向且与金属箔的两个端边分离。通过第3工序，如图1所示那样，在电极箔10，形成以曾被掩蔽构件4覆盖的区域与未曾被覆盖的区域的边界附近为起点、包括电极箔10的端边T1或T2、表面被蚀刻的蚀刻区域10E和被2个蚀刻区域10E夹着的未被蚀刻的未蚀刻区域10N。在图1中，为了方便将未蚀刻区域10N带阴影示出。如图2所示，蚀刻区域10E在表面具备蚀刻部E，在内部具备未蚀刻部N。蚀刻部E以蚀刻区域10E与未蚀刻区域10N的边界B为起点向厚度方向渐渐深入。从强度的观点出发，蚀刻区域10E中的未蚀刻部N的厚度d优选为2μm以上。另外，图2是示意地表示通过电解蚀刻工序蚀刻的电极箔10的一部分的立体图。曾被掩蔽构件4覆盖的区域与未曾被覆盖的区域的边界和上述边界B大致对应。在第3工序之后，对蚀刻区域10E实施化学转化处理。通过化学转化处理在形成于蚀刻区域10E的凹凸的表面形成电介质层。这时蚀刻区域10E收缩。即，由于在蚀刻区域10E与未蚀刻区域10N之间在收缩率产生差异，因此在收缩的蚀刻区域10E易于产生皱折以及/或者翘曲。特别在由未蚀刻区域夹着蚀刻区域的情况下，在蚀刻区域产生的皱折的程度易于变大。但在本实施方式中，蚀刻区域10E不是由未蚀刻区域10N夹着的区域，其一个端边T(T1以及T2)被解放。即，由于蚀刻区域10E中的收缩难以被阻碍，因此在蚀刻区域10E产生的皱折以及/或者翘曲的程度变小。从端边T1或T2到未蚀刻区域10N的最短距离L1以及L2没有特别限定。由于蚀刻区域10E是在电容器中表现静电容的区域，因此上述最短距离L1以及L2根据需要的静电容适当设定即可。以下，参考附图来说明本实施方式所涉及的制造方法。图3是示意地表示电解蚀刻工序中使用的电解蚀刻装置5的说明图。图4是表示电解蚀刻工序中的金属箔1、掩蔽构件4以及电极2的位置关系的示意图。在图4中，为了方便而将掩蔽构件4带阴影示出。(第1工序)在第1工序中，准备带状的金属箔1。金属箔1包括金属(第1金属)。作为第1金属，能举出钛、钽、铝以及铌等阀作用金属。金属箔1可以包括一种或两种以上的上述阀作用金属。金属箔1可以以合金或金属间化合物的形态包括第1金属。金属箔1的厚度没有特别限定。金属箔1的厚度例如为15μm以上且300μm以下。(第2工序)在第2工序中，沿着金属箔1的长边方向D配置带状的掩蔽构件4，使得覆盖带状并且从金属箔1的两个端边T1以及T2分离的区域即第1区域R1(参考图4)。在图4中，区域R2是未曾被掩蔽构件4覆盖的区域(第2区域R2)。另外，掩蔽构件4的配置不限定于此。例如，可以用多个带状的掩蔽构件4覆盖多个第1区域R1。掩蔽构件4没有特别限定，可以是树脂等绝缘体，也可以是包括导电性材料的导电体。在使用绝缘体作为掩蔽构件4的情况下，为了提高电解蚀刻的可靠性，可以将电极2的表面的与第1区域R1对置的区域掩蔽(未图示)。在使用导电体作为掩蔽构件4的情况下，在第3工序，将掩蔽构件4和金属箔1电连接。因此，抑制了电流集中在金属箔1的与掩蔽构件4的边界附近的现象。通过抑制电流的集中，能抑制蚀刻区域10E中的过剩的蚀刻。在此，所谓电连接，是指在掩蔽构件4与金属箔1之间能产生电子的移动的状态。在掩蔽构件4是绝缘体的情况下，作为树脂，可以使用热固化性树脂或热可塑性树脂。作为热固化性树脂，能够例示聚氨酯树脂、酚醛树脂、环氧树脂、硅酮树脂、聚酰亚胺等。作为热可塑性树脂，能够例示丙烯酸树脂、聚酯等。在掩蔽构件4是导电体的情况下，作为掩蔽构件4中包括的导电性材料，没有特别限定，能够例示上述的阀作用金属、银、铜、铁、锡、铅、锌、二氧化硅、镍、金、铂、钯、锆、钨、钴、钼等金属、石墨、碳黑等碳材料以及导电性高分子等。在掩蔽构件4是导电体的情况下，在电解蚀刻工序中，掩蔽构件4和金属箔1电连接。因而从金属箔1的蚀刻效率以及抑制上述那样的电流集中的观点出发，掩蔽构件4的电阻值(掩蔽构件的电阻率×掩蔽构件的厚度)例如优选与金属箔1的厚度方向的电阻值大致相同。在掩蔽构件4的上述电阻值和金属箔1的上述电阻值易于调整为相同的点以及后述那样易于与金属箔1物理连接的点本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电极箔的制造方法，制造部分蚀刻的电极箔，所述电极箔的制造方法包括：第1工序，准备带状的金属箔；第2工序，配置掩蔽构件，使得覆盖所述金属箔的至少一个主面的一部分；和第3工序，在所述第2工序之后，在蚀刻液中，使电极隔着所述掩蔽构件与所述金属箔对置的状态下，在所述金属箔与所述电极之间流过电流，对所述金属箔的所述主面部分地进行蚀刻，所述掩蔽构件是带状，在所述第2工序，所述掩蔽构件配置为沿着所述金属箔的长边方向，并且与所述金属箔的两个端边分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.30 JP 2015-2342291.一种电极箔的制造方法，制造部分蚀刻的电极箔，所述电极箔的制造方法包括：第1工序，准备带状的金属箔；第2工序，配置掩蔽构件，使得覆盖所述金属箔的至少一个主面的一部分；和第3工序，在所述第2工序之后，在蚀刻液中，使电极隔着所述掩蔽构件与所述金属箔对置的状态下，在所述金属箔与所述电极之间流过电流，对所述金属箔的所述主面部分地进行蚀刻，所述掩蔽构件是带状，在所述第2工序，所述掩蔽构件配置为沿着所述金属箔的长边方向，并且与所述金属箔的两个端边分离。2.根据权利要求1所述的电极箔的制造方法，其中包括：第4工序，在所述第3工序之后除去所述掩蔽构件。3.根据权利要求1或2所述的电极箔的制造方法，其中还包括：第5工序，在所述第3工序之后剪裁所述金属箔，在所述第5工序，将所述金属箔沿着所述长...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林恭平，杉原之康，吉田宽，吉村满久，中西弘美，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP