抗反射层、触摸基板、触摸面板和便携式电子设备制造技术

本申请公开了一种抗反射层、触摸基板、触摸面板和便携式电子设备。触摸基板，包括：基底基板；透明触摸电极层，其位于所述基底基板上；和抗反射层，其位于透明触摸电极层的远离基底基板的一侧。所述抗反射层包括：第一子层，其位于透明触摸电极层的远离基底基板的一侧；第二子层，其位于第一子层的远离所述透明触摸电极层的一侧；和第三子层，其位于第二子层的远离第一子层的一侧。第一子层、第二子层和第三子层层叠在一起。第二子层的折射率大于第一子层和第三子层的折射率。

Anti reflection layer, touch panel, touch panel and portable electronic device.

The application discloses an antireflection layer, a touch substrate, a touch panel and a portable electronic device. The touch base plate, including the base plate and the transparent touch electrode layer, is located on the base plate, and the anti reflection layer is located on the side of the transparent touch electrode layer far away from the base substrate. The anti reflection layer includes the first layer, which is located far away from the base substrate of the transparent touch electrode layer, and the second layer is located on one side of the first sublayer far away from the transparent touch electrode layer; and the third sublayer is located far away from the first layer of the second sublayer. The first sublayer, the second sublayer and the third sub tier are stacked together. The refractive index of the second sublayer is larger than that of the first sublayer and the third sublayer.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗反射层、触摸基板、触摸面板和便携式电子设备相关申请的交叉引用本申请要求于2016年7月22日提交的中国专利申请No.201610584879.8的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及显示技术，更具体地，涉及抗反射层、触摸基板、触摸面板和便携式电子设备。
技术介绍
触摸显示面板在诸如移动电话、计算机显示面板、触摸屏、卫星导航装置和数码相机之类的显示领域中得到了广泛的应用。触摸显示面板可以分为三类：附加式(add-on)触摸面板、盒上(on-cell)触摸面板和盒内(in-cell)触摸面板。触摸显示面板可以为自电容式或互电容式显示面板。常规触控显示面板通常使用铟锡氧化物(ITO)作为触摸电极材料。
技术实现思路
在一方面，本专利技术提供了一种触摸基板，包括：基底基板；透明触摸电极层，其位于基底基板上；和抗反射层，其位于透明触摸电极层的远离基底基板的一侧；其中，抗反射层包括：第一子层，其位于透明触摸电极层的远离基底基板的一侧；第二子层，其位于第一子层的远离透明触摸电极层的一侧；和第三子层，其位于第二子层的远离第一子层的一侧；其中第一子层、第二子层和第三子层层叠在一起；并且第二子层的折射率大于第一子层和第三子层的折射率。可选地，所述透明触摸电极层的折射率大于第一子层的折射率。可选地，所述透明触摸电极层包括铟锡氧化物。可选地，第一子层和第三子层由相同材料制成；并且第二子层由与第一子层和第三子层的材料不同的材料制成。可选地，第一子层和第三子层由二氧化硅制成；并且第二子层由包括SiOxNy的材料制成，其中x＞0且y＞0。可选地，所述抗反射层的平均可见光反射率不大于1.5％。可选地，所述抗反射层的平均可见光透射率大于92％。可选地，第二子层的折射率在约1.46至约2.0的范围内。可选地，所述透明触摸电极层的厚度在约40nm至约50nm的范围内；第一子层的厚度在约10nm至约20nm的范围内；第二子层的厚度在约50nm至约75nm的范围内；并且第三子层的厚度在约90nm至约110nm的范围内。在另一方面，本专利技术提供了一种触摸面板，其包括本文描述的触摸基板。在另一方面，本专利技术提供了一种便携式电子设备，其包括：显示面板；附接至所述显示面板的触摸基板；和包括透镜的图像捕获装置，其安装在所述便携式电子设备上；其中所述触摸基板具有构造为允许所述透镜接收光的窗口区域；所述触摸基板在窗口区域中包括：基底基板；和抗反射层,其位于基底基板上；其中所述抗反射层包括：第一子层，其位于基底基板上；第二子层，其位于第一子层的远离基底基板的一侧；和第三子层，其位于第二子层的远离第一子层的一侧；其中第一子层、第二子层和第三子层层叠在一起；并且第二子层的折射率大于第一子层和第三子层的折射率。可选地，第一子层和第三子层由相同材料制成；并且第二子层由与第一子层和第三子层的材料不同的材料制成。可选地，第一子层和第三子层由二氧化硅制成；并且第二子层由包括SiOxNy的材料制成，其中x＞0且y＞0。可选地，所述抗反射层在约550nm波长处的光透射率大于95％。可选地，第二子层的折射率在约1.46至约2.0的范围内。在另一方面，本专利技术提供了一种抗反射层，包括：第一子层；第二子层，其位于第一子层上；和第三子层，其位于第二子层的远离第一子层的一侧；其中第一子层、第二子层和第三子层层叠在一起；并且第二子层的折射率大于第一子层和第三子层的折射率。可选地，第一子层和第三子层由相同材料制成；并且第二子层由与第一子层和第三子层的材料不同的材料制成。可选地，第一子层和第三子层由二氧化硅制成；并且第二子层由包括SiOxNy的材料制成，其中x＞0且y＞0。可选地，所述抗反射层的平均可见光反射率不大于1.5％。可选地，所述抗反射层在约550nm波长处的光透射率大于95％。附图说明以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本专利技术的范围。图1是示出常规触摸基板的结构的示意图。图2是示出根据本公开的一些实施例中的抗反射层的结构的示意图。图3是示出根据本公开的一些实施例中的触摸基板的结构的示意图。图4是示出常规触摸基板的光反射率(虚线)与根据本公开的一些实施例中的触摸基板的光反射率(实线)之间的比较的曲线图。图5是示出常规触摸基板的光透射率(虚线)与根据本公开的一些实施例中的触摸基板的光透射率(实线)之间的比较的曲线图。图6是示出根据本公开的一些实施例中的触摸基板中的光透射率与第二子层的厚度之间的相关性的曲线图。图7是示出常规触摸基板的摄像头透镜的窗口区域的光透射率(虚线)与根据本公开的一些实施例中的触摸基板的摄像头透镜的窗口区域的光透射率(实线)之间的比较的曲线图。具体实施方式现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。图1是示出常规触摸基板的结构的示意图。参照图1，常规触摸基板包括：基底基板0、位于基底基板0上的透明触摸电极层4和位于透明触摸电极层4的一侧的图案消隐(blanking)层30，所述图案消隐层30用于使透明触摸电极层4的图案消失。透明触摸电极层4包括通过多个金属桥12连接的多个透明触摸电极块。常规触摸基板还包括位于多个金属桥12的远离基底基板0的一侧的绝缘层13。此外，常规触摸基板包括外围区域中的黑矩阵10和多条信号线11。一些常规触摸基板是具有用于拍照的摄像头(例如，移动电话的前置摄像头)的电子设备的一部分。电子设备包括透镜14，并且触摸基板还包括用于允许透镜14接收光的窗口区域WR。在窗口区域中，常规阵列基板包括位于基底基板0上的图案消隐层30。通常，常规触摸基板中的图案消隐层30由高折射率材料(例如，氮氧化硅)制成，以实现可接受的消失效果。透明触摸电极层4通常由铟锡氧化物制成。由于铟锡氧化物和氮氧化硅均具有相对高的折射率，因此，透明触摸电极4的反射率相对高。附接至具有该触摸基板的电子设备的常规抗反射膜只能减少玻璃侧(基底基板侧)的光反射，无法减少透明触摸电极层4的光反射。此外，透明触摸电极层4/图案消隐层30的光反射率在可见光谱上极大地变化，导致具有该常规触摸基板的触摸面板中的显著色偏。在窗口区域WR中，图案消隐层30和玻璃(基底基板0)的组合增强了光反射，导致相对低的光透射率。为了增强透镜14的光透射性，有时对窗口区域WR中的图案消隐层30进行刻蚀。然而，窗口区域WR中的图案消隐层30可能会刻蚀不足或过度刻蚀，导致窗口区域WR中光透射率不良。因此，本公开特别提供了抗反射层、触摸基板、触摸面板和便携式电子设备，其实质上消除了由于现有技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。在一方面，本公开提供了一种抗反射层，包括：第一子层；第二子层，其位于第一子层上；和第三子层，其位于第二子层的远离第一子层的一侧，第一子层、第二子层和第三子层层叠在一起。在该抗反射层中，第二子层的折射率大于第一子层和第三子层的折射率。图2是示出根据本公开的一些实施例中的抗反射层的结构的示意图。参照图2，一些实施例中的抗反射层20包括：第一子层1；第二子层2，其位于第一子层1上；和第三子层3，其位于第二子层2的远离第一子层1的一侧。可选地，第一子层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种触摸基板，包括：基底基板；透明触摸电极层，其位于所述基底基板上；和抗反射层，其位于所述透明触摸电极层的远离所述基底基板的一侧；其中，所述抗反射层包括：第一子层，其位于所述透明触摸电极层的远离所述基底基板的一侧；第二子层，其位于第一子层的远离所述透明触摸电极层的一侧；和第三子层，其位于第二子层的远离第一子层的一侧；其中，第一子层、第二子层和第三子层层叠在一起；并且第二子层的折射率大于第一子层和第三子层的折射率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.22 CN 20161058487981.一种触摸基板，包括：基底基板；透明触摸电极层，其位于所述基底基板上；和抗反射层，其位于所述透明触摸电极层的远离所述基底基板的一侧；其中，所述抗反射层包括：第一子层，其位于所述透明触摸电极层的远离所述基底基板的一侧；第二子层，其位于第一子层的远离所述透明触摸电极层的一侧；和第三子层，其位于第二子层的远离第一子层的一侧；其中，第一子层、第二子层和第三子层层叠在一起；并且第二子层的折射率大于第一子层和第三子层的折射率。2.根据权利要求1所述的触摸基板，其中，所述透明触摸电极层的折射率大于第一子层的折射率。3.根据权利要求1所述的触摸基板，其中，所述透明触摸电极层包括铟锡氧化物。4.根据权利要求1所述的触摸基板，其中，第一子层和第三子层由相同材料制成；并且第二子层由与第一子层和第三子层的材料不同的材料制成。5.根据权利要求1所述的触摸基板，其中，第一子层和第三子层由二氧化硅制成；并且第二子层由包括SiOxNy的材料制成，其中x＞0且y＞0。6.根据权利要求1所述的触摸基板，其中，所述抗反射层的平均可见光反射率不大于1.5％。7.根据权利要求1所述的触摸基板，其中，所述抗反射层的平均可见光透射率大于92％。8.根据权利要求1所述的触摸基板，其中，第二子层的折射率在约1.46至约2.0的范围内。9.根据权利要求1所述的触摸基板，其中，所述透明触摸电极层的厚度在约40nm至约50nm的范围内；第一子层的厚度在约10nm至约20nm的范围内；第二子层的厚度在约50nm至约75nm的范围内；并且第三子层的厚度在约90nm至约110nm的范围内。10.一种触摸面板,包括权利要求1至9中任一项所述的触摸基板。11.一种便携式电子设备，包括：显示面板；附接至所述显示面板的触摸基板；和包...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐佳伟，张雷，郭总杰，范文金，张朝科，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11