近红外线吸收性组合物、膜、红外线截止滤波器、固体摄像元件、红外线吸收剂及化合物制造技术

本发明专利技术提供一种能够制造红外遮蔽性及可见透明性优异的膜的近红外线吸收性组合物、膜、红外线截止滤波器、固体摄像元件、红外线吸收剂及化合物。近红外线吸收性组合物含有由下述式(1)表示且极大吸收波长为700nm以上的方酸内鎓盐化合物和树脂。式中，Ar1及Ar2分别独立地表示具有包含硫属原子的杂芳环的二价共轭基团，R1～R4分别独立地表示氢原子或取代基。膜及红外线截止滤波器由近红外线吸收性组合物组成。固体摄像元件具有红外线截止滤波器。

Near infrared absorbing composition, film, infrared cut-off filter, solid camera element, infrared absorber and compound

The present invention provides a near infrared absorbent composition, film, infrared cut-off filter, solid camera element, infrared absorber and compound which can produce films with excellent infrared shadowing and visible transparency. The near-infrared absorbent composition contains an internal salt salt compound and a resin which is represented by the following formula (1) and has a maximum absorption wavelength of 700nm. In the formula, Ar1 and Ar2 independently represent the two valence conjugated groups with hetero aromatic rings containing sulfur atoms, and R1 ~ R4 respectively represent hydrogen atoms or substituents respectively. The membrane and infrared cut-off filter are made up of near infrared absorbing compositions. The solid-state imaging element has an infrared cut-off filter.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】近红外线吸收性组合物、膜、红外线截止滤波器、固体摄像元件、红外线吸收剂及化合物
本专利技术涉及一种近红外线吸收性组合物、膜、红外线截止滤波器、固体摄像元件、红外线吸收剂及化合物。
技术介绍
摄像机、数码照相机、带照相机功能的移动电话等中使用作为彩色图像的固体摄像元件的CCD(电荷耦合元件)或CMOS(互补型金属氧化膜半导体)。这些固体摄像元件中，为了将感知红外线的硅光电二极管用于受光部，需要进行发光效率校正，且与红外线截止滤波器并用的情况较多。作为近红外线吸收性化合物，已知有方酸内鎓盐化合物等。专利文献1中，记载有将下述化合物等用作电子照片用调色剂的内容。[化学式1]而且，专利文献2中记载有下述化合物。[化学式2]而且，非专利文献1为关于方酸内鎓盐化合物的双光子吸收性的论文，记载有关于下述化合物的双光子吸收性的内容。[化学式3]而且，非专利文献2中记载有下述化合物。[化学式4]以往技术文献专利文献[专利文献1]：日本特开2009-15114号公报[专利文献2]：德国专利申请公开第4122563号说明书非专利文献[非专利文献1]：Chem.Eur.J.，2008，14，11082-11091[非专利文献2]：H.Meieretal.，Helv.Chem.Acta2004，87，1109-1118.
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题对红外线截止滤波器要求其红外遮蔽性及可见透明性优异。近年来，要求进一步提高这些特性。专利文献1为关于电子照片用调色剂的专利技术，并未记载关于红外线截止滤波器的内容。而且，本专利技术人等对专利文献1中所记载的化合物进行研究的结果，得知很难兼顾红外遮蔽性和可见透明性。而且，专利文献2、非专利文献1及非专利文献2中，虽记载有特定的方酸内鎓盐化合物，但未记载关于所述化合物的红外遮蔽性及可见透明性的内容。而且，并未记载或暗示关于将所述化合物用于红外线截止滤波器的内容。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够制造红外遮蔽性及可见透明性优异的膜的近红外线吸收性组合物、膜、红外线截止滤波器、固体摄像元件、红外线吸收剂及化合物。用于解决技术课题的手段本专利技术人等进行了各种研究的结果，发现通过使用后述的含有由式(1)表示且于波长700nm以上的范围具有极大吸收波长的方酸内鎓盐化合物和树脂的近红外线吸收性组合物，可实现上述目的，以至完成了本专利技术。本专利技术提供以下内容。<1>一种近红外线吸收性组合物，其含有由下述式(1)表示且极大吸收波长为700nm以上的方酸内鎓盐化合物和树脂，[化学式5]式中，Ar1及Ar2分别独立地表示具有包含硫属原子的杂芳环的二价共轭基团，R1～R4分别独立地表示氢原子或取代基，R1可以与R2或Ar1键结而形成环，R3可以与R4或Ar2键结而形成环，其中，Ar1为包含硫属原子的单环的杂芳环的情况下，R1及R2分别独立地表示芳基或杂芳基，Ar2为包含硫属原子的单环的杂芳环的情况下，R3及R4分别独立地表示芳基或杂芳基。<2>根据<1>所述的近红外线吸收性组合物，其中，方酸内鎓盐化合物中，包含式(1)的Ar1及Ar2的平面具有原子数16～54的π共轭平面。<3>根据<1>或<2>所述的近红外线吸收性组合物，其中，硫属原子为硫原子。<4>根据<1>或<2>所述的近红外线吸收性组合物，其中，Ar1及Ar2分别独立地表示噻吩环、噻唑环或包含这些环中的至少一种的稠环或包含这些环的二价共轭基团。<5>根据<1>～<4>中任一个所述的近红外线吸收性组合物，其中，Ar1及Ar2分别独立地包含噻吩环或噻唑环，R1～R4分别独立地表示芳基或杂芳基。<6>根据<5>所述的近红外线吸收性组合物，其中，R1～R4中的至少一个表示构成环的原子数为8以上的芳基或杂芳基。<7>根据<5>所述的近红外线吸收性组合物，其中，R1～R4中的至少一个表示萘基。<8>根据<1>～<4>中任一个所述的近红外线吸收性组合物，其中，Ar1及Ar2分别独立地表示具有原子数8以上的π共轭平面的二价共轭基团，R1～R4分别独立地表示烷基、芳基或杂芳基。<9>根据<8>所述的近红外线吸收性组合物，其中，Ar1及Ar2分别独立地表示包含选自稠环、噻吩环或噻唑环中的至少一种的二价共轭基团，所述稠环包含选自噻吩环及噻唑环中的至少一种。<10>根据<8>所述的近红外线吸收性组合物，其中，Ar1及Ar2分别独立地表示包含选自噻吩环及噻唑环中的至少一种的稠环。<11>根据<1>～<10>中任一个所述的近红外线吸收性组合物，其中，选自Ar1、Ar2、R1、R2、R3及R4中的至少一个具有由下述式(W)表示的基团，-S1-L1-T1……(W)式(W)中，S1表示单键、亚芳基或杂亚芳基，L1表示亚烷基、亚烯基、亚炔基、-O-、-S-、-NRL1-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CONRL1-、-NRL1CO-、-SO2-、-0RL2-或组合这些而成的基团，RL1表示氢原子或烷基，RL2表示亚烷基，T1表示烷基、氰基、羟基、甲酰基、羧基、氨基、硫醇基、磺基、磷酰基、硼烷基、乙烯基、乙炔基、芳基、杂芳基、三烷基甲硅烷基或三烷氧基甲硅烷基，S1为单键，L1为亚烷基，T1为烷基的情况下，L1和T1所包含的碳原子数的总和为5以上，S1表示亚芳基或杂亚芳基的情况下，L1和T1所包含的碳原子数的总和为5以上。<12>根据<1>～<4>中任一个所述的近红外线吸收性组合物，其中，方酸内鎓盐化合物为由下式(1a)表示的化合物，[化学式6]式中，Ar11及Ar12分别独立地表示噻吩环、噻唑环或包含这些环中的至少一种的稠环，R11～R14分别独立地表示烷基、芳基或杂芳基，R11可以与R12或Ar11键结而形成环，R13可以与R14或Ar12键结而形成环，Ar11为噻吩环或噻唑环的情况下，R11及R12中的至少一个表示原子数8以上的芳基或杂芳基，Ar12为噻吩环或噻唑环的情况下，R13及R14中的至少一个表示原子数8以上的芳基或杂芳基。<13>一种膜，其由<1>至<12>中任一个所述的近红外线吸收性组合物形成。<14>一种红外线截止滤波器，其由<1&gt本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种近红外线吸收性组合物，其含有由下述式(1)表示，且极大吸收波长为700nm以上的方酸内鎓盐化合物和树脂，[化学式1]

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.17 JP 2015-2463001.一种近红外线吸收性组合物，其含有由下述式(1)表示，且极大吸收波长为700nm以上的方酸内鎓盐化合物和树脂，[化学式1]式中，Ar1及Ar2分别独立地表示具有包含硫属原子的杂芳环的二价共轭基团，R1～R4分别独立地表示氢原子或取代基，R1可以与R2或Ar1键结而形成环，R3可以与R4或Ar2键结而形成环，其中，Ar1为包含硫属原子的单环的杂芳环的情况下，R1及R2分别独立地表示芳基或杂芳基，Ar2为包含硫属原子的单环的杂芳环的情况下，R3及R4分别独立地表示芳基或杂芳基。2.根据权利要求1所述的近红外线吸收性组合物，其中，所述方酸内鎓盐化合物中，包含式(1)的Ar1及Ar2的平面具有原子数16～54的π共轭平面。3.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物，其中，所述硫属原子为硫原子。4.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物，其中，Ar1及Ar2分别独立地表示噻吩环、噻唑环或包含这些环中的至少一种的稠环或包含这些环的二价共轭基团。5.根据权利要求1至4中任一项所述的近红外线吸收性组合物，其中，Ar1及Ar2分别独立地包含噻吩环或噻唑环，R1～R4分别独立地表示芳基或杂芳基。6.根据权利要求5所述的近红外线吸收性组合物，其中，R1～R4中的至少一个表示构成环的原子数为8以上的芳基或杂芳基。7.根据权利要求5所述的近红外线吸收性组合物，其中，R1～R4中的至少一个表示萘基。8.根据权利要求1至4中任一项所述的近红外线吸收性组合物，其中，Ar1及Ar2分别独立地表示具有原子数8以上的π共轭平面的二价共轭基团，R1～R4分别独立地表示烷基、芳基或杂芳基。9.根据权利要求8所述的近红外线吸收性组合物，其中，Ar1及Ar2分别独立地表示包含选自噻吩环或噻唑环中的至少一种的稠环、或包含选自噻吩环或噻唑环中的至少一种的二价共轭基团。10.根据权利要求8所述的近红外线吸收性组合物，其中，Ar1及Ar2分别独立地表示包含选自噻吩环及噻唑环中的至少一种的稠环。11.根据权利要求1至10中任一项所述的近红外线吸收性组合物，其中，选自Ar1、Ar2、R1、R2、R3及R4中的至少一个具有由下述式(W)表示的基团，-S1-L1-T1……(W)式(W)中，S1表示单键、亚芳基或杂亚芳基，L1表示亚烷基、亚烯基、亚炔基、-O-、-S-、-NRL1-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CONRL1-、-NRL1CO-、-SO2-、-ORL2-或组合这些而成的基团，RL1表示氢原子或烷基，RL2表示亚烷基，T1表示烷基、氰基、羟基、甲酰基、羧基、氨基、硫醇基、磺基、磷酰基、硼烷基、乙烯基、乙炔基、芳基、杂芳基、三烷基甲硅烷基或三烷氧基甲硅烷基，S1为单键，L1为亚烷基，T1为烷基的情况下，L1和T1所包含的碳原子数的总和为5以上，S1表示亚芳基或杂亚芳基的情况下，L1和T1所包含的...

【专利技术属性】
技术研发人员：平井友树，佐佐木大辅，神保良弘，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP