A semiconductor component (10) is described, which has a substrate and at least two temperature measuring elements (20, 22). The two temperature measuring elements (20, 22) are arranged on the bare wafer (11) of the semiconductor component (10) in different positions in the semiconductor component (10). In particular, the temperature measuring element (20) can be arranged in the active region (14) of the semiconductor component (10), and the temperature measuring element (22) can be arranged in a passive region (16) of the semiconductor component (10). The temperature measuring element (20, 22) measures two different temperatures TJ, Tsense, and can calculate the current IDS flowing through the semiconductor component (10) by means of the two different temperatures. The semiconductor component can be a power MOSFET (18). In addition, a method for determining current IDS flowing through a semiconductor component (10) is described, in which two temperatures measured at different positions of the semiconductor component (10) are used. The semiconductor component (10) described and the method described are suitable for use in vehicle control devices, for example.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有第一温度测量元件的半导体构件以及用于确定流过半导体构件的电流的方法
本专利技术涉及一种半导体构件、优选地一种功率MOSFET元件,以及一种用于制造半导体构件的方法和一种用于车辆的控制装置。
技术介绍
对现代的半导体开关——如功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管,英语:Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管,英语:insulated-gatebipolarTransistor)的要求除了包括非常小的导通损耗和开关损耗以及高的阻挡能力之外,包括越来越多的单片集成的功能,所述单片集成的功能使得能够可靠地探测到过负荷——如ESD-脉冲(静电放电,英语:ElectrostaticDischarge)、过热温度、击穿或者过电流。在例如用于发动机控制的功率电子系统中,用于调节系统的相电流有决定性的意义。在开关过程期间过高的电流可能导致元件击穿和必要时导致其损坏。因此,在许多情况中,例如通过分流或者磁性传感器测量电流。这是费事的并且昂贵的。如果借助分流测量相电流,则为此需要在DBC(直接键合铜)上或者在冲压栅格(Stanzgitter)上的附加的面。此外,借助分流或者磁性传感器,需要另外的部件,这同样导致成本。替代地,存在以下可能性:在设备中在内部通过隔开的单元区域进行相电流的测量。但在这里,至少一个外部的电阻以及外部的、通常模拟的分析处理电路也是必需的。DE102011001185A1描述了一种用于借助漏极-源极电压的测量来进行电流感测的方法。在此,求取阻挡层的温度并且由 ...
【技术保护点】
1.一种半导体构件(10),其具有衬底(12)和第一温度测量元件(20),其特征在于,所述第一温度测量元件(20)布置在所述半导体构件(10)的大的损耗功率的位置附近,并且,第二温度测量元件(22)在空间上与所述第一温度测量元件(20)间隔开地布置在所述衬底(12)上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.26 DE 102015223470.31.一种半导体构件(10),其具有衬底(12)和第一温度测量元件(20),其特征在于,所述第一温度测量元件(20)布置在所述半导体构件(10)的大的损耗功率的位置附近,并且,第二温度测量元件(22)在空间上与所述第一温度测量元件(20)间隔开地布置在所述衬底(12)上。2.根据权利要求1所述的半导体构件(10),其特征在于,所述第一温度测量元件(20)和所述第二温度测量元件(22)分别包括一个二极管。3.根据以上权利要求中任一项所述的半导体构件(10),其特征在于,所述第一温度测量元件(20)和所述第二温度测量元件(22)单片式地集成到所述半导体构件(10)中。4.根据以上权利要求中任一项所述的半导体构件(10),其特征在于,在所述第一温度测量元件(20)和所述第二温度测量元件(22)之间存在有限的热容(58)和有限的热阻(56)。5.根据以上权利要求中任一项所述的半导体构件(10),其特征在于,所述半导体构件(10)具有至少一个有源区域(14)和至少一个无源区域(16),其中,所述第二温度测量元件(22)布置在所述无...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·朱斯,W·冯埃姆登,
申请(专利权)人:罗伯特·博世有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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