一种车载电源稳压装置及其控制方法制造方法及图纸

技术编号:18460442 阅读:46 留言:0更新日期:2018-07-18 13:22
本发明专利技术涉及一种车载电源稳压装置及其控制方法,包括主控MCU芯片和与主控MCU芯片电连接的MOSFET管(A)、MOSFET管(B)、MOSFET管(C)、MOSFET管(D)4个MOSFET管,所述的MOSFET管(A)、MOSFET管(B)、MOSFET管(C)、MOSFET管(D)4个MOSFET管串联布置,所述的电感并联于4个MOSFET管之间。该装置有着高效率、高频率、高精度、高功率的优点,而且体积小,易安装,成本低。

A vehicle power supply regulator and its control method

The invention relates to a vehicle power supply regulator and its control method, including the main control MCU chip and the MOSFET tube (A), the MOSFET tube (B), the MOSFET tube (C), and the MOSFET tube (D) 4 MOSFET tubes connected to the main control MCU chip. The electricity is arranged in series, and the electricity is arranged in series. The sense is parallel to the 4 MOSFET tubes. The device has the advantages of high efficiency, high frequency, high precision and high power, and is small in size, easy to install and low in cost.

【技术实现步骤摘要】
一种车载电源稳压装置及其控制方法
本专利技术涉及机动车驾驶人考试系统,具体涉及一种车载电源稳压装置及其控制方法。
技术介绍
随着现代科技的迅速发展,智能化越来越被人们青睐,尤其是车载设备的智能化设施高速发展,车载智能设备、车身控制系统等都已经进入高度集成化,这就对于电源稳压设备的要求也越来越高,而目前此领域大多数电源稳压设备要么稳压效果不好,调节速率慢,输出纹波大,效率低,要么就是达不到所需要的额定功率,输出额定功率偏小,且成本较高。这都将导致系统无法正常使用,甚至烧坏车载设备,造成不必要的损害。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种车载电源稳压装置及其控制方法,该装置有着高效率、高频率、高精度、高功率的优点,而且体积小,易安装,成本低。为了实现以上目的,本专利技术采用的技术方案为:一种车载电源稳压装置及其控制方法,包括主控MCU芯片和与主控MCU芯片电连接的MOSFET管(A)、MOSFET管(B)、MOSFET管(C)、MOSFET管(D)4个MOSFET管,所述的MOSFET管(A)、MOSFET管(B)、MOSFET管(C)、MOSFET管(D)4个MOSFET管串联布置,所述的电感并联于4个MOSFET管之间。进一步的,所述的电感与MOSFET管(B)、MOSFET管(C)串联的线段并联。优选的,所述的MOSFET管采用FDD8447L。优选的,所述的主控MCU芯片采用LTC3780芯片。优选的,所述的电感采用10uH/20A电感。1、一种车载电源稳压装置及其控制方法,包括以下步骤:1)、输入电压接入主控MCU芯片的输入端和MOSFET管(A);2)、通过MOSFET管(D)输出,并将输出作为反馈接入到主控MCU芯片,除了作为控制对比,若有异常,主控MCU芯片也将给予保护;3)、通过主控MCU芯片的调节锁相环输入电压和电感值可控制调节速率和输出功率;4)、当输入电压大于输出电压时,主控MCU芯片将控制MOSFET管(D)接通,MOSFET管(C)关闭,通过MOSFET管(A)、MOSFET管(B)的开关调节输出电压的大小;5)、当输入电压小于输出电压时,主控MCU芯片将控制MOSFET管(A)接通,MOSFET管(B)关闭,通过MOSFET管(C)、MOSFET管(D)的开关调节输出电压的大小;6)、当输入电压和输出电压稳定近似相等时,若是以MOSFET管(B)、MOSFET管(D)接通开始,MOSFET管(A)、MOSFET管(C)随后接通,若是以MOSFET管(A)、MOSFET管(C)接通开始,MOSFET管(B)、MOSFET管(D)随后接通,这样交替式开关,处于动态平衡中,从而控制输入输出的稳定。本专利技术的技术效果在于:本专利技术车载电源稳压装置,优化了开关MOSFET管和可调控系统,使得该装置有着高效率、高频率、高精度、高功率的优点,而且体积小,易安装,成本低。附图说明图1为本专利技术的结构模型图;图2为本专利技术主控MCU芯片的线路图;图3为本专利技术MOSFET管与电感的线路图。具体实施方式对于本领域技术人员而言,显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本专利技术。参照附图,首先对附图进行简要说明,图2上端的VCCIN端对应图1中的输入端、12VOUT端对应图1中的输出端;图2下端的VCCIN端的与图3的VCCIN端连接;图3中Q3对应图1中MOSFET管(A)、Q4对应图1中MOSFET管(D)、Q6对应图1中MOSFET管(B)、Q5对应图1中MOSFET管(C)、L-MR对应图1中的电感。一种车载电源稳压装置及其控制方法,包括主控MCU芯片和与主控MCU芯片电连接的MOSFET管(A)、MOSFET管(B)、MOSFET管(C)、MOSFET管(D)4个MOSFET管,所述的MOSFET管(A)、MOSFET管(B)、MOSFET管(C)、MOSFET管(D)4个MOSFET管串联布置,所述的电感并联于4个MOSFET管之间。进一步的,所述的电感与MOSFET管(B)、MOSFET管(C)串联的线段并联。优选的,所述的MOSFET管采用FDD8447L。优选的,所述的主控MCU芯片采用LTC3780芯片。优选的,所述的电感采用10uH/20A电感。本专利技术车载电源稳压装置优化了整体架构,高效率、高精度、高频率、高功率,稳压的效率高达98%,输出电压误差在±1%以内,最大调节速率达到400kHZ,输出额定功率达到140W,而且成本低,能够很好的满足车载产品的稳定正常使用。本专利技术车载电源稳压装置是通过主控MCU芯片(中央处理芯片)分别对4个开关MOSFET管(金氧半场效晶体管)在不同时期进行开关来调节,通过主控MCU芯片分别对4个开关MOSFET管的调节,达到升压、降压的效果,MOSFET管(即前述开关MOSFET管),通过其通断控制电压输出,给予信号控制,电感用来蓄流,保证后面元器件功率稳定,输入端采用DC输入,输出端采用DC输出,输出信号反馈到主控MCU芯片,来保证输出12V稳压作用,达到高效率、高频率、高精度、高功率的输出。本专利技术车载电源稳压装置,优化了开关MOSFET管和可调控系统,使得该装置有着高效率、高频率、高精度、高功率的优点,而且体积小,易安装,成本低。具体模块信息交互方法如下:1、输入电压接入主控MCU芯片的输入端和MOSFET管(A);2、通过MOSFET管(D)输出,并将输出作为反馈接入到主控MCU芯片,除了作为控制对比,若有异常,主控MCU芯片也将给予保护;3、通过主控MCU芯片的调节锁相环输入电压和电感值可控制调节速率和输出功率;4、当输入电压大于输出电压时,主控MCU芯片将控制MOSFET管(D)接通,MOSFET管(C)关闭,通过MOSFET管(A)、MOSFET管(B)的开关调节输出电压的大小;5、当输入电压小于输出电压时,主控MCU芯片将控制MOSFET管(A)接通,MOSFET管(B)关闭,通过MOSFET管(C)、MOSFET管(D)的开关调节输出电压的大小;6、当输入电压和输出电压稳定近似相等时,若是以MOSFET管(B)、MOSFET管(D)接通开始,MOSFET管(A)、MOSFET管(C)随后接通,若是以MOSFET管(A)、MOSFET管(C)接通开始,MOSFET管(B)、MOSFET管(D)随后接通,这样交替式开关,处于动态平衡中,从而控制输入输出的稳定。具体的,本专利技术中主控MCU芯片:采用LTC3780芯片,这是一款高性能的能降压-升压的开关型稳压器,可在输入电压高于、低于或等于输出电压的条件下工作。恒定频率电流模式架构提供了一个高达400Hz的可锁相频率,可在4~30V宽输入和输出范围内实现不同工作模式间的无缝切换。其结构特点:1、单电感器架构允许输入高于、低于或等于输出;2、宽输入范围:4V至36V工作电压;3、同步整流:效率高达98%;4、可锁相固定频率:200kHz至400kHz;5、输出过压保护。MOSFET管采用FDD8447L,封装是TO-252,参数性能优越,电压电流可达40V和50A,强耐高温。电感采用10uH/20A电感,3线1.0mm绕制,耐高温,电流大。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种车载电源稳压装置,其特征在于:包括主控MCU芯片和与主控MCU芯片电连接的MOSFET管(A)、MOSFET管(B)、MOSFET管(C)、MOSFET管(D)4个MOSFET管,所述的MOSFET管(A)、MOSFET管(B)、MOSFET管(C)、MOSFET管(D)4个MOSFET管串联布置,所述的电感并联于4个MOSFET管之间。

【技术特征摘要】
1.一种车载电源稳压装置,其特征在于:包括主控MCU芯片和与主控MCU芯片电连接的MOSFET管(A)、MOSFET管(B)、MOSFET管(C)、MOSFET管(D)4个MOSFET管,所述的MOSFET管(A)、MOSFET管(B)、MOSFET管(C)、MOSFET管(D)4个MOSFET管串联布置,所述的电感并联于4个MOSFET管之间。2.根据权利要求1所述的一种车载电源稳压装置,其特征在于:所述的电感与MOSFET管(B)、MOSFET管(C)串联的线段并联。3.根据权利要求1或2所述的一种车载电源稳压装置,其特征在于:所述的MOSFET管采用FDD8447L。4.根据权利要求1或2所述的一种车载电源稳压装置,其特征在于:所述的主控MCU芯片采用LTC3780芯片。5.根据权利要求1或2所述的一种车载电源稳压装置,其特征在于:所述的电感采用10uH/20A电感。6.一种根据权利要求1-5中任意一项所述的车载电源稳压装置的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:1)、输入电压接入主控MCU芯...

【专利技术属性】
技术研发人员:张全雷
申请(专利权)人:安徽国华光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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