A thin film transistor and its preparation method and thin film transistor driving backboard. The preparation process of this kind of thin film transistor is based on the preparation of an etching barrier by the self aligned exposure method, using the solution grade method instead of the plasma process to prepare the conductive film, avoiding the channel short circuit or electrical conductivity caused by the plasma. The preparation process of the invention is simple, the prepared thin film transistor is stable, the parasitic capacitance is low, and the conductive performance is stable, and the thin film transistor driving backboard can be made with high specification, high precision and low cost.
【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法以及薄膜晶体管驱动背板
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种抑制寄生电容产生的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及薄膜晶体管驱动背板。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT,ThinFilmTransistor)是一种电学开关薄膜器件,主要应用于控制和驱动液晶显示器(LCD,LiquidCrystalDisplay)、有机发光二极管(OLED,OrganicLight-EmittingDiode)显示器的子像素,是平板显示领域中最重要的电子器件之一。底栅型薄膜晶体管膜层由下至上主要包括:栅极、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极,以及后续的钝化层、引线等等。源漏电极和栅极的覆盖面如果在垂直方向上存在交集或者重叠,就容易产生寄生电容,影响薄膜晶体管所构成的驱动阵列的RC充电时间,进而影响提高驱动背板刷新频率。因此,抑制寄生电容产生的手段一般是避免栅极和源漏电极的重叠。中国专利CN103094205B公开了一种处理方式,如专利说明书图5~图7所示,在制备完刻蚀阻挡层06之后,涂覆一层正性光刻胶10,通过栅极自对准的方式,从下至上进行紫外线照射,只有在垂直方向上和栅极03重叠的光刻胶得以保留,接下来对没有光刻胶覆盖的刻蚀阻挡层进行刻蚀,如此一来,刻蚀阻挡层06在垂直方向上的图形完全和栅极03重叠。接下来,对有源层05进行等离子体(plasma)处理,被刻蚀阻挡层遮挡的部分保持原样,暴露出来的部分转化成高导薄膜,之后继续制备钝化层和引出电极。高导薄膜理论上与栅极没有垂直方向上的图形重叠,因此可以有效的抑制寄生电容产生。目前,金属氧化物薄 ...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤:a.在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层;b.在所述栅极金属层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜作为有源层;d.在所述有源层上沉积第二绝缘薄膜;e.使用自对准曝光方法图形化所述第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层;具体是:在所述第二绝缘薄膜上覆盖正性光刻胶;使用栅极金属层作为自对准光刻掩模板;将紫外光由衬底一侧入射,对所述正性光刻胶进行曝光;经显影后,得到与栅极金属层形状一致的正性光刻胶;利用正性光刻胶作为掩膜,使用刻蚀的方法图形化第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层;f.采用溶液级法在有源层表面制备导电薄膜,之后去除光刻胶;g.将有源层和导电薄膜同时图形化,形成有源层区域和导电增强层区域;h.在刻蚀阻挡层上沉积第三绝缘薄膜,并图形化形成保护层,保护层留有用于源漏电极信号连接的接触区域;i.在保护层上制备并图形化金属薄膜层,作为源漏电极的连接导线,完成薄膜晶体管的制备。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤:a.在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层;b.在所述栅极金属层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜作为有源层;d.在所述有源层上沉积第二绝缘薄膜;e.使用自对准曝光方法图形化所述第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层;具体是:在所述第二绝缘薄膜上覆盖正性光刻胶;使用栅极金属层作为自对准光刻掩模板;将紫外光由衬底一侧入射,对所述正性光刻胶进行曝光;经显影后,得到与栅极金属层形状一致的正性光刻胶;利用正性光刻胶作为掩膜,使用刻蚀的方法图形化第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层;f.采用溶液级法在有源层表面制备导电薄膜,之后去除光刻胶;g.将有源层和导电薄膜同时图形化,形成有源层区域和导电增强层区域;h.在刻蚀阻挡层上沉积第三绝缘薄膜,并图形化形成保护层,保护层留有用于源漏电极信号连接的接触区域;i.在保护层上制备并图形化金属薄膜层,作为源漏电极的连接导线,完成薄膜晶体管的制备。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤f中的溶液级法为旋涂法、刮涂法、喷涂法或者喷墨打印法中的一种或两种以上的任意组合;所述步骤f中制备的导电薄膜的材料为银纳米线、碳纳米管、金纳米颗粒或者ZnAlO、InZnO、ZnSnO或者GaZnO中的至少一种。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤g具体是使用黄光工艺将有源层和导电薄膜同时图形化,形成有源层区域和导电增强层区域。...
【专利技术属性】
技术研发人员:李民,徐苗,张伟,周雷,庞佳为,王磊,邹建华,陶洪,彭俊彪,
申请(专利权)人:广州新视界光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。