The invention provides a P type thin film transistor and a preparation method. The method comprises the following steps: forming an active layer of P type material on a buffer layer, forming a gate insulating layer on the active layer, depositing metal to form a gate metal layer on the gate insulating layer, forming a photoresist layer on the gate metal layer, and graphing the photoresist layer; a grid of grids; The polar metal layer is etched to form the gate, so that the grid projection on the graphical photoresist is located in the graphical photoresist layer, and the graphical optical resistance layer is used as the barrier layer to etch the gate insulating layer, so that the grid projection on the gate insulating layer is located in the gate edge layer, and the gate insulating layer is on the active layer. The projection is located in the active layer, and the two sides of the active layer under the etched gate insulating layer are processed, and the source and drain are formed on the conductor area on the active layer. The invention can reduce the parasitic capacitance of the P type thin film transistor and reduce the leakage current of the P type thin film transistor.
【技术实现步骤摘要】
一种P型薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种P型薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
在传统TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)面板中,薄膜晶体管的有源层一般采用N型材料(如铟镓锌氧化物,氧化铟锡锌),因此在TFT-LCD面板中,采用N型薄膜晶体管较多。而在AMOLED(Active-matrixorganiclightemittingdiode,有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)面板中,采用P型薄膜晶体管较多。随着显示面板尺寸增大以及高分辨率的要求,降低P型薄膜晶体管的寄生电容,以减小P型薄膜晶体管的漏电流,更有助于实现AMOLED面板的高分辨率要求。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术提供一种P型薄膜晶体管及其制备方法,可以降低P型薄膜晶体管的寄生电容,减小P型薄膜晶体管的漏电流。本专利技术提供的一种P型薄膜晶体管的制备方法,包括下述步骤:在缓冲层上形成P型材料有源层;在所述有源层上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上沉积金属形成栅极金属层;在所述栅极金属层上形成光阻层,并图形化所述光阻层;对所述栅极金属层进行刻蚀形成栅极,使得所述栅极在图形化的光阻层上的投影位于图形化的光阻层内;利用图形化的光阻层作为阻挡层,对所述栅极绝缘层进行刻蚀,使得所述栅极在所述栅极绝缘层上的投影位于所述栅极绝缘层内,所述栅极绝缘层在所述有源层上的投影位于所述有源层内;将所述有源层上位于刻蚀后的栅极绝缘层下方的两侧区域进行导体化处理;在所述有源层上的导体化区域上形成源极和漏极。优选地,还包括下述步骤:在所述缓冲层上形成层间绝缘层, ...
【技术保护点】
1.一种P型薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:在缓冲层上形成P型材料有源层;在所述有源层上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上沉积金属形成栅极金属层;在所述栅极金属层上形成光阻层,并图形化所述光阻层;对所述栅极金属层进行刻蚀形成栅极,使得所述栅极在图形化的光阻层上的投影位于图形化的光阻层内;利用图形化的光阻层作为阻挡层,对所述栅极绝缘层进行刻蚀,使得所述栅极在所述栅极绝缘层上的投影位于所述栅极绝缘层内,所述栅极绝缘层在所述有源层上的投影位于所述有源层内;将所述有源层上位于刻蚀后的栅极绝缘层下方的两侧区域进行导体化处理;在所述有源层上的导体化区域上形成源极和漏极。
【技术特征摘要】
1.一种P型薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:在缓冲层上形成P型材料有源层;在所述有源层上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上沉积金属形成栅极金属层;在所述栅极金属层上形成光阻层,并图形化所述光阻层;对所述栅极金属层进行刻蚀形成栅极,使得所述栅极在图形化的光阻层上的投影位于图形化的光阻层内;利用图形化的光阻层作为阻挡层,对所述栅极绝缘层进行刻蚀,使得所述栅极在所述栅极绝缘层上的投影位于所述栅极绝缘层内,所述栅极绝缘层在所述有源层上的投影位于所述有源层内;将所述有源层上位于刻蚀后的栅极绝缘层下方的两侧区域进行导体化处理;在所述有源层上的导体化区域上形成源极和漏极。2.根据权利要求1所述的P型薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,还包括下述步骤:在所述缓冲层上形成层间绝缘层,且所述层间绝缘层覆盖所述栅极;在所述层间介质层上形成两个过孔,且所述两个过孔位于所述有源层上的导体化区域上方;在所述有源层上的导体化区域上形成源极和漏极,具体为:在所述层间绝缘层上方形成源极和漏极,且所述源极和所述漏极分别通过所述两个过孔与所述有源层上的导体化区域连接。3.根据权利要求2所述的P型薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,还包括下述步骤:在所述层间绝缘层上形成钝化层,且所述钝化层覆盖所述源极和所述漏极;其中,所述钝化层的厚度范围为1000~5000埃米,所述钝化层包含至少一层SiOx和/或至少一层SiNx。4.根据权利要求2所述的P型薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,所述层间绝缘层的厚度范围为2000~10000埃米;所述层间介质层包含至少一层SiOx和/或至少一层SiNx。5.根据权利要求1所述的P型薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,还包括下述步骤:在玻璃基板上形成所述缓冲层;在对所述栅极金属层进行刻蚀形成栅极之后且在所述有源层进行导体化处理前,或者在所述有源层进行导体化处理后去除所述光阻层;所述缓冲层的厚度范围为1000~5000埃米;所述缓冲层包含至少一层SiOx和/或至少一层SiNx。6.根据权利要求1所述的P型薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,采用湿法刻蚀的方式对所述栅极金属层进行刻蚀形成所述栅极,采用干法刻蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员:余明爵,徐源竣,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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