非易失性存储器的驱动电路制造技术

本发明专利技术提供一种非易失性存储器的驱动电路。该驱动电路包括：一第一驱动器、一切换电路与一第二驱动器。第一驱动器接收一输入信号与一反相的输入信号，并产生一驱动信号。切换电路，接收该驱动信号与一第一模式信号，并在一输出端产生一输出信号。第二驱动器，连接于该输出端。

The driving circuit of nonvolatile memory

The invention provides a drive circuit for a non-volatile memory. The driving circuit comprises a first driver, a switching circuit and a second driver. The first driver receives an input signal and a reverse input signal, and generates a driving signal. The switching circuit receives the driving signal and a first mode signal, and generates an output signal at an output terminal. The second drive is connected to the output end.

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器的驱动电路
本专利技术涉及一种驱动电路，且特别涉及一种运用于非易失性存储器的驱动电路。
技术介绍
众所周知，非易失性存储器可在电源消失之后，仍可保存数据，因此非易失性存储器已经广泛的运用于电子产品中。再者，非易失性存储器中包括多个非易失性存储器胞(non-volatilecell)排列而成非易失性存储器胞阵列(non-volatilecellarray)，而每个非易失性存储器胞中皆包含一浮动栅晶体管(floatinggatetransistor)。请参照图1，其所绘示为易失性存储器示意图。非易失性存储器中包括一非易失性存储器胞阵列110与一驱动电路(drivingcircuit)120。其中，驱动电路120连接至非易失性存储器胞阵列110，且驱动电路120可在各种运作模式下提供各种驱动信号OUT至非易失性存储器胞阵列110。举例来说，根据非易失性存储器胞阵列的运作模式，驱动电路120提供适当的驱动信号OUT来操控非易失性存储器胞阵列110进行读取运作(readoperation)或者编程运作(programoperation)。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提出一种非易失性存储器中的驱动电路，可在高温的环境下，稳定地提供驱动信号至非易失性存储器胞阵列。本专利技术涉及一种驱动电路，包括：一第一晶体管，其源极与体极连接至一第一供应电压，漏极连接至一节点a1、栅极连接至一节点b1或一节点b2；一第二晶体管，其源极与体极连接至该第一供应电压，漏极连接至该节点b1、栅极连接至一节点a1或一节点a2；一第三晶体管，其源极连接至一第二供应电压，体极连接至该第一供应电压或该节点a1，漏极与栅极连接至该节点a1；一第四晶体管，其源极连接至该第二供应电压，体极连接至该第一供应电压或该节点b1，漏极与栅极连接至该节点b1；一第五晶体管，其源极与体极连接至该节点a1，栅极连接至该第二供应电压、漏极连接至该节点a2；一第六晶体管，其源极与体极连接至该节点b1，栅极连接至该第二供应电压、漏极连接至该节点b2；其中，该节点b2产生一驱动信号；一第七晶体管，其源极与体极连接至该节点a2，栅极连接至一第三供应电压、漏极连接至一节点a3；一第八晶体管，其源极与体极连接至该节点b2，栅极连接至该第三供应电压、漏极连接至一节点b3；一第九晶体管，其漏极连接至该节点a3、栅极连接至一第四供应电压、源极连接至一节点a4、体极连接至一第五供应电压，其中该第四供应电压异于该第三供应电压；一第十晶体管，其漏极连接至该节点b3、栅极连接至该第四供应电压、源极连接至一节点b4、体极连接至该第五供应电压；一第十一晶体管，其漏极连接至该节点a4、栅极接收一输入信号、源极与体极连接至该第五供应电压；一第十二晶体管，其漏极连接至该节点b4、栅极接收一反相的输入信号、源极连接至一第六供应电压、体极连接至该第五供应电压；一第一偏压电路，连接至该节点a2；以及一第二偏压电路，连接至该节点b2。本专利技术涉及一种驱动电路，包括：一第一驱动器，包括：一第一晶体管，其源极与体极连接至一第一供应电压，漏极连接至一节点a1、栅极连接至一节点b1或一节点b2；一第二晶体管，其源极与体极连接至该第一供应电压，漏极连接至该节点b1、栅极连接至一节点a1或一节点a2；一第三晶体管，其源极连接至一第二供应电压，体极连接至该第一供应电压或该节点a1，漏极与栅极连接至该节点a1；一第四晶体管，其源极连接至该第二供应电压，体极连接至该第一供应电压或该节点b1，漏极与栅极连接至该节点b1；一第五晶体管，其源极与体极连接至该节点a1，栅极连接至该第二供应电压、漏极连接至该节点a2；一第六晶体管，其源极与体极连接至该节点b1，栅极连接至该第二供应电压、漏极连接至该节点b2；一第七晶体管，其源极与体极连接至该节点a2，栅极连接至一第三供应电压、漏极连接至一节点a3；一第八晶体管，其源极与体极连接至该节点b2，栅极连接至该第三供应电压、漏极连接至一节点b3；一第九晶体管，其漏极连接至该节点a3、栅极连接至一第四供应电压、源极连接至一节点a4、体极连接至一第五供应电压，其中该第四供应电压异于该第三供应电压；一第十晶体管，其漏极连接至该节点b3、栅极连接至该第四供应电压、源极连接至一节点b4、体极连接至该第五供应电压；一第十一晶体管，其漏极连接至该节点a4、栅极接收一输入信号、源极与体极连接至该第五供应电压；一第十二晶体管，其漏极连接至该节点b4、栅极接收一反相的输入信号、源极连接至一第六供应电压、体极连接至该第五供应电压；一第一偏压电路，连接至该节点a2；以及一第二偏压电路，连接至该节点b2；一第一切换电路，连接于该节点b2与一第一输出端之间；以及一第二驱动器，连接于该第一输出端，且该第一输出端产生一第一输出信号。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：附图说明图1所所绘示为易失性存储器示意图。图2所绘示为本专利技术的第一实施例非易失性存储器的驱动电路。图3A所绘示为本专利技术的第二实施例运用于非易失性存储器的驱动电路。图3B所绘示为本专利技术第二实施例中的第一偏压电路。图3C所绘示为本专利技术第二实施例中的第二偏压电路。图4A所绘示为本专利技术的第三实施例运用于非易失性存储器的驱动电路。图4B所绘示为本专利技术第三实施例中的第三偏压电路。图4C所绘示为本专利技术第三实施例中的第四偏压电路。图4D所绘示为本专利技术第三实施例驱动电路运作于各种操作状态时的真值表。【符号说明】110：非易失性存储器胞阵列120、200、300：驱动电路310、320、430、440：偏压电路400、460、465：驱动器450、455：切换电路具体实施方式请参照图2，其所绘示为本专利技术的第一实施例非易失性存储器的驱动电路。驱动电路200可提供一驱动信号OUT至非易失性存储器胞阵列(未绘示)。驱动电路200包括：包括多个p型晶体管m1～m8，以及多个n型晶体管m9～m12。其中，晶体管m1～m4的体极(bodyterminal)连接至第一供应电压Vpp1，晶体管m9～m12的体极连接至第五供应电压Vnn，第一供应电压Vpp1有最高的电压值，第五供应电压Vnn有最低的电压值。晶体管m1源极连接至第一供应电压Vpp1、栅极连接至节点b2、漏极连接至节点a1；晶体管m2源极连接至第一供应电压Vpp1、栅极连接至节点a2、漏极连接至节点b1；晶体管m3源极连接至第二供应电压Vpp2、栅极与漏极连接至节点a1；晶体管m4源极连接至第二供应电压Vpp2、栅极与漏极连接至节点b1。另外，第一实施例的晶体管m3与晶体管m4的体极连接至连接至第一供应电压Vpp1。在此领域的技术人员也可以将晶体管m3的体极连接至节点a1，并将晶体管m4的体极连接至节点b1，以降低体极效应(bodyeffect)。另外，第一实施例的晶体管m1与晶体管m2的栅极分别连接至节点b2与节点a2。在此领域的技术人员也可以将晶体管m1的栅极连接至节点b1，并将晶体管m2的栅极连接至节点a1。如此，晶体管m1与晶体管m2的栅极与源极之间的电压差(voltagedifference)会比第一实施例中晶体管m1与晶体管m2的栅极与源极之间的电压差还要小，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种驱动电路，连接至非易失性存储器胞阵列，该驱动电路包括：第一晶体管，其源极与体极连接至第一供应电压，漏极连接至节点(a1)、栅极连接至节点(b1)或节点(b2)；第二晶体管，其源极与体极连接至该第一供应电压，漏极连接至该节点(b1)、栅极连接至节点(a1)或节点(a2)；第三晶体管，其源极连接至第二供应电压，体极连接至该第一供应电压或该节点(a1)，漏极与栅极连接至该节点(a1)；第四晶体管，其源极连接至该第二供应电压，体极连接至该第一供应电压或该节点(b1)，漏极与栅极连接至该节点(b1)；第五晶体管，其源极与体极连接至该节点(a1)，栅极连接至该第二供应电压、漏极连接至该节点(a2)；第六晶体管，其源极与体极连接至该节点(b1)，栅极连接至该第二供应电压、漏极连接至该节点(b2)；其中，该节点(b2)产生驱动信号；第七晶体管，其源极与体极连接至该节点(a2)，栅极连接至第三供应电压、漏极连接至节点(a3)；第八晶体管，其源极与体极连接至该节点(b2)，栅极连接至该第三供应电压、漏极连接至节点(b3)；第九晶体管，其漏极连接至该节点(a3)、栅极连接至第四供应电压、源极连接至节点(a4)、体极连接至第五供应电压，其中该第四供应电压异于该第三供应电压；第十晶体管，其漏极连接至该节点(b3)、栅极连接至该第四供应电压、源极连接至节点(b4)、体极连接至该第五供应电压；第十晶体管，其漏极连接至该节点(a4)、栅极接收输入信号、源极与体极连接至该第五供应电压；第十二晶体管，其漏极连接至该节点(b4)、栅极接收反相的输入信号、源极连接至第六供应电压、体极连接至该第五供应电压；第一偏压电路，连接至该节点(a2)；以及第二偏压电路，连接至该节点(b2)。...

【技术特征摘要】
2017.01.10 US 62/444,379;2017.06.23 US 15/631,3841.一种驱动电路，连接至非易失性存储器胞阵列，该驱动电路包括：第一晶体管，其源极与体极连接至第一供应电压，漏极连接至节点(a1)、栅极连接至节点(b1)或节点(b2)；第二晶体管，其源极与体极连接至该第一供应电压，漏极连接至该节点(b1)、栅极连接至节点(a1)或节点(a2)；第三晶体管，其源极连接至第二供应电压，体极连接至该第一供应电压或该节点(a1)，漏极与栅极连接至该节点(a1)；第四晶体管，其源极连接至该第二供应电压，体极连接至该第一供应电压或该节点(b1)，漏极与栅极连接至该节点(b1)；第五晶体管，其源极与体极连接至该节点(a1)，栅极连接至该第二供应电压、漏极连接至该节点(a2)；第六晶体管，其源极与体极连接至该节点(b1)，栅极连接至该第二供应电压、漏极连接至该节点(b2)；其中，该节点(b2)产生驱动信号；第七晶体管，其源极与体极连接至该节点(a2)，栅极连接至第三供应电压、漏极连接至节点(a3)；第八晶体管，其源极与体极连接至该节点(b2)，栅极连接至该第三供应电压、漏极连接至节点(b3)；第九晶体管，其漏极连接至该节点(a3)、栅极连接至第四供应电压、源极连接至节点(a4)、体极连接至第五供应电压，其中该第四供应电压异于该第三供应电压；第十晶体管，其漏极连接至该节点(b3)、栅极连接至该第四供应电压、源极连接至节点(b4)、体极连接至该第五供应电压；第十晶体管，其漏极连接至该节点(a4)、栅极接收输入信号、源极与体极连接至该第五供应电压；第十二晶体管，其漏极连接至该节点(b4)、栅极接收反相的输入信号、源极连接至第六供应电压、体极连接至该第五供应电压；第一偏压电路，连接至该节点(a2)；以及第二偏压电路，连接至该节点(b2)。2.如权利要求1所述的驱动电路，其中该第一偏压电路包括：第十三晶体管，栅极接收第一特定电压、漏极连接至该节点(a2)；以及第十四晶体管，源极连接至该第十三晶体管的源极、栅极接收该反相的输入信号、漏极连接至第二特定电压。3.如权利要求2所述的驱动电路，其中该第二偏压电路包括：第十五晶体管，栅极接收第三特定电压、漏极连接至该节点(b2)；以及第十六晶体管，源极连接至该第十五晶体管的源极、栅极接收该输入信号、漏极接收第四特定电压。4.如权利要求3所述的驱动电路，其中该第十三晶体管的体极连接至该第五供应电压，该第十四晶体管的体极与漏极相互连接，该第十五晶体管的体极连接至该第五供应电压，该第十六晶体管的体极与漏极相互连接。5.如权利要求3所述的驱动电路，其中该第二特定电压小于等于该第一特定电压；以及该第四特定电压小于等于该第三特定电压。6.如权利要求1所述的驱动电路，其中该第一供应电压大于等于该第二供应电压，该第二供应电压大于等于该第三供应电压，该第三供应电压大于该第四供应电压。7.一种驱动电路，连接至非易失性存储器胞阵列，该驱动电路包括：第一驱动器，包括：第一晶体管，其源极与体极连接至第一供应电压，漏极连接至节点(a1)、栅极连接至节点(b1)或节点(b2)；第二晶体管，其源极与体极连接至该第一供应电压，漏极连接至该节点(b1)、栅极连接至节点(a1)或节点(a2)；第三晶体管，其源极连接至第二供应电压，体极连接至该第一供应电压或该节点(a1)，漏极与栅极连接至该节点(a1)；第四晶体管，其源极连接至该第二供应电压，体极连接至该第一供应电压或该节点(b1)，漏极与栅极连接至该节点(b1)；第五晶体管，其源极与体极连接至该节点(a1)，栅极连接至该第二供应电压、漏极连接至该节点(a2)；第六晶体管，其源极与体极连接至该节点(b1)，栅极连接至该第二供应电压、漏极连接至该节点(b2)；第七晶体管，其源极与体极连接至该节点(a2)，栅极连接至第三供应电压、漏极连接至节点(a3)；第八晶体管，其源极与体极连接至该节点(b2)，栅极连接至该第三供应电...

【专利技术属性】
技术研发人员：柏正豪，张武昌，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71