The invention discloses a boosting protection circuit, which comprises a first transistor, a second transistor, a third transistor and a four transistor. The first transistor, the second transistor and the first end of the four transistor are coupled to receive the writing voltage. The third transistor control terminal is used to receive the working voltage. The second end of the fourth transistor is used to output the write voltage when the fourth transistor is turned on. When the write voltage is unanticipated and the working voltage is not boosted, the first transistor is on, the second transistor is cutoff, and the four transistor is cutoff to avoid the second end of the fourth transistor to write the write voltage.
【技术实现步骤摘要】
升压保护电路
本专利技术涉及一种升压保护电路,特别是涉及一种具有避免电压被非预期升压功能的升压保护电路。
技术介绍
非挥发性内存(Non-VolatileMemory,NVM)是一种在没有电力供应至内存区块的情况下,仍然能够维持原本储存的数据的内存。非挥发性内存可应用于许多设备,例如磁性装置、光盘片、闪存或是其它半导体制程的记忆装置。非挥发性内存可分为电子式寻址系统(ElectricallyAddressedSystems)的内存,例如只读存储器(Read-OnlyMemory),以及机械式寻址系统(MechanicallyAddressedSystems)的内存,例如硬盘、光盘、磁带等装置。并且,非挥发性内存不需要将本身储存的数据做周期性地更新。因此,非挥发性内存常被用来当成备份数据的装置或是能长时间储存数据的装置。为了驱动非挥发性内存的内部电路,各种不同的电压会被依序用来控制以及致能非挥发性内存。举例而言,输入至内部电路的工作电压可被用来控制内部电路的核心电路(CoreCircuit)。输入至内部电路的输入/输出电压(I/OVoltage)可被用来控制内部电路的输入/输出装置。输入至内部电路的写入电压可被用来控制内部电路的数据存取操作。藉由适当调整这些不同的电压,非挥发性内存即可正常地被驱动。并且,在这些电压中,内部电路的工作电压必须要先被升压。在非挥发性内存的内部电路中,当输入的电压非预期地升压时(例如写入电压非预期地升压),且工作电压尚未升压时(例如写入电压在工作电压的前就升压),非挥发性内存的内部电路就会进入异常的操作状态,将导致功率消耗以及电路 ...
【技术保护点】
1.一种升压保护电路,其特征在于,包括:第一晶体管,包括:第一端,用以接收写入电压;控制端;及第二端;第二晶体管,包括:第一端,耦接于所述第一晶体管的所述第一端;控制端,耦接于所述第一晶体管的所述第二端;及第二端,耦接于所述第一晶体管的所述控制端;第三晶体管,包括:第一端,耦接于所述第一晶体管的所述第二端;控制端,用以接收工作电压;及第二端,用以接收接地电压;及第四晶体管,包括:第一端,耦接于所述第二晶体管的所述第一端;控制端,耦接于所述第一晶体管的所述第二端;及第二端,用以在所述第四晶体管导通时输出所述写入电压。
【技术特征摘要】
2017.01.10 US 15/402,2421.一种升压保护电路,其特征在于,包括:第一晶体管,包括:第一端,用以接收写入电压;控制端;及第二端;第二晶体管,包括:第一端,耦接于所述第一晶体管的所述第一端;控制端,耦接于所述第一晶体管的所述第二端;及第二端,耦接于所述第一晶体管的所述控制端;第三晶体管,包括:第一端,耦接于所述第一晶体管的所述第二端;控制端,用以接收工作电压;及第二端,用以接收接地电压;及第四晶体管,包括:第一端,耦接于所述第二晶体管的所述第一端;控制端,耦接于所述第一晶体管的所述第二端;及第二端,用以在所述第四晶体管导通时输出所述写入电压。2.如权利要求1所述的升压保护电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管及所述第四晶体管是P型金属氧化物半导体场效晶体管。3.如权利要求1所述的升压保护电路,其特征在于,所述第三晶体管是N型金属氧化物半导体场效晶体管。4.如权利要求1所述的升压保护电路,其特征在于,当所述写入电压非预期地升压且所述工作电压尚未升压时,所述第一晶体管为导通,所述第二晶体管为截止,及所述第四晶体管为截止,以避免所述第四晶体管的所述第二端输出所述写入电压。5.如权利要求4所述的升压保护电路,其特征在于,所述第四晶体管的所述控制端的电压近似所述写入电压,且所述第一晶体管的所述控制端的电压近似所述写入电压的一半。6.如权利要求4所述的升压保护电路,其特征在于,所述第四晶体管的所述第一端与所述控制端间产生寄生电容,以使当所述写入电压非预期地升压且所述工作电压尚未升压时,所述第四晶体管的所述控制端的所述电压的升压速度快于所述第一晶体管的所述控制端的所述电压的升压速度。7.如权利要求1所述的升压保护电路,其特征在于,还包括:电容,包括:第一端,耦接于所述第一晶体管的所述第一端;及第二端,耦接于所述第一晶体管的所述第二端。8.如权利要求7所述的升压保护电路,其特征在于,所述电容是金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)电容。9.如权利要求7所述的升压保护电路,其特征在于,当所述写入电压非预期地升压且所述工作电压尚未升压时,所述第一晶体管为导通,所述第二晶体管为截止,及所述第四晶体管为截止,以避免所述第四晶体管的所述第二端输出所述写入电压。10.如权利要求9所述的升压保护电路,其特征在于,所述第四晶体管的所述控制端的电压近似所述写入电压,且所述第一晶体管的所述控制端的电压近似所述写入电压的一半。11.如权利要求10所述的升压保护电路,其特征在于,所述第四晶体管的所述第一端与所述控制端间产生寄生电容,以使当所述写入电压非预期地升压且所述工作电压尚未升压时,所述第四晶体管的所述控制端的所述电压的升压速度快于所述第一晶体管的所述控制端的所述电压的升压速度。12.如权利要求1所述的升压保护电路,其特征在于,还包括:第五晶体管,包括:第一端,耦接于所述第二晶体管的所述第二端;控制端,耦接于所述第一晶体管的所述第二端;及第二端,用以接收所述接地电压。13.如权利要求12所述的升压保护电路,其特征在于,所述第五晶体管是N型金属氧化物半导体场效晶体管。14.如权利要求12所述的升压保护电路,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:李玠泽,陈致均,黄正达,林俊宏,
申请(专利权)人:力旺电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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