The present application discloses a pixel circuit, a driving method and a display device. The pixel circuit comprises a first film transistor, a second thin film transistor, a third thin film transistor, a fourth thin film transistor, a fifth thin film transistor, a sixth thin film transistor, a storage capacitor, and a light-emitting diode. In the light phase of the pixel circuit, when the pixel circuit shows in a dark state, there is only one leakage path in the pixel circuit, so it can increase the gate voltage of the drive film transistor, reduce the current generated by the drive thin film transistor, and then reduce the current flowing through the light emitting two pole tube, so that because of the pixels in the pixel. When the circuit is displayed in dark state, the current flowing through the LED can be reduced, so the contrast of the display device can be improved.
【技术实现步骤摘要】
像素电路及其驱动方法、显示装置
本申请涉及显示
,尤其涉及一种像素电路及其驱动方法、显示装置。
技术介绍
有机发光显示装置是一种应用有机发光二极管作为发光器件的显示装置,具有对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、低功耗等特点,被越来越多地应用到各个显示以及照明领域。通常,根据驱动方式的不同,有机发光显示装置可以分为主动矩阵有机发光显示装置以及被动矩阵有机发光显示装置。针对主动矩阵有机发光装置而言,可以包含多个像素电路,每个像素电路可以包含驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、存储电容以及发光二极管,其中,在像素电路的发光阶段,存储电容可以作用于驱动薄膜晶体管,使得驱动薄膜晶体管输出电流至发光二极管,驱动发光二极管发光。然而,在实际应用中,像素电路中的驱动薄膜晶体管不可避免地存在漏电流,这样,在像素电路显示处于暗态时,该漏电流会流经发光二极管,使得发光二极管发出肉眼可辨的光,降低了有机发光显示装置的对比度。
技术实现思路
本申请实施例提供一种像素电路及其驱动方法、显示装置,用于解决现有的显示装置中,由于驱动薄膜晶体管的漏电流导致的显示装置的对比度较低的问题。本申请实施例提供一种像素电路,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、存储电容以及发光二极管,其中:所述第一薄膜晶体管的栅极分别与所述存储电容的一端以及所述第三薄膜晶体管的漏极连接,所述存储电容的另一端分别与所述第五薄膜晶体管的漏极以及第一电源连接;所述第一薄膜晶体管的漏极分别与所述第五薄膜晶体管的源极以及所述第二薄膜晶体管的漏极连接,所述第二薄膜 ...
【技术保护点】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、存储电容以及发光二极管,其中:所述第一薄膜晶体管的栅极分别与所述存储电容的一端以及所述第三薄膜晶体管的漏极连接,所述存储电容的另一端分别与所述第五薄膜晶体管的漏极以及第一电源连接;所述第一薄膜晶体管的漏极分别与所述第五薄膜晶体管的源极以及所述第二薄膜晶体管的漏极连接,所述第二薄膜晶体管的源极与数据线连接;所述第一薄膜晶体管的源极分别与所述第三薄膜晶体管的源极、所述第四薄膜晶体管的漏极以及所述第六薄膜晶体管的漏极连接,所述第四薄膜晶体管的源极与初始电压信号线连接,所述第六薄膜晶体管的源极与所述发光二极管的阳极连接,所述发光二极管的阴极与第二电源连接。
【技术特征摘要】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、存储电容以及发光二极管,其中:所述第一薄膜晶体管的栅极分别与所述存储电容的一端以及所述第三薄膜晶体管的漏极连接,所述存储电容的另一端分别与所述第五薄膜晶体管的漏极以及第一电源连接;所述第一薄膜晶体管的漏极分别与所述第五薄膜晶体管的源极以及所述第二薄膜晶体管的漏极连接,所述第二薄膜晶体管的源极与数据线连接;所述第一薄膜晶体管的源极分别与所述第三薄膜晶体管的源极、所述第四薄膜晶体管的漏极以及所述第六薄膜晶体管的漏极连接,所述第四薄膜晶体管的源极与初始电压信号线连接,所述第六薄膜晶体管的源极与所述发光二极管的阳极连接,所述发光二极管的阴极与第二电源连接。2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一电源,用于为所述第一薄膜晶体管提供电源电压;所述发光二极管发光时电流流入所述第二电源。3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述初始电压信号线提供初始电压信号,所述初始电压信号为负电压,用于对所述第一薄膜晶体管的栅极和源极进行初始化。4.如权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述第五薄膜晶体管的栅极以及所述第六薄膜晶体管的栅极与第一扫描线连接,所述第一扫描线提供的第一扫描信号控制所述第五薄膜晶体管以及所述第六薄膜晶体管处于导通状态时,所述发光二极管发光;所述第三薄膜晶体管的栅极与第二扫描线连接,所述第二扫描线提供的第二扫描信号控制所述第三薄膜晶体管处于导通状态时,对所述第一薄膜晶体管的阈值电压进行补偿;所述第四薄膜晶体管的栅极与第三扫描线连接,所述第三扫描线提供的第三扫描信号控制所述第四薄膜晶体管处于导通状态时,对所述第一薄膜晶体管的栅极和源极进行初始化;所述第二薄膜晶体管的栅极与第四扫描线连接,所述第四扫描线提供的第四扫描信号控制所述第二薄膜晶体管处于导通状态时,所述数据线提供的数据电压向所述第一薄膜晶体管的漏极施加电压。5.如权利要求4所述的像素电路,其特征在于,在所述第一电源向所述第一薄膜晶体管的漏极施加电源电压,所述像素电路显示处于暗态时,所述第一薄膜晶体管的漏电流流入所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:张九占,金波,朱晖,胡思明,韩珍珍,
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。