The present application discloses an anti coincidence ultra low background HPGe gamma spectrometer, including a sample room and a Dewar bottle. The sample chamber is provided with a closed cavity. The bottle mouth of the Dewar bottle is inserted with cold finger. The cold finger extends through the bottom of the closed cavity to the closed cavity. The cold finger is fixed at the end of the closed cavity with a HPGe detector. The sample room is from the sample room. The outer lead layer, plastic flicker layer, cadmium layer, inner lead layer and copper layer are set in turn, and the outer lead layer, plastic flash layer, cadmium layer, inner lead layer and copper layer all have closed inner cavity. The effect of natural radionuclides and secondary cosmic ray soft components on the counting rate of plastic scintillation detectors and the background of the spectrometer are eliminated. It can solve the problem of large background interference and low measurement accuracy in the testing process.
【技术实现步骤摘要】
反符合超低本底HPGeγ谱仪
本公开一般涉及环境监测领域,具体涉及核辐射监测领域,尤其涉及一种反符合超低本底HPGeγ谱仪。
技术介绍
低本底γ谱仪在辐射防护、环境监测、大气现象、食品卫生等方面都有重要的应用。随着人们对环境保护工作的日益重视,对放射性分析水平的下限也提出了更高的要求,特别是在样品放射性极其微弱的情况下,要求最大限度地降低本底。以HPGe为主探测器的γ谱仪本底成分的主要来源包括:(1)土壤及建筑材料中的天然放射性,主要是238U、232Th衰变的子体以及40K,也有重核自发裂变和(α,n)反应产生的中子;(2)屏蔽材料和探测原件中的放射性同位素和引入的放射性杂质或污染;(3)宇宙射线诱发的本底,包括μ子本身以及μ子在屏蔽材料上产生的中子、高能电子等产生的本底。如何降低本底减少测试过程中环境的干扰成为了行业问题。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种降低本底、提高测量准确性的反符合超低本底HPGeγ谱仪。第一方面,本专利技术的反符合超低本底HPGeγ谱仪,包括样品室和杜瓦瓶,样品室设置有封闭空腔,杜瓦瓶的瓶口插接有冷指,冷指穿过封闭空腔底部延伸至封闭空腔内,冷指位于封闭空腔内部的一端固定连接有HPGe探测器,样品室从外到内依次设置有外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层,外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层均设置有封闭内腔。根据本申请实施例提供的技术方案,通过外铅层初步降低环境γ和宇宙射线软成分;塑闪层起反符合屏蔽,降低宇宙射线硬成分和中子本底;镉片层吸收热中子,降低热中子本底;内铅层进一步屏蔽环境中的γ与热中子在镉上产生的γ ...
【技术保护点】
1.一种反符合超低本底HPGeγ谱仪,其特征在于,包括样品室和杜瓦瓶,所述样品室设置有封闭空腔,所述杜瓦瓶的瓶口插接有冷指,所述冷指穿过所述封闭空腔底部延伸至所述封闭空腔内,所述冷指位于所述封闭空腔内的一端固定连接有HPGe探测器,所述样品室从外到内依次设置有外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层,所述外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层均设置有封闭内腔。
【技术特征摘要】
1.一种反符合超低本底HPGeγ谱仪,其特征在于,包括样品室和杜瓦瓶,所述样品室设置有封闭空腔,所述杜瓦瓶的瓶口插接有冷指,所述冷指穿过所述封闭空腔底部延伸至所述封闭空腔内,所述冷指位于所述封闭空腔内的一端固定连接有HPGe探测器,所述样品室从外到内依次设置有外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层,所述外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层均设置有封闭内腔。2.根据权利要求1所述的反符合超低本底HPGeγ谱仪,其特征在于,所述封闭空腔底部设置有阶梯孔,所述冷指套接有阶梯轴,所述阶梯轴与所述阶梯孔套接配合使所述封闭空腔的内腔与外界隔绝,所述阶梯孔靠近所述封闭空腔的孔径大于所述阶梯孔远离所述封闭空腔的孔径。3.根据权利要求2所述的反符合超低本底HPGeγ谱仪,其特征在于,所述阶梯轴设置有铜轴和铅轴,所述铅轴设置在所述杜瓦瓶与所述铜轴之间,所述铜轴设置在所述铅轴与所述HPGe探测器之间,所述铅轴的直径大于所述铜轴的直径,所述铅轴与所述阶梯孔套接配合。4.根据权利要求3所述的反符合超低本底HPGeγ谱仪,其特征在于,所述铅轴外侧包覆有钢套,所述钢套与所述阶梯孔套接配合。5.根据权利要求2所述的反符合超低本底HPGeγ谱仪,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:常军林,
申请(专利权)人:卡迪诺科技北京有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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