氮化物荧光体及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种氮化物荧光体，是由下述通式(1)表示的氮化物荧光体，以455nm的激发光激发时的发光色坐标(x,y)的x值小于0.43，并且在770nm的反射率为89％以上。LnxSiyNn:Z…(1)(通式(1)中，Ln是除了作为激活剂使用的元素以外的稀土元素，Z是激活剂，x满足2.7≤x≤3.3，y满足5.4≤y≤6.6，n满足10≤n≤12)。

【技术实现步骤摘要】
氮化物荧光体及其制造方法本申请是中国申请号为201480007758.6的专利技术专利申请的分案申请(原申请的专利技术名称为“氮化物荧光体及其制造方法”，原申请的申请日为2014年02月06日)。
本专利技术涉及氮化物荧光体、含有该氮化物荧光体的液态介质、含有该氮化物荧光体的发光装置以及含有该发光装置的照明装置。
技术介绍
近年来，受节能的潮流的影响，使用LED的照明或背光灯的需求正在增加。这里使用的LED是在发出蓝或近紫外波长的光的LED芯片上配置有荧光体的白色发光LED。作为这种类型的白色发光LED，大多利用在蓝色LED芯片上使用了将来自蓝色LED芯片的蓝色光作为激发光而发出黄色的YAG(钇铝石榴石)荧光体的LED。但是，YAG荧光体在大输出功率下使用的情况下，存在以下问题：若荧光体的温度上升则亮度降低，即所谓的温度猝灭大的问题，以及寻求更优异的颜色再现范围和显色性而用近紫外线(通常，作为相对于蓝激发的用语，将包含350～420nm左右的紫色的范围称作近紫外线)激发时亮度显著降低的问题。而且，为解决上述问题，讨论了发黄色光的氮化物荧光体，作为其有力的候补，开发出了例如专利文献1和2中记载的La3Si6N11荧光体(包含镧被置换为其他金属的情况等，以下将这种荧光体统称为LSN荧光体。)等。而且，在专利文献1的[0248]段落中，在专利文献2中的[0131]～[0136]段落中记载了使用各种助熔剂制造LSN荧光体的方法。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2008/132954号专利文献2:国际公开第2010/114061号
技术实现思路
专利文献1、2中记载的LSN荧光体与现有的YAG荧光体相比，即使温度上升，亮度的降低也小，而且近紫外线的激发也能够得到充分的发光。但是，受节能的潮流的影响，要求荧光体用更少的激发能量就得到更高的发光亮度。鉴于上述，本专利技术提供一种发光亮度更高的、即发光峰强度更高的氮化物荧光体和含有该氮化物荧光体的液态介质。另外本专利技术提供一种发光亮度更高的发光装置和高品质的照明装置。本专利技术人等进行了深入研究，结果注意到本专利技术的氮化物荧光体与现有的LSN荧光体相比“灰暗”减少。应予说明，本专利技术中的“灰暗”是指在不激发荧光体的情况下在自然光下通过目视确认荧光体粉末时，看到荧光体的本身颜色略带灰色。在此，本专利技术人等着眼于该“灰暗”，发现作为规定发光亮度更高的氮化物荧光体的指标，能够通过特定波长下的反射率来进行规定，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的主旨如下。1.一种氮化物荧光体，是由下述通式(1)表示的氮化物荧光体，以455nm激发光激发时的发光色坐标(x,y)的x值小于0.43，并且在770nm的反射率Ra为89％以上。LnxSiyNn:Z…(1)[通式(1)中，Ln是除了作为激活剂使用的元素以外的稀土元素，Z是激活剂，x满足2.7≤x≤3.3，y满足5.4≤y≤6.6，n满足10≤n≤12。]2.一种氮化物荧光体，是由下述通式(1)表示的氮化物荧光体，以455nm激发光激发时的发光色坐标(x,y)的x值为0.43以上，并且在770nm的反射率Ra为87％以上。LnxSiyNn:Z…(1)[通式(1)中，Ln是除了作为激活剂使用的元素以外的稀土元素，Z是激活剂，x满足2.7≤x≤3.3，y满足5.4≤y≤6.6，n满足10≤n≤12。]3.一种含荧光体的组合物，其特征在于，含有前项1或2所述的氮化物荧光体和液体介质。4.一种发光装置，其特征在于，具备第1发光体和通过来自该第1发光体的光的照射而发出可见光的第2发光体，该第2发光体含有1种以上的前项1或2所述的氮化物荧光体作为第1荧光体。5.一种图像显示装置，其特征在于，包含前项4所述的发光装置作为光源。6.一种照明装置，其特征在于，包含前项4所述的发光装置作为光源。7.一种氮化物荧光体的制造方法，是具有多个煅烧工序的由下述通式(1)表示的氮化物荧光体的制造方法，在煅烧温度为1100℃～1400℃的一次煅烧工序后，使得到的一次煅烧完毕的原料再分散，在1次煅烧温度～1800℃的温度下进行2次煅烧。LnxSiyNn:Z…(1)[通式(1)中，Ln是除作为激活剂使用的元素以外的稀土元素，Z是激活剂，x满足2.7≤x≤3.3，y满足5.4≤y≤6.6，n满足10≤n≤12。]根据本专利技术，能够提供发光亮度更高的、即发光峰强度更高的氮化物荧光体和含有该氮化物荧光体的液态介质。另外，根据本专利技术，能够提供发光亮度更高的发光装置和高品质的照明装置。附图说明图1是对实施例1、实施例2和比较例1中得到的荧光体的发光光谱进行比较的图。图2是对实施例1、实施例2和比较例1中得到的荧光体的反射光谱(A)进行比较的图。图3是用于说明实施例1中得到的荧光体的粒子状态的SEM图像。图4是用于说明实施例2中得到的荧光体的粒子状态的SEM图像。图5是用于说明比较例1中得到的荧光体的粒子状态的SEM图像。图6是对实施例3和实施例4中得到的荧光体的发光光谱进行比较的图。图7是对实施例3和实施例4中得到的荧光体的反射光谱(A)进行比较的图。图8是对实施例5和比较例2中得到的荧光体的发光光谱进行比较的图。图9是对实施例5和比较例2中得到的荧光体的反射光谱(A)进行比较的图。图10是实施例6和实施例7中得到的荧光体的发光光谱的图。图11是实施例6和实施例7中得到的荧光体的反射光谱(A)的图。图12是实施例8和实施例9中得到的荧光体的发光光谱的图。图13是实施例8和实施例9中得到的荧光体的反射光谱(A)的图。图14是实施例6和实施例7中得到的荧光体的反射光谱(B)的图。图15是实施例8和实施例9中得到的荧光体的反射光谱(B)的图。图16表示对在本专利技术的发光装置的一个例子中的成为激发光源的第1发光体与作为具有荧光体的含荧光体部而构成的第2发光体的位置关系进行表示的立体示意图。图17(a)是表示通常被称为炮弹型的形态的发光装置的图。图17(b)是表示被称为表面贴装型的形态的发光装置的图。图18是表示装入发光装置的面发光照明装置的图。具体实施方式以下，详细说明本专利技术的实施方式，但本专利技术并不限定于以下的实施方式，可以在其主旨范围内实施各种变形。(荧光体的种类)本专利技术的荧光体是由下述通式(1)表示的氮化物荧光体。LnxSiyNn:Z…(1)[通式(1)中，Ln是除了作为激活剂使用的元素以外的稀土元素，Z是激活剂，x满足2.7≤x≤3.3，y满足5.4≤y≤6.6，n满足10≤n≤12。]通式(1)中的Z表示激活剂。作为激活剂，可举出铕(Eu)、铈(Ce)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)和镱(Yb)等。其中，Z优选含有Eu或Ce，更优选在全部激活剂中含有80摩尔％以上的Ce，进一步优选在全部激活剂中含有95摩尔％以上的Ce，最优选单独含有Ce。通式(1)中的Ln是除了作为上述激活剂使用的元素以外的稀土元素，例如可举出镧(La)、钇(Y)、钆(Gd)等。其中，Ln优选含有La，优选在全部Ln中含有80摩尔％以上的La，更优选含有95摩尔％以上的La，最优选单独含有La。对于单独含有La的氮化物荧光体，其氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化物荧光体，是由下述通式(1)表示的氮化物荧光体，以455nm的激发光激发时的发光色坐标(x，y)的x值小于0.43，并且在770nm的反射率Ra为89％以上，LnxSiyNn:Z…(1)通式(1)中，Ln是除了作为激活剂使用的元素以外的稀土元素，Z是激活剂，x满足2.7≤x≤3.3，y满足5.4≤y≤6.6，n满足10≤n≤12。

【技术特征摘要】
2013.02.07 JP 2013-0224441.一种氮化物荧光体，是由下述通式(1)表示的氮化物荧光体，以455nm的激发光激发时的发光色坐标(x，y)的x值小于0.43，并且在770nm的反射率Ra为89％以上，LnxSiyNn:Z…(1)通式(1)中，Ln是除了作为激活剂使用的元素以外的稀土元素，Z是激活剂，x满足2.7≤x≤3.3，y满足5.4≤y≤6.6，n满足10≤n≤12。2.一种氮化物荧光体，是由下述通式(1)表示的氮化物荧光体，以455nm的激发光激发时的发光色坐标(x,y)的x值为0.43以上，并且，在770nm的反...

【专利技术属性】
技术研发人员：下冈智，大户章裕，高阶志保，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP