声波谐振器及制造声波谐振器的方法技术

本公开提供一种声波谐振器及制造声波谐振器的方法。所述声波谐振器包括：基板；谐振部，形成在所述基板的第一表面上；金属焊盘，通过形成在所述基板中的通路孔连接到所述谐振部；及保护层，设置在所述基板的第二表面上并且包括多个层，其中，所述多个层包括内保护层，所述内保护层直接接触所述基板的所述第二表面，并且由具有比所述多个层中的其他层的粘附力强的粘附力的绝缘材料形成。

【技术实现步骤摘要】
声波谐振器及制造声波谐振器的方法本申请要求于2017年1月5日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0001964号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种声波谐振器及制造声波谐振器的方法。
技术介绍
带通滤波器是从各种频带中仅选择必要频带的信号以发送和接收所选择的信号的通信装置的关键组件。这样的带通滤波器的代表性示例包括表面声波(SAW)滤波器和体声波(BAW)滤波器。BAW滤波器是实现为滤波器并且使用沉积在硅晶圆(半导体基板)上的压电介电材料的压电特性来诱发谐振的薄膜型元件。BAW滤波器用在移动通信装置、小型和质轻的滤波器中，诸如用在化学和生物装置、振荡器、谐振元件和声波谐振质量传感器中。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在以下具体实施方式中进一步描述所述构思。本
技术实现思路
既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围的目的。在一个总体方面中，一种声波谐振器包括：基板；谐振部，形成在所述基板的第一表面上；金属焊盘，通过形成在所述基板中的通路孔连接到所述谐振部；及保护层，设置在所述基板的第二表面上并且包括多个层，其中，所述多个层包括内保护层，所述内保护层直接接触所述基板的所述第二表面，并且由具有比所述多个层中的其他层的粘附力强的粘附力的绝缘材料形成。所述内保护层可由包括二氧化硅、氧化铝和硅氮化物中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合的材料形成。所述多个层还可包括外保护层，所述外保护层设置在所述内保护层的外表面上并且向外地暴露。所述外保护层可由具有比所述内保护层的弹性性能强的弹性性能的绝缘材料形成。所述外保护层可由聚合物材料形成。保护层的部分可形成在所述通路孔中，以与所述保护层的形成在所述基板的所述第二表面上的部分连续。所述金属焊盘可设置在所述基板的所述第二表面上，并且与所述通路孔相邻。所述金属焊盘可包括：内焊盘，连接到所述谐振部并且具有结合到所述基板的所述第二表面的内表面；及外焊盘，所述外焊盘包括：内表面，结合到所述内焊盘的外表面；及向外地暴露的外表面，具有被所述外保护层部分地覆盖的边缘部。在另一总体方面中，一种制造声波谐振器的方法，所述方法包括：在基板的第一表面上形成谐振部；形成穿透所述基板的通路孔；在所述基板的第二表面上形成连接到所述谐振部的内焊盘；在所述基板的所述第二表面上形成内保护层；形成结合到所述内焊盘的外焊盘；及在所述内保护层的外表面上形成外保护层，其中，所述内保护层由具有比所述外保护层的粘附力强的粘附力的第一绝缘材料形成，并且其中，所述外保护层由具有比所述内保护层的弹性性能强的弹性性能的第二绝缘材料形成。所述内保护层还可形成在所述通路孔中以与所述基板的所述第二表面连续。所述外保护层还可形成在所述内保护层的形成在所述通路孔中的部分的外表面上。所述方法还可包括形成所述外保护层以部分地覆盖所述外焊盘的向外地暴露的表面。所述第一绝缘材料可包括二氧化硅、氧化铝和硅氮化物中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。所述第二绝缘材料可包括聚合物材料。在所述基板的所述第二表面上形成所述内保护层的步骤可包括在所述基板的所述第二表面上直接形成所述内保护层。通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是明显的。附图说明图1是示意性示出根据实施例的声波谐振器的截面图。图2是图1的A部的放大截面图。图3至图7是示出制造根据实施例的声波谐振器的方法的截面图。在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容后，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是明显的。例如，这里所描述的操作顺序仅仅是示例，其并不限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，在理解本申请的公开内容后可做出将是明显的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域已知的特征的描述。这里所描述的特征可按照不同的形式实现，并且将不被解释为被这里所描述的示例所限制。更确切的说，提供这里所描述的示例仅仅为示出在理解本申请的公开内容后将是明显的实现这里所描述的方法、设备和/或系统的很多可行的方式中的一些方式。在整个说明书，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件、“结合到”另一元件、“位于”另一元件“上方”或者“覆盖”另一元件时，该元件可以直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件、直接“结合到”另一元件、直接“位于”另一元件“上方”或者直接“覆盖”另一元件，或者可存在介于两者之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件、“直接结合到”另一元件、“直接位于”另一元件“上方”或者“直接覆盖”另一元件时，可能不存在介于两者之间的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项的任意一个或任意两个或更多个的任意组合。尽管可在这里使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因而，在不脱离示例的教导的情况下，这里所描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分还可以被称为第二构件、组件、区域、层或部分。为了易于描述，这里可以使用诸如“在……上方”、“上”、“在……下方”以及“下”的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意图包含除了图中所描绘的方位以外装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置翻转，则描述为“位于”另一元件“上方”或“上”的元件于是将被定位为相对于另一元件位于“下方”或“下”。因而，术语“在……上方”根据装置的空间方向包括上方和下方两种方位。装置也可按照其他方式(例如，旋转90度或处于其他方位)定位，并且对这里使用的空间相对术语做出相应解释。这里使用的术语仅用于描述各种示例并且不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。由于制造技术和/或公差，如图所示的形状可发生变型。因而，这里所描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间所发生的形状的改变。这里所描述的示例的特征可按照在理解本申请的公开内容后将是明显的各种方式进行组合。此外，尽管这里所描述的示例具有各种配置，但是在理解本申请的公开内容后将是明显的其他配置是可能的。在下文中，将参照附图详细地描述实施例。参照图1，根据示例，声波谐振器100为带通滤波器中的体声波(BAW)滤波器，并且可通过金属焊盘160连接到外电路。各个金属焊盘16本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：基板；谐振部，形成在所述基板的第一表面上；金属焊盘，通过形成在所述基板中的通路孔连接到所述谐振部；及保护层，设置在所述基板的第二表面上并且包括多个层，其中，所述多个层包括内保护层，所述内保护层直接接触所述基板的所述第二表面，并且由具有比所述多个层中的其他层的粘附力大的粘附力的绝缘材料形成。

【技术特征摘要】
2017.01.05 KR 10-2017-00019641.一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：基板；谐振部，形成在所述基板的第一表面上；金属焊盘，通过形成在所述基板中的通路孔连接到所述谐振部；及保护层，设置在所述基板的第二表面上并且包括多个层，其中，所述多个层包括内保护层，所述内保护层直接接触所述基板的所述第二表面，并且由具有比所述多个层中的其他层的粘附力大的粘附力的绝缘材料形成。2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述内保护层由包括二氧化硅、氧化铝和硅氮化物中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合的材料形成。3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中所述多个层还包括外保护层，所述外保护层设置在所述内保护层的外表面上并且向外地暴露，并且所述外保护层由具有比所述内保护层的弹性性能强的弹性性能的绝缘材料形成。4.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，所述外保护层由聚合物材料形成。5.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，保护层的部分形成在所述通路孔中，以与所述保护层的形成在所述基板的所述第二表面上的部分连续。6.根据权利要求5所述的声波谐振器，其中，所述金属焊盘设置在所述基板的所述第二表面上，并且与所述通路孔相邻。7.根据权利要求6所述的声波谐振器，其中，所述金属焊盘包括内焊盘，连接到所述谐振部并且具...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玲揆，任星垣，张东云，白亨球，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR