一种高电源抑制比基准电压源制造技术

公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电压源，该基准电压源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、偏置端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其偏置端提供偏置电压VBA，其基准提供端提供一基准电压VREF。该基准电压源具有很高的电源抑制比。

A high power supply suppressing ratio reference voltage source

A high power suppressing ratio reference voltage source in analog integrated circuit is disclosed. The reference voltage source has a starting circuit, a reference unit and a feedback circuit, including a control end, a power supply end, a bias end, a reference supply end and a grounding end, and a control terminal receiving control signal VCON whose power terminal is coupled to an external power supply VCC. The offset terminal provides a bias voltage of VBA, and the reference terminal provides a reference voltage VREF. The reference voltage source has a high PSRR.

【技术实现步骤摘要】
一种高电源抑制比基准电压源
本技术属于模拟电路
，更具体但并非排它地涉及一种带隙基准电压源。
技术介绍
带隙基准电压源设计对模拟集成电路的发展极为重要。其作用是为电路的其他模块提供稳定的参考电压。带隙基准源温度系数低，因而被广泛应用到集成工艺中。工艺上要求其具有高稳定、高精度等特性，这促使了技术人员对该
的深入研究。为保证集成电路产品工作的稳定性和一致性，要求电压基准源对电源电压变化不敏感，即要求设计高电源抑制比(powersupplyrejectionratio，PSRR)的电压基准源以满足系统性能，这也是当今技术人员在不断创新、开发解决的问题。
技术实现思路
考虑到现有技术中的一个或多个问题，本技术提供了一种高抑制比基准电压源，包括：启动电路，具有第一控制端、第一偏置端、第二偏置端、电源输入端和电源提供端，其第一控制端接收控制信号，其电源输入端耦接至外部电源；基准单元，具有电源端、接地端、第一偏置端、第二偏置端和基准提供端，其电源端耦接至所述启动电路的电源提供端，其接地端耦接至地，其第一偏置端耦接至所述启动电路的第二偏置端、其第二偏置端提供偏置电压，其基准提供端提供一基准电压；反馈电路，具有电源输入端、接地端、偏置端、控制端和电源提供端，其电源输入端耦接至所述外部电源，其接地端耦接至地，其偏置端耦接至所述基准单元的第二偏置端，其控制端耦接至所述启动电路的第一偏置端，其电源提供端耦接至所述基准单元电源端，其中所述基准单元启动前，所述启动电路为所述基准单元供电；基准单元启动后，所述反馈电路控制所述启动电路停止为所述基准单元供电，所述反馈电路为所述基准单元供电。基准电压源具有低功耗(启动电路在基准电压源启动后关闭)、高电源抑制比(反馈电路提供一级高抑制比的内部电源，启动电路关闭以阻止电源噪声通过启动电路传导至基准单元)等优点，可工作于1.8V低电压下(内部采用了低功耗结构)。附图说明下面将参考附图详细说明本技术的具体实施方式，其中相同的附图标记表示相同的部件或特征。图1为根据本技术一个实施例的高电源抑制比基准电压源电路100。图2为根据本技术一个实施例的高电源抑制比基准电压源电路200。图3为根据本技术一个实施例的高电源抑制比基准电压源电路300。具体实施方式在下文的特定实施例代表本技术的示例性实施例，并且本质上仅为示例说明而非限制。在以下描述中，为了提供对本技术的透彻理解，阐述了大量特定细节。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是：这些特定细节对于本技术而言不是必需的。在其他实例中，为了避免混淆本技术，未具体描述公知的电路、材料或方法。在说明书中，提及“一个实施例”或者“实施例”意味着结合该实施例所描述的特定特征、结构或者特性包括在本技术的至少一个实施例中。术语“在一个实施例中”在说明书中各个位置出现并不全部涉及相同的实施例，也不是相互排除其他实施例或者可变实施例。本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的示图都是为了说明的目的，并且示图不一定是按比例绘制的。应当理解，当称“元件”“连接到”或“耦接”到另一元件时，它可以是直接连接或耦接到另一元件或者可以存在中间元件。相反，当称元件“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件时，不存在中间元件。相同的附图标记指示相同的元件。当称“元件”“接收”某一信号时，可以使直接接收，也可以通过开关、电阻、电平位移器、信号处理单元等接收。这里使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。图1为根据本技术一个实施例的高电源抑制比基准电压源电路100，包括启动电路101、基准单元102和反馈电路103。启动电路101，具有第一控制端、第一偏置端、第二偏置端、电源输入端和电源提供端，其第一控制端接收控制信号VCON，其电源输入端耦接至外部电源VCC。基准单元102，具有电源端、接地端、第一偏置端、第二偏置端和基准提供端，其电源端耦接至启动电路的电源提供端，其接地端耦接至地，其第一偏置端耦接至启动电路第二偏置端、其第二偏置端耦接至反馈电路偏置端提供偏置电压VB，其基准提供端提供一基准电压VREF。反馈电路103，具有电源输入端、接地端、偏置端、控制端和电源提供端，其电源输入端耦接至外部电源VCC，其接地端耦接至地，其偏置端耦接至基准单元第二偏置端，其控制端耦接至启动电路第一偏置端，其电源提供端耦接至基准单元电源端以提供内部电源VINT，其中基准单元102启动前，启动电路101为基准单元102供电；基准单元102启动后，反馈电路103控制启动电路101停止为基准单元102供电以减小功耗，反馈电路103开始为基准单元102供电。由于反馈电路103具有反馈功能，当外部电源VCC发生变化或抖动时，其电源提供端提供的内部电源VINT基本不发生变化，故而增大了基准电压源100的电源抑制比。即，基准单元102提供了电源抑制功能(VINT到VREF)同时，反馈电路103还提供了电源抑制功能(VCC到VINT)，从而使得基准电压源100获得更高的电源抑制比。图2为根据本技术一个实施例的高电源抑制比基准电压源电路200。包括启动电路201、基准单元202(包括PTAT电流产生电路2021和基准电压产生电路2022)和反馈电路203。基准电压源电路200可以看作基准电压源电路100的一个具体实施例。启动电路201包括：第一晶体管M1，具有第一端、第二端和控制端，其第一端耦接至地，其控制端耦接至启动电路的第一控制端；第一电阻R1，具有第一端和第二端，其第一端耦接至第一晶体管M1的第二端；第二晶体管M2，具有第一端、第二端和控制端，其第一端耦接至第一电阻R1的第二端，其控制端耦接至第二晶体管M2的第一端，其第二端耦接至启动电路的电源输入端；第三晶体管M3，具有第一端、第二端和控制端，其第一端耦接至启动电路的第二偏置端，其第二端耦接至启动电路电源的输入端VCC，其控制端耦接至第二晶体管M2的控制端；第五晶体管M5，具有第一端、第二端和控制端，其第二端耦接至启动电路的电源输入端，其控制端耦接至第二晶体管M2的控制端，其第一端耦接至启动电路的电源提供端。基准单元202包括PTAT(proportionaltoabsolutetemperature,与绝对温度成正比)电流产生电路2021，用以产生PTAT电流；以及基准电压产生电路2022，镜像PTAT电流，并产生基准电压VREF。PTAT电流产生电路2021包括：第六晶体管M6，具有第一端、第二端和控制端，其第二端耦接至基准单元的电源端；第二电阻R2，具有第一端和第二端，其第二端耦接至第六晶体管M6的第一端，其第一端耦接至第六晶体管M6的控制端；第七晶体管M7，具有第一端、第二端和控制端，其第二端耦接至基准单元的电源端，其控制端耦接至第六晶体管M6的控制端；第三电阻R3，具有第一端和第二端，其第二端耦接至第七晶体管M7的第一端；第八晶体管M8，具有第一端、第二端和控制端，其第二端耦接至第二电阻R2的第一端，其控制端耦接至启动电路第二偏置端；第九晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高电源抑制比基准电压源，包括：启动电路，具有第一控制端、第一偏置端、第二偏置端、电源输入端和电源提供端，其第一控制端接收控制信号，其电源输入端耦接至外部电源；基准单元，具有电源端、接地端、第一偏置端、第二偏置端和基准提供端，其电源端耦接至所述启动电路的电源提供端，其接地端耦接至地，其第一偏置端耦接至所述启动电路的第二偏置端、其第二偏置端提供偏置电压，其基准提供端提供一基准电压；反馈电路，具有电源输入端、接地端、偏置端、控制端和电源提供端，其电源输入端耦接至所述外部电源，其接地端耦接至地，其偏置端耦接至所述基准单元的第二偏置端，其控制端耦接至所述启动电路的第一偏置端，其电源提供端耦接至所述基准单元电源端，其中所述基准单元启动前，所述启动电路为所述基准单元供电；基准单元启动后，所述反馈电路控制所述启动电路停止为所述基准单元供电，所述反馈电路为所述基准单元供电。

【技术特征摘要】
1.一种高电源抑制比基准电压源，包括：启动电路，具有第一控制端、第一偏置端、第二偏置端、电源输入端和电源提供端，其第一控制端接收控制信号，其电源输入端耦接至外部电源；基准单元，具有电源端、接地端、第一偏置端、第二偏置端和基准提供端，其电源端耦接至所述启动电路的电源提供端，其接地端耦接至地，其第一偏置端耦接至所述启动电路的第二偏置端、其第二偏置端提供偏置电压，其基准提供端提供一基准电压；反馈电路，具有电源输入端、接地端、偏置端、控制端和电源提供端，其电源输入端耦接至所述外部电源，其接地端耦接至地，其偏置端耦接至所述基准单元的第二偏置端，其控制端耦接至所述启动电路的第一偏置端，其电源提供端耦接至所述基准单元电源端，其中所述基准单元启动前，所述启动电路为所述基准单元供电；基准单元启动后，所述反馈电路控制所述启动电路停止为所述基准单元供电，所述反馈电路为所述基准单元供电。2.如权利要求1所述的基准电压源，其特征在于，所述启动电路包括：第一晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第一端耦接至地，其控制端耦接至所述启动电路的第一控制端；第一电阻，具有第一端和第二端，其第一端耦接至所述第一晶体管的第二端；第二晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第一端耦接至所述第一电阻的第二端，其控制端耦接至所述第二晶体管的第一端，其第二端耦接至所述启动电路的电源输入端；第三晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第一端耦接至所述启动电路的第二偏置端，其第二端耦接至启动电路的电源输入端，其控制端耦接至所述第二晶体管的控制端；以及第五晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第一端耦接至所述启动电路的电源提供端，其第二端耦接至所述启动电路的电源输入端，其控制端耦接至所述第二晶体管的控制端。3.如权利要求1所述的基准电压源，其特征在于，所述基准单元包括：第六晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第二端耦接至所述基准单元的电源端；第二电阻，具有第一端和第二端，其第二端耦接至所述第六晶体管的第一端，其第一端耦接至所述第六晶体管的控制端；第七晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第二端耦接至所述基准单元的电源端，其控制端耦接至所述第六晶体管的控制端；第三电阻，具有第一端和第二端，其第二端耦接至所述第七晶体管的第一端；第八晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第二端耦接至所述第二电阻的第一端，其控制端耦接至所述启动电路的第二偏置端；第九晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第二端耦接至所述第三电阻的第一端，其控制端耦接至所述第八晶体管的控制端和所述第三电阻的第二端；第四电阻，具有第一端和第二端，其第二端耦接至所述第八晶体管的第一端；第十晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第一端和控制端耦接至所述基准单元的接地端，其第二端耦接至所述第四电阻的第一端；第十一晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第一端和控制端耦接至所述基准单元的接地端，其第二端耦接至所述第九晶体管第一端；第十四晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第一端耦接至所述基准单元的接地端，其第二端耦接至所述基准单元的电源端，其控制端耦接至所述第九晶体管的第二端；第十五晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第二端耦接至所述基准单元的电源端，其第一端耦接至所述基准单元的基准提供端，其控制端耦接至所述第六晶体管的控制端；第五电阻，具有第一端和第二端，其第二端耦接至第十五晶体管的第一端；以及第十六晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第一端和控制端耦接至接地端，其第二端耦接至第五电阻的第一端。4.如权利要求1所述的基准电压源，其特征在于，所述反馈电路包括：第十七晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第一端耦接至所述反馈电路的控制端，其第二端耦接至所述反馈电路的电源输入端；第十八晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第二端耦接至所述反馈电路的电源输入端，其控制端耦接至所述第十七晶体管的控制端；第十九晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第二端耦接至所述反馈电路的电源输入端，其控制端耦接至所述第十七晶体管的控制端；第二十晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第二端耦接至所述第十...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丹，王海时，毛焜，杨燕，彭映杰，王天宝，李英祥，杨春俊，
申请(专利权)人：成都信息工程大学，四川海创天芯科技有限公司，四川悠服科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51