光刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻装置。本实用新型专利技术提供了一种光刻装置，包括用于支撑光罩的支撑臂；所述支撑臂包括基底以及设置于所述基底表面的凸起，所述凸起用于与所述光罩接触并支撑所述光罩，以减小所述光罩与所述支撑臂的接触面积。本实用新型专利技术减少了所述支撑臂与光罩的接触面积，从而降低了所述支撑臂的磨损变形。

Photolithography device

The utility model relates to the field of semiconductor manufacturing technology, in particular to a lithography device. The utility model provides a photolithography device, including a support arm for supporting a light cover; the support arm includes a base and a convex set on the base surface, which is used to contact the mask and support the mask to reduce the contact area of the cover and the support arm. The utility model reduces the contact area between the supporting arm and the light shield, thereby reducing the wear and deformation of the supporting arm.

【技术实现步骤摘要】
光刻装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种光刻装置。
技术介绍
随着智能手机、平板电脑等移动终端向小型化、智能化、节能化的方向发展，芯片的高性能、集成化趋势明显，促使芯片制造企业积极采用先进工艺，对制造出更快、更省电的芯片的追求愈演愈烈。尤其是许多无线通讯设备的主要元件需用40nm以下先进半导体技术和工艺，因此对先进工艺产能的需求较之以往显著上升，带动集成电路厂商不断提升工艺技术水平，通过缩小晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性，以及通过3D结构改造等非几何工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能等方式实现硅集成的提高，以迎合市场需求。然而，这些技术的革新或改进都是以晶圆的生成、制造为基础。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工、制作成各种电路元件结构，而称为有特定电性功能的集成电路产品。光刻是晶圆制造过程中的一个关键步骤，其主要作用是将光罩上的图形复制到晶圆上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。一般的光刻工艺要经过清洗、烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。目前，在对晶圆进行光刻的过程中，当从光罩盒或者光罩工作台装载光罩时，光刻装置中的支撑臂会通过气缸的作用伸出以承载所述光罩，光罩转移到支撑臂的过程中，光罩会沿所述支撑臂滑行一段距离，从而造成光罩与支撑臂之间的相互摩擦。目前，光罩的主要材质是石英，耐磨性较好，但是支撑臂为平板状且其主要为铝合金材质，耐磨性较差。光罩与所述支撑臂接触面积较大，两者长期相互摩擦会使得所述支撑臂的接触表面发生磨损变形并产生颗粒，造成光刻装置内真空异常、颗粒超标等问题，导致光罩以及光刻装置的污染，影响晶圆产品的质量。因此，如何减少光刻机内支撑臂的磨损变形，增强支撑臂的使用寿命，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术提供一种光刻装置，用以解决现有技术中光刻装置内的支撑臂易发生磨损变形的问题，以增加支撑臂的使用寿命，并确保晶圆产品的质量。为了解决上述问题，本技术提供了一种光刻装置，包括用于支撑光罩的支撑臂；所述支撑臂包括基底以及设置于所述基底表面的凸起，所述凸起用于与所述光罩接触并支撑所述光罩，以减小所述光罩与所述支撑臂的接触面积。优选的，所述凸起包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面与所述基底连接，所述第二表面用于与所述光罩接触，且所述第一表面的宽度大于所述第二表面的宽度。优选的，所述凸起包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面与所述基底连接，所述第二表面用于与所述光罩接触，且所述第一表面的宽度等于所述第二表面的宽度。优选的，所述第二表面的宽度小于5mm。优选的，所述第二表面的宽度为1.5mm。优选的，所述凸起的轴线与所述基底的轴线重合。优选的，所述凸起的高度为0.5mm～4mm。优选的，所述基底与所述凸起采用一体成型工艺制作而成。优选的，所述支撑臂采用耐磨材料制作而成。优选的，所述耐磨材料为聚醚醚酮。本技术提供的光刻装置，由基底以及位于基底上的凸起来构成用于支撑光罩的支撑臂，通过凸起与光罩的接触来实现对光罩的支撑，以减少所述支撑臂与光罩的接触面积，从而降低了所述支撑臂的磨损变形，避免了因支撑臂上颗粒污染物的掉落对光罩以及光刻装置内部的污染，提高了晶圆产品的质量；同时，增加了支撑臂的使用寿命，减少了工程师维护光刻装置及光罩的时间，提高了晶圆产品的光刻效率。附图说明附图1是本技术第一具体实施方式的光刻装置的结构示意图；附图2是本技术第一具体实施方式的光刻装置中凸起的结构示意图；附图3是本技术第二具体实施方式的光刻装置的结构示意图；附图4是本技术第二具体实施方式的光刻装置中凸起的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术提供的光刻装置的具体实施方式做详细说明。第一具体实施方式本具体实施方式提供了光刻装置，附图1是本技术第一具体实施方式的光刻装置的结构示意图。如图1所示，本具体实施方式提供的光刻装置，包括用于支撑光罩13的支撑臂；所述支撑臂包括基底11以及设置于所述基底11表面的凸起12，所述凸起12用于与所述光罩13接触并支撑所述光罩13，以减小所述光罩13与所述支撑臂的接触面积。本具体实施方式中，通过位于基底11表面的凸起12与光罩13接触，减小了光罩13与支撑臂之间的接触面积，从而大大降低了由于光罩与支撑臂之间的相互摩擦造成的支撑臂磨损、变形，避免了支撑臂上颗粒物的掉落对光罩和光刻装置内部的影响。附图2是本技术第一具体实施方式的光刻装置中凸起的结构示意图。如图1、2所示，在本具体实施方式中，所述凸起12包括相对设置的第一表面121和第二表面122；所述第一表面121与所述基底11连接，所述第二表面122用于与所述光罩13接触，且所述第一表面121的宽度a大于所述第二表面122的宽度b。具体来说，所述凸起12的形状可以是圆台形状或者锥台形状。通过使得所述第一表面121的宽度a大于所述第二表面122的宽度b，一方面可以进一步减小所述支撑臂与所述光罩13的接触面积，另一方面还可以形成对所述光罩13的稳定支撑。本领域技术人员可以根据实际需要设置所述第一表面121的宽度a与所述第二表面122的宽度b之间的具体比例关系，本具体实施方式对此不作限定。为了与光罩以及光刻装置的尺寸匹配，优选的，所述第二表面122的宽度b小于5mm。更优选的，所述第二表面122的宽度b为1.5mm。优选的，所述凸起12的轴线与所述基底11的轴线重合，以进一步增强所述凸起12对所述光罩13的稳定支撑。本领域技术人员可以根据实际需要设置所述凸起12的高度h的具体数值。为了在减少所述支撑臂与所述光罩13接触面积的同时，确保所述支撑臂对所述光罩13的稳定支撑，避免所述光罩13发生晃动，优选的，所述凸起12的高度为0.5mm～4mm。为了简化制造工艺，同时确保所述凸起12与所述光罩13接触的接触面(即第二表面122)的平整性，优选的，所述基底11与所述凸起12采用一体成型工艺制作而成。为了进一步增强所述支撑臂的耐磨性能，优选的，所述支撑臂采用耐磨材料制作而成。更优选的，所述耐磨材料为聚醚醚酮。本具体实施方式提供的光刻装置，由基底以及位于基底上的凸起来构成用于支撑光罩的支撑臂，通过凸起与光罩的接触来实现对光罩的支撑，以减少所述支撑臂与光罩的接触面积，从而降低了所述支撑臂的磨损变形，避免了因支撑臂上颗粒污染物的掉落对光罩以及光刻装置内部的污染，提高了晶圆产品的质量；同时，增加了支撑臂的使用寿命，减少了工程师维护光刻装置及光罩的时间，提高了晶圆产品的光刻效率。第二具体实施方式本具体实施方式提供了一种光刻装置，附图3是本技术第二具体实施方式的光刻装置的结构示意图，附图4是本技术第二具体实施方式的光刻装置中凸起的结构示意图。对于与第一具体实施方式相同之处，本具体实施方式不再赘述，以下主要叙述与第一具体实施方式的不同之处。如图3、4所示，本具体实施方式所述光刻装置中的凸起22包括相对设置的第一表面221和第二表面222；所述第一表面221与所述基底21连接，所述第二表面222用于与所述光罩23接触，且所述第一表面221的宽度a等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻装置，其特征在于，包括用于支撑光罩的支撑臂；所述支撑臂包括基底以及设置于所述基底表面的凸起，所述凸起用于与所述光罩接触并支撑所述光罩，以减小所述光罩与所述支撑臂的接触面积。

【技术特征摘要】
1.一种光刻装置，其特征在于，包括用于支撑光罩的支撑臂；所述支撑臂包括基底以及设置于所述基底表面的凸起，所述凸起用于与所述光罩接触并支撑所述光罩，以减小所述光罩与所述支撑臂的接触面积。2.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述凸起包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面与所述基底连接，所述第二表面用于与所述光罩接触，且所述第一表面的宽度大于所述第二表面的宽度。3.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述凸起包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面与所述基底连接，所述第二表面用于与所述光罩接触，且所述第一表面的宽度等于所述第二表面的宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛伟伟，柯汎宗，沈雪，黄志凯，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32