The utility model relates to the field of radiation measurement, in particular, a neutron detector based on silicon PIN is disclosed. By lining a boron layer on a silicon photodiode encapsulated by a ceramic, the purpose of detecting neutrons is achieved. The utility model has the advantages of flexible volume size and high safety, and can be applied to miniaturized instruments such as neutron personal dose alarm devices.
【技术实现步骤摘要】
一种基于硅PIN的中子探测器
本技术属于辐射测量
，具体涉及一种基于硅PIN的中子探测器。
技术介绍
随着我国核工业与核相关领域的蓬勃发展，对中子探测的需求日益增加，主要表现在：中子屏蔽设计的合理性；中子对人造成剂量的多少；中子场分布的状况等。而中子个人剂量报警仪主要用来测量中子照射人体的剂量，评价中子对人体造成的伤害。目前可应用于中子个人剂量报警仪的探测器主要包括6LiI(Eu)和衬硼金硅面垒探测器等。其中，6LiI(Eu)易潮解，需要封装，不适用于小型化仪表；而衬硼金硅面垒探测器的缺点较多，主要有：所需高压为几百伏，安全隐患较大，同时探测器的体积过大且容易破损。因此当前亟需设计一种体积尺寸灵活、安全轻便且探测灵敏的中子探测器。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基于硅PIN的中子探测器，适用于中子个人剂量报警仪。本技术的技术方案如下：一种基于硅PIN的中子探测器，包括铝片、硼层、硅PIN和陶瓷底托；在所述铝片的表面镀硼层，将铝片镀有硼层的一侧与硅PIN耦合；在所述陶瓷底托的上表面开槽，硅PIN设于槽中，组成陶瓷封装的硅光电二极管。铝片的厚度选择范围为1～3mm。硼层的厚度选择范围为0.85～1mg/cm2。所述的硅PIN的厚度为D，D≥20μm。所述硼层与硅PIN的距离为H，H≤1mm。所述陶瓷封装的硅光电二极管采用市售的滨松集团硅光电二极管产品。本技术的有益效果在于：(1)本技术通过在硅PIN表面衬硼以达到探测中子的目的，能够作为中子探测器应用于中子仪器中，对目前的中子探测器的种类起到扩充与完善的效果。(2)本技术中采用的硅PIN半导体表面可用...
【技术保护点】
1.一种基于硅PIN的中子探测器，其特征在于：包括铝片(1)、硼层(2)、硅PIN(3)和陶瓷底托(4)；在所述铝片(1)的表面镀硼层(2)，将铝片(1)镀有硼层(2)的一侧与硅PIN(3)耦合；在所述陶瓷底托(4)的上表面开槽，硅PIN(3)设于槽中，组成陶瓷封装的硅光电二极管。
【技术特征摘要】
1.一种基于硅PIN的中子探测器，其特征在于：包括铝片(1)、硼层(2)、硅PIN(3)和陶瓷底托(4)；在所述铝片(1)的表面镀硼层(2)，将铝片(1)镀有硼层(2)的一侧与硅PIN(3)耦合；在所述陶瓷底托(4)的上表面开槽，硅PIN(3)设于槽中，组成陶瓷封装的硅光电二极管。2.如权利要求1所述的一种基于硅PIN的中子探测器，其特征在于：铝片(1)的厚度选择范围为1～3mm。3.如权利要求2所述的一种基于硅PIN的中...
【专利技术属性】
技术研发人员：张庆威，王婷婷，林德雨，陈洁，赵哲，
申请(专利权)人：中核控制系统工程有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11
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