【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及图像传感器
,尤其涉及一种具有相位检测像素的图像传感器及其形成方法。
技术介绍
感光区域中的部分像素点被牺牲掉,这些像素被称为掩蔽像素(MaskedPixels)。掩蔽像素通常由两个像素组成,其中左侧像素用于拍摄左边图像,右侧像素用于拍摄右边图像,将左边图像和右边图像的值与参考信号进行对比,能够判断出镜头应该向前移动或是向后移动,从而实现对焦。掩蔽像素应用于CMOS图像传感器,通过相位检测改进照相机的聚焦,又称为“相位检测像素(PhaseDetectionPixel,PDP)”。现有技术中,具有PDP的背照式(BSI)CMOS图像传感器将PDP掩模设置于复合格栅内,以实现相位检测功能。然而,上述方法存在诸多问题,亟待改进,例如:PDP掩模上的附加氧化物导致其相位检测能力退化;PDP掩模的设置使得复合格栅尺寸变大,氧化物格栅易于干扰以特定的角度入射的光,并与滤光镜的边缘形成反射界面,改变光路,造成信号干扰;以特定的其他角度进入的光穿过滤光镜的光程减小,导致颜色的灵敏度降低等。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是现有技术中的图像传感器相位检测能力退化、存在信号干扰、以及颜色的灵敏度降低等问题。为解决上述技术问题,本专利技术实施例提供一种图像传感器,包括:基底,所述基底中设置有多个像素区域、及位于相邻的像素区域之间的第一深沟槽隔离,每个像素区域中设置有光电转换元件;以及滤光层,设置于所述基底的第一表面,所述滤光层包括:格栅,所述格栅具有多个开口,每个开口对应所述基底内的一个像素区域,以及设置于所述开口内的滤色元件;其 ...
【技术保护点】
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:基底,所述基底中设置有多个像素区域、及位于相邻的像素区域之间的第一深沟槽隔离,每个像素区域中设置有光电转换元件;以及滤光层,设置于所述基底的第一表面,所述滤光层包括:格栅,所述格栅具有多个开口,每个开口对应所述基底内的一个像素区域,以及设置于所述开口内的滤色元件;其中,所述多个像素区域包括作为相位检测像素的第一像素区域和第二像素区域,所述第一像素区域和所述第二像素区域中还分别设置有第二深沟槽隔离,所述第二深沟槽隔离和所述光电转换元件在所述基底的第一表面上均具有光接收面,使得入射至所述第一像素区域和所述第二像素区域的光的一部分能够入射至所述光电转换元件的光接收面、另一部分能够入射至所述第二深沟槽隔离的光接收面。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:基底,所述基底中设置有多个像素区域、及位于相邻的像素区域之间的第一深沟槽隔离,每个像素区域中设置有光电转换元件;以及滤光层,设置于所述基底的第一表面,所述滤光层包括:格栅,所述格栅具有多个开口,每个开口对应所述基底内的一个像素区域,以及设置于所述开口内的滤色元件;其中,所述多个像素区域包括作为相位检测像素的第一像素区域和第二像素区域,所述第一像素区域和所述第二像素区域中还分别设置有第二深沟槽隔离,所述第二深沟槽隔离和所述光电转换元件在所述基底的第一表面上均具有光接收面,使得入射至所述第一像素区域和所述第二像素区域的光的一部分能够入射至所述光电转换元件的光接收面、另一部分能够入射至所述第二深沟槽隔离的光接收面。2.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,位于所述第一像素区域上的滤色元件和位于所述第二像素区域上的滤色元件具有针对相同波段的光高于其他波段的光的透射率。3.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述相同波段的光包括绿光。4.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二深沟槽隔离和所述光电转换元件在所述第一表面的光接收面的面积分别为其所在的像素区域在所述第一表面的面积的二分之一。5.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二深沟槽隔离与所述第一深沟槽隔离的材料相同。6.如权利要求1或5所述的图像传感器,其特征在于,所述第二深沟槽隔离的材料为金属或氧化物。7.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括介电层,设置于所述滤光层和所述基底之间。8.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第一像素区域和所述第二像素区域相邻设置,位于所述第一像素区域的第二深沟槽隔离和位于所述第二像素区域的第二深沟槽隔离分别与位于所述第一像素区域和所述第二像素区域之间的第一深沟槽隔离的两侧连接以形成连续的深沟槽隔离带,位于所述第一像素区域的光电转换元件和位于所述第二像素区域的光电转换元件分别位于所述深沟槽隔离带的两侧。9.如权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述深沟槽隔离带包括金属填充物和氧化物填充物,所述金属填充物位于所述氧化物填充物形成的凹槽内。10.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底中设置有多个像素区域;在每个像素区域中形成光电转换元件;在所述基底内相邻的像素区域之间形成第一深沟槽隔离,在所述多个像素区域中作为相位检测...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁琦,黄晓橹,陈世杰,内藤逹也,
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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