一种用于薄膜晶体管阵列基板的湿制程的方法技术

本发明专利技术提供了一种用于薄膜晶体管阵列基板的湿制程的方法。所述方法包括：将其上形成有金属层和位于金属层上的阻挡层的基板置于处理室中，使金属层和阻挡层均与处理室中的药液接触以进行湿式处理，其中，在所述处理室中设置有电化学活性比所述金属层的电化学活性大且不与所述药液发生化学反应的金属件，使得所述金属层不与所述药液发生电化学反应。采用本发明专利技术的方法可以抑制在薄膜晶体管阵列基板的制作过程中出现的电化学腐蚀现象，提高薄膜晶体管阵列基板的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种用于薄膜晶体管阵列基板的湿制程的方法
本专利技术属于显示
，更具体地讲，涉及一种用于薄膜晶体管阵列基板的湿制程的方法。
技术介绍
TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)由于其功耗低、响应速度快等优点而广泛地用于计算机、视频终端、通讯及仪器仪表等行业，例如，主要用于笔记本电脑、台式计算机监视器、工业监视器、全球卫星定位系统(GPS)、个人数字助理(PDA)、游戏机、可视电话、便携式VCD、DVD及其它一些便携式装置。经过不断的发展创新，TFT-LCD迅速成长为主流显示器。随着人们对大尺寸、高分辨率LCD以及低成本的追求，对大尺寸玻璃的设备的投入势在必行。为了克服大尺寸玻璃的布线和RC延迟等问题，采用Cu金属层代替原来的Al金属层，能够得到更低的电阻率，而被业界广泛地采用。然而，由于金属Cu易扩散以及附着力较差等特点，在Cu制程中一般使用阻挡层阻止Cu扩散并增加其附着力。在湿蚀刻的过程中，由于Cu与阻挡层的金属(如，Mo)活性不同，容易发生电化学反应而造成Cu的蚀刻速率增大，进而导致底层Cu被掏空的现象。因而会对TFT器件的性能和信赖性造成不良影响。因此，需要对TFT阵列制程中出现的电化学腐蚀现象进行抑制，以改善产品的质量。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例在于提供一种用于薄膜晶体管阵列基板的湿制程的方法，以克服在薄膜晶体管阵列基板的制作过程中出现的电化学腐蚀现象。本专利技术提供一种用于薄膜晶体管阵列基板的湿制程的方法，所述方法可以包括以下步骤：将其上形成有金属层和位于金属层上的阻挡层的基板置于处理室中，使金属层和阻挡层均与处理室中的药液接触以进行湿式处理，其中，在所述处理室中设置有电化学活性比所述金属层的电化学活性大且不与所述药液发生化学反应的金属件，使得所述金属层不与所述药液发生电化学反应。根据本专利技术的示例性实施例，所述处理室可以包括用于容纳所述药液的处理槽，所述湿式处理可以为浸泡式处理，其中，所述金属件可以为布置在所述处理槽的药液中的填充物。根据本专利技术的示例性实施例，所述处理室可以包括用于喷射所述药液的喷嘴，所述湿式处理可以为喷淋处理，其中，所述金属件可以为布置在所述基板的上方以与通过喷嘴喷出的药液接触的金属条。根据本专利技术的示例性实施例，所述处理室可以包括用于容纳所述药液的处理槽和用于喷射所述药液的喷嘴，所述湿式处理可以为浸泡-喷淋处理，其中，所述金属件可以包括布置在所述处理槽的药液中的填充物和布置在所述基板的上方以与通过喷嘴喷出的药液接触的金属条。根据本专利技术的示例性实施例，所述基板可以在传送辊的作用下进入处理室，其中，所述基板可以置于所述传送辊上，所述填充物可以置于所述传送辊的下方。根据本专利技术的示例性实施例，所述基板可以在传送辊的作用下进入处理槽，其中，所述基板可以置于所述传送辊上，所述金属条可以置于所述传送辊的上方。根据本专利技术的示例性实施例，所述基板可以在传送辊的作用下进入处理槽，其中，所述基板可以置于所述传送辊上，所述填充物可以置于所述传送辊的下方，所述金属条置于所述传送辊的上方。根据本专利技术的示例性实施例，所述基板可以包括玻璃或柔性材料。根据本专利技术的示例性实施例，所述湿式处理可以包括湿蚀刻、清洗和去膜中的至少一种。根据本专利技术的示例性实施例，所述湿式处理可以为湿蚀刻。根据本专利技术的示例性实施例，所述金属层可以为铜层，所述阻挡层可以为钼层，所述金属件可以包括钾、钙、钠、镁、铝、锌、铬、铁、镍、锡和铅中的至少一种。与现有技术相比，根据本专利技术的方法具有如下有益技术效果：根据本专利技术的用于薄膜晶体管阵列基板的湿制程方法通过在湿制程(如，湿蚀刻、去膜(也可以称为“去光阻”)、清洗等)中加入电深化活性比薄膜晶体管阵列基板上的金属层的电化学活性更高的金属件，以此来抑制金属层与药液的电化学反应，从而避免金属层的底部被掏空的现象。本专利技术所采用的方法简单，易于工业化生产；而且，可以提高显示器的性能，进而保证产品的质量，简化因为电化学腐蚀产生的后续处理工艺，具有一定的工业化价值。将在接下来的描述中部分阐述本专利技术总体构思另外的方面和/或优点，还有一部分通过描述将是清楚的，或者可以经过本专利技术总体构思的实施而得知。附图说明图1示意性示出了根据本专利技术示例性实施例的浸泡式湿制程处理的装置的俯视图；图2示意性示出了根据本专利技术示例性实施例的浸泡式湿制程处理的装置的侧视图。图3示意性示出了根据本专利技术示例性实施例的喷淋式湿制程处理的装置的俯视图；图4示意性示出了根据本专利技术示例性实施例的喷淋式湿制程处理的装置的侧视图；图5示意性示出了根据本专利技术示例性实施例的浸泡-喷淋式湿制程处理的装置的俯视图；图6示意性示出了根据本专利技术示例性实施例的浸泡-喷淋式湿制程处理的装置的侧视图。其中，1－处理槽，2－填充物，3－传送辊，4－喷嘴，5－金属条，S－基板，T－处理室。具体实施方式现在将参照附图更充分地描述本专利技术的实施例，在附图中示出了本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为局限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域的普通技术人员充分地传达本专利技术的实施例的构思。在下面详细的描述中，通过示例的方式阐述了多处具体的细节，以提供对相关教导的充分理解。下面将参照附图对根据本专利技术构思的用于薄膜晶体管阵列基板的湿制程的方法进行详细地描述。本专利技术的总体构思为：通过在薄膜晶体管阵列基板的阵列制程中加入电化学活性比薄膜晶体管阵列基板上的金属层的电化学活性更高的金属件，由于电化学活性(电势)不一致，因此金属件可优先于金属层进行电化学消耗，以此来抑制金属层的电化学反应，从而避免金属层的底部被掏空的现象。本专利技术提供了一种用于薄膜晶体管阵列基板的湿制程的方法，该方法具体可以包括以下步骤：将其上形成有金属层和位于金属层上的阻挡层的基板置于处理室中，使金属层和位于金属层上的阻挡层均与处理室中的药液接触而对基板进行湿式处理。这里，处理槽中加入有电化学活性比金属层的电化学活性大且不与药液发生化学反应的金属件，金属件的加入可以阻止金属层在药液中发生电化学反应。这里所述的湿制程可以包括在制备薄膜晶体管阵列基板的过程中的湿蚀刻、清洗、去膜等制程，主要涉及的是在基板上形成金属层和位于金属层上的阻挡层之后对基板的湿法处理过程，然而，这里所述的湿制程不限于此。在本专利技术中，所选用的基板例如为透光基板，根据本专利技术的示例性实施例，基板可以包含玻璃或柔性材料。根据本专利技术的示例性实施例，基板可以在传送辊的作用下进入处理室，基板可以置于传送辊上。在处理室中，基板上的金属层与位于金属层上的阻挡层与药液接触以进行湿式处理的方式有多种，例如，可以采用浸泡式处理、喷淋式处理等方式，优选喷淋式处理方式，因为喷淋式处理对基板的处理效果更好且更均匀。下面将结合图1至图6来详细地描述根据本专利技术示例性实施例的用于薄膜晶体管(TFT)阵列基板的湿制程的方法。图1示意性示出了根据本专利技术示例性实施例的浸泡式湿制程处理的装置的俯视图。图2示意性示出了根据本专利技术示例性实施例的浸泡式湿制程处理的装置的侧视图。参照图1和图2，用于湿制程的装置包括处理室T，其中，处理室T包括处理槽1以及包括传送辊3的传送装置。根据本专利技术的示例性实施例，将其上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于薄膜晶体管阵列基板的湿制程的方法，其特征在于，所述方法包括：将其上形成有金属层和位于金属层上的阻挡层的基板置于处理室中，使金属层和阻挡层均与处理室中的药液接触以进行湿式处理，其中，在所述处理室中设置有电化学活性比所述金属层的电化学活性大且不与所述药液发生化学反应的金属件，使得所述金属层不与所述药液发生电化学反应。

【技术特征摘要】
1.一种用于薄膜晶体管阵列基板的湿制程的方法，其特征在于，所述方法包括：将其上形成有金属层和位于金属层上的阻挡层的基板置于处理室中，使金属层和阻挡层均与处理室中的药液接触以进行湿式处理，其中，在所述处理室中设置有电化学活性比所述金属层的电化学活性大且不与所述药液发生化学反应的金属件，使得所述金属层不与所述药液发生电化学反应。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理室包括用于容纳所述药液的处理槽，所述湿式处理为浸泡式处理，其中，所述金属件为布置在所述处理槽的药液中的填充物。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理室包括用于喷射所述药液的喷嘴，所述湿式处理为喷淋处理，其中，所述金属件为布置在所述基板的上方以与通过喷嘴喷出的药液接触的金属条。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理室包括用于容纳所述药液的处理槽和用于喷射所述药液的喷嘴，所述湿式处理为浸泡-喷淋处理，其中，所述金属件包括布置在所述处理槽的药液中的填...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡良毅，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44