一种功率器件封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种功率器件封装结构及其制造方法，该功率器件封装结构包括：第一组件、至少一个发射极上金属片及至少一个功率器件，发射极上金属片与功率器件一一对应设置；第一组件从上至下依次包括发射极顶板、第一弹簧、挡板及第二弹簧，第一弹簧和第二弹簧均为至少一个，且第一弹簧、第二弹簧与发射极上金属片一一对应设置，第一组件为一体成型结构；第一组件设置在至少一个发射极上金属片上，至少一个发射极上金属片设置在至少一个功率器件上，功率器件的发射极位于功率器件的上侧。本发明专利技术在实现了弹性电极压接方案的同时，没有增加额外面积，较传统的弹性电极压接方案显著减少了体积。

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件封装结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种功率器件封装结构及其制造方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)属于电压控制型电力电子器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、开关速度快、工作频率高、元件容量大、无吸收电路等优点，已广泛应用于工业变流、电力牵引等领域。压接封装是大功率IGBT最新的封装形式，与传统的焊接型IGBT(SolderedIGBTModule)相比，压接型IGBT(Press-packIGBT)利用压力实现热力学和电气的连接，并保证了双面散热。因此，压接型IGBT被认为是大功率以及输出功率有大幅波动的应用场合的理想器件，能满足高压直流输电和新能源并网对开关器件的要求，且可靠性很高，能满足电力系统对供电高可靠性的要求。目前，压接型IGBT主要分为刚性电极压接和弹性电极压接。刚性压接中，芯片同上下两侧的电极刚性接触，压力均布效果较差。弹性电极压接通过将芯片一侧的刚性电极更改为弹性电极，有效提升了压力分布的均匀性。现有的通过碟簧结构来实现弹性电极功能的压接IGBT器件，由于碟簧组件本身不具备大电流导通能力，因此在碟簧结构外还需要单独增加一个由金属弹片构成的导流路径，增大了单芯片的面积，当多芯片并联时体积庞大。
技术实现思路
鉴于上述的分析，本专利技术提出了一种功率器件封装结构及其制造方法，用以解决现有采用碟簧结构来实现弹性电极的压接器件面积大、多芯片并联时体积庞大的问题。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术提供一种功率器件封装结构，包括第一组件、至少一个发射极上金属片及至少一个功率器件，所述发射极上金属片与功率器件一一对应设置；所述第一组件从上至下依次包括发射极顶板、第一弹簧、挡板及第二弹簧，所述第一弹簧和第二弹簧均为至少一个，且所述第一弹簧、第二弹簧与所述发射极上金属片一一对应设置，所述第一组件为一体成型结构；所述第一组件设置在所述至少一个发射极上金属片上，所述至少一个发射极上金属片设置在所述至少一个功率器件上，所述功率器件的发射极位于所述功率器件的上侧。在一实施例中，所述第一组件的材料为铜或铜与锡的合金。在一实施例中，所述功率器件包括绝缘栅双极型晶体管或快恢复二极管。在一实施例中，所述功率器件的栅极在功率器件的上侧，采用引线键合的方式引出至所述挡板上；所述功率器件的栅极在所述挡板上并联后从所述功率器件封装结构的侧面引出。在一实施例中，所述功率器件封装结构还包括：集电极底板和绝缘框架；所述功率器件固定设置于所述集电极底板上，所述功率器件的集电极位于所述功率器件的下侧；所述绝缘框架与所述集电极底板之间固定连接。在一实施例中，所述发射极上金属片和集电极底板的材质相同，为金属钼或金属基复合材料可伐合金；所述金属基复合材料可伐合金为金属钼与硅的合金或金属钼与铝的合金。本专利技术还提供一种功率器件封装结构的制造方法，包括：采用一体成型工艺制备发射极顶板、第一弹簧、挡板和第二弹簧，形成第一组件；将至少一个发射极上金属片设置在至少一个功率器件上，所述功率器件的发射极在功率器件的上侧，所述发射极上金属片与所述功率器件一一对应设置；将所述第一组件设置在所述至少一个发射极上金属片上，所述第一弹簧、第二弹簧与所述发射极上金属片一一对应设置。在一实施例中，所述功率器件封装结构的制造方法还包括：采用引线键合的方式将所述功率器件的栅极引出至所述挡板上，所述功率器件的栅极在所述挡板上并联后从所述功率器件封装结构的侧面引出；将所述至少一个功率器件固定设置在集电极底板上；将所述集电极底板与绝缘框架固定连接。本专利技术技术方案，与现有技术相比，至少具有如下优点：本专利技术提供了一种功率器件封装结构及其制造方法，该功率器件封装结构包括：第一组件、至少一个发射极上金属片及至少一个功率器件，发射极上金属片与功率器件一一对应设置；第一组件从上至下依次包括发射极顶板、第一弹簧、挡板及第二弹簧，第一弹簧和第二弹簧均为至少一个，且第一弹簧、第二弹簧与发射极上金属片一一对应设置，第一组件为一体成型结构；第一组件设置在至少一个发射极上金属片上，至少一个发射极上金属片设置在至少一个功率器件上，功率器件的发射极位于功率器件的上侧。本专利技术在实现了弹性电极压接方案的同时，没有增加额外面积，较传统的弹性电极压接方案显著减少了体积。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中功率器件封装结构的一个具体示例的示意图；图2为本专利技术实施例中功率器件封装结构的另一个具体示例的示意图；图3为本专利技术实施例中功率器件封装结构的制造方法的一个具体示例的流程图；图4为本专利技术实施例中功率器件封装结构的制造方法的另一个具体示例的流程图。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。本专利技术实施例提供了一种功率器件封装结构，如图1所示，该功率器件封装结构包括：第一组件1、至少一个发射极上金属片2及至少一个功率器件3，发射极上金属片2与功率器件3一一对应设置；第一组件1从上至下依次包括发射极顶板11、第一弹簧12、挡板13及第二弹簧14，第一弹簧12和第二弹簧14均为至少一个，且第一弹簧12、第二弹簧14与发射极上金属片2一一对应设置，第一组件1为一体成型结构；第一组件1设置在至少一个发射极上金属片2上，至少一个发射极上金属片2设置在至少一个功率器件3上，功率器件3的发射极位于功率器件3的上侧。本专利技术实施例通过上述发射极顶板11、第一弹簧12、挡板13及第二弹簧14构成的第一组件1的一体成型结构，实现了弹性电极压接方案，较现有采用碟簧结构实现弹性电极的压接方案而言，节省了面积，显著减少了体积。本专利技术实施例提供的功率器件封装结构为功率器件单个模组，上述第一弹簧12、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率器件封装结构，其特征在于，包括第一组件(1)、至少一个发射极上金属片(2)及至少一个功率器件(3)，所述发射极上金属片(2)与功率器件(3)一一对应设置；所述第一组件(1)从上至下依次包括发射极顶板(11)、第一弹簧(12)、挡板(13)及第二弹簧(14)，所述第一弹簧(12)和第二弹簧(14)均为至少一个，且所述第一弹簧(12)、第二弹簧(14)与所述发射极上金属片(2)一一对应设置，所述第一组件(1)为一体成型结构；所述第一组件(1)设置在所述至少一个发射极上金属片(2)上，所述至少一个发射极上金属片(2)设置在所述至少一个功率器件(3)上，所述功率器件(3)的发射极位于所述功率器件(3)的上侧。

【技术特征摘要】
1.一种功率器件封装结构，其特征在于，包括第一组件(1)、至少一个发射极上金属片(2)及至少一个功率器件(3)，所述发射极上金属片(2)与功率器件(3)一一对应设置；所述第一组件(1)从上至下依次包括发射极顶板(11)、第一弹簧(12)、挡板(13)及第二弹簧(14)，所述第一弹簧(12)和第二弹簧(14)均为至少一个，且所述第一弹簧(12)、第二弹簧(14)与所述发射极上金属片(2)一一对应设置，所述第一组件(1)为一体成型结构；所述第一组件(1)设置在所述至少一个发射极上金属片(2)上，所述至少一个发射极上金属片(2)设置在所述至少一个功率器件(3)上，所述功率器件(3)的发射极位于所述功率器件(3)的上侧。2.根据权利要求1所述的功率器件封装结构，其特征在于，所述第一组件(1)的材料为铜或铜与锡的合金。3.根据权利要求1所述的功率器件封装结构，其特征在于，所述功率器件(3)包括绝缘栅双极型晶体管或快恢复二极管。4.根据权利要求1所述的功率器件封装结构，其特征在于，所述功率器件(3)的栅极在功率器件(3)的上侧，采用引线键合的方式引出至所述挡板(13)上；所述功率器件(3)的栅极在所述挡板(13)上并联后从所述功率器件封装结构的侧面引出。5.根据权利要求1-4中任一项所述的功率器件封装结构，其特征在于，还包括：集电极底板(5)和绝缘框架(...

【专利技术属性】
技术研发人员：武伟，林仲康，韩荣刚，石浩，田丽纷，王亮，唐新灵，李现兵，张朋，张喆，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11