基板切割方法及阵列基板的制作方法技术

本发明专利技术提供一种基板切割方法及阵列基板的制作方法，其包括：在衬底基板上形成切割线图形；使电流通过切割线，以产生电流热效应；冷却衬底基板的切割线所在表面，以使衬底基板沿切割线断开。本发明专利技术提供的基板切割方法及阵列基板的制作方法的技术方案，可以提高基板的切割效率。

【技术实现步骤摘要】
基板切割方法及阵列基板的制作方法
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种基板切割方法及阵列基板的制作方法。
技术介绍
由于日常消费电子产品的迅猛发展，电视、笔记本电脑、手机等产品都在朝着体积更薄，重量更轻，制造成本更低的方向发展。各种显示器的玻璃基板厚度也正逐渐降低。由于厚度越薄的玻璃基板对力越敏感，越容易受冲击后发生脆断，这无疑增加了切割的难度。现有的玻璃基板切割的方法大致有两种，即，刀轮切割法和激光切割法。其中，刀轮切割法即常用的物理切割，通过传统的金刚石或硬质合金刀轮在玻璃表面产生划痕，由于应力集中，玻璃会沿着划痕方向开裂。但是，这种机械切割的精度较低，会影响切割的成品率。激光切割法是一种应力切割方式，其利用激光扫描玻璃，玻璃因吸收激光能量，而局部急剧升温产生应力，应力变化产生裂纹从而使玻璃沿着激光扫描方向开裂。但是，无论是刀轮切割法还是激光切割法，均需要对玻璃基板进行逐条多次切割，尤其在小尺寸的玻璃切割工艺中，这便大大降低了玻璃基板的切割效率。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种基板切割方法及阵列基板的制作方法，其可以提高基板的切割效率。为实现本专利技术的目的而提供一种基板切割方法，包括：在衬底基板上形成切割线图形；使电流通过所述切割线，以产生电流热效应；冷却所述衬底基板的所述切割线所在表面，以使所述衬底基板沿所述切割线断开。优选的，在所述衬底基板上形成导电金属层的图形的同时，进行所述在衬底基板上形成切割线图形的步骤。优选的，所述导电金属层为栅极层或者遮光金属层。优选的，在所述使电流通过所述切割线，以产生电流热效应的步骤中，在所述切割线的两端施加恒定电压，或者向所述切割线通入恒定电流，以使电流通过所述切割线。优选的，所述衬底基板沿所述切割线断开需要的热量满足下述公式：Q＝Cm(T1-T2)其中，Q为所述衬底基板沿所述切割线断开需要的热量；C为比热容；m为所述切割线的质量，m＝ρ0SL，ρ0为所述切割线的密度；S为所述切割线的横截面积；L为所述切割线的长度；T1为所述切割线通电后的温度；T2为所述衬底基板冷却后的温度。优选的，所述恒定电压满足下述公式：U2t/R＝Q其中，U为所述恒定电压；t为电流通过所述切割线的时间；R为所述切割线的电阻；Q为所述衬底基板沿所述切割线断开需要的热量。优选的，所述恒定电流满足下述公式：I2Rt＝Q其中，I为所述恒定电流；t为电流通过所述切割线的时间；R为所述切割线的电阻；Q为所述衬底基板沿所述切割线断开需要的热量。优选的，在所述冷却所述衬底基板，以使所述衬底基板沿所述切割线断开的步骤中，采用冷却气体或者冷却液体冷却所述衬底基板的所述切割线所在表面。作为另一个方案，本专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，其采用本专利技术提供的上述基板切割方法切割阵列基板的衬底基板。优选的，包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管；在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成平坦层；在形成有所述平坦层的衬底基板上形成第一电极层；在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成发光层；在形成有所述发光层的衬底基板上形成第二电极层；在形成有所述第二电极层的衬底基板上形成封装层；其中，在所述在衬底基板上形成薄膜晶体管的步骤中，在所述衬底基板上形成所述薄膜晶体管的任意一层导电金属层的图形的同时，进行所述在衬底基板上形成切割线图形的步骤；在所述在形成有所述第二电极层的衬底基板上形成封装层之后，进行所述使电流通过所述切割线，以产生电流热效应的步骤；和，所述冷却所述衬底基板的所述切割线所在表面，以使所述衬底基板沿所述切割线断开的步骤。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的基板切割方法及阵列基板的制作方法的技术方案中，在衬底基板上形成切割线图形；使电流通过切割线，以产生电流热效应；冷却衬底基板，以使衬底基板沿切割线断开。由此，可以一次完成衬底基板的切割，而无需进行多次切割，从而相对于现有技术简化了工艺步骤，提高了基板的切割效率。附图说明图1为本专利技术提供的基板切割方法的流程框图；图2为本专利技术实施例采用的切割线的结构图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的基板切割方法及阵列基板的制作方法进行详细描述。请参阅图1，本专利技术提供的基板切割方法，其包括：S1，在衬底基板上形成切割线图形；S2，使电流通过切割线，以产生电流热效应；S3，冷却衬底基板的切割线所在表面，以使该衬底基板沿切割线断开。衬底基板通常为玻璃基板。所谓电流热效应，是指电流通过导体时电能转化为热能的现象。通过使电流通过切割线，可以以电能转化为热能的方式使切割线的温度急剧上升，之后快速冷却衬底基板的切割线所在表面，可以使衬底基板的表面产生较大的温度梯度，从而衬底基板沿着切割线的方向开裂，直至整个衬底基板沿切割线断开，进而完成一次性切割。这里，温度梯度是指切割线与衬底基板之间产生的较大的温差。由此，可以一次完成衬底基板的切割，而无需进行多次切割，从而相对于现有技术简化了工艺步骤，提高了基板的切割效率。优选的，在衬底基板上形成导电金属层的图形的同时，进行上述步骤S1。也就是说，切割线与导电金属层同时制作，从而可以进一步简化工艺步骤。具体地，可以在薄膜晶体管的任意一导电金属层的掩膜版中增加切割线的图形，依次经过光刻工艺、刻蚀工艺(例如湿法刻蚀)和剥离工艺，即可完成切割线的膜层在衬底基板上的图形化。上述导电金属层可以为薄膜晶体管中的栅极层或者遮光金属层等等。遮光金属层用于在工艺制程中避免外界光对薄膜晶体管的影响。当然，在实际应用中，导电金属层还可以是阵列基板中的其他任意导电金属层。在上述步骤S2中，在切割线的两端施加恒定电压，或者向切割线通入恒定电流，以使电流通过切割线。具体地，可以将切割线与恒压电源电连接，或者将切割线与恒流电源电连接。进一步的，衬底基板沿切割线断开需要的热量满足下述公式：Q＝Cm(T1-T2)其中，Q为衬底基板沿切割线断开需要的热量；C为比热容；m为切割线的质量，m＝ρ0SL，ρ0为切割线的密度；S为切割线的横截面积；L为切割线的长度；T1为切割线通电后的温度；T2为衬底基板冷却后的温度。根据上述公式，可以计算获得衬底基板沿切割线断开需要的热量。根据上述热量Q，可以计算恒定电压或者恒定电流。具体的，恒定电压满足下述公式：U2t/R＝Q其中，U为恒定电压；t为电流通过切割线的时间；R为切割线的电阻；Q为衬底基板沿切割线断开需要的热量。恒定电流满足下述公式：I2Rt＝Q其中，I为恒定电流；t为电流通过切割线的时间；R为切割线的电阻；Q为所述衬底基板沿切割线断开需要的热量。以切割线的材料为Mo金属为例，Mo的电阻率ρ为5.6Ω·m。假设切割线的宽度为100μm，厚度为1μm，切割线的长度L等于衬底基板的宽度或者长度，以切割线的长度等于玻璃基板的长度470mm为例。例如，如图2所示，切割线2为三条，三条切割线2沿衬底基板1的宽度方向间隔设置。并且，每条切割线2的长度等于衬底基板1的宽度。T1为切割线通电后的温度可以为105℃；T2为衬底基板冷却后的温度为25℃，由此，切割线与衬底基板之间产生的温差高达80℃，从而可以使衬底基板沿切割线断开，完成一次性切割。根据公式R＝ρ*L/S可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板切割方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成切割线图形；使电流通过所述切割线，以产生电流热效应；冷却所述衬底基板的所述切割线所在表面，以使所述衬底基板沿所述切割线断开。

【技术特征摘要】
1.一种基板切割方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成切割线图形；使电流通过所述切割线，以产生电流热效应；冷却所述衬底基板的所述切割线所在表面，以使所述衬底基板沿所述切割线断开。2.根据权利要求1所述的基板切割方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成导电金属层的图形的同时，进行所述在衬底基板上形成切割线图形的步骤。3.根据权利要求2所述的基板切割方法，其特征在于，所述导电金属层为栅极层或者遮光金属层。4.根据权利要求1所述的基板切割方法，其特征在于，在所述使电流通过所述切割线，以产生电流热效应的步骤中，在所述切割线的两端施加恒定电压，或者向所述切割线通入恒定电流，以使电流通过所述切割线。5.根据权利要求4所述的基板切割方法，其特征在于，所述衬底基板沿所述切割线断开需要的热量满足下述公式：Q＝Cm(T1-T2)其中，Q为所述衬底基板沿所述切割线断开需要的热量；C为比热容；m为所述切割线的质量，m＝ρ0SL，ρ0为所述切割线的密度；S为所述切割线的横截面积；L为所述切割线的长度；T1为所述切割线通电后的温度；T2为所述衬底基板冷却后的温度。6.根据权利要求5所述的基板切割方法，其特征在于，所述恒定电压满足下述公式：U2t/R＝Q其中，U为所述恒定电压；t为电流通过所述切割线的时间；R为所述切割线的电阻；Q为所述衬底基板沿所述切割线断开需要的热量。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星，李全虎，冯雪欢，李伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11