一种显示基板的制作方法及显示基板技术

本发明专利技术涉及显示领域，特别涉及一种显示基板的制作方法及显示基板。显示基板的制作方法包括：在形成低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层，去除所述低温多晶硅有源层表面残留的离子；对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。本发明专利技术采用氧化性清洗液清洗低温多晶硅有源层，将低温多晶硅表面残留的离子氧化后去除；然后采用干法刻蚀，去除低温多晶硅有源层的表面的氧化硅。由于所用试剂均不会与金属氧化物有源层发生反应，不会对金属氧化物有源层造成损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板的制作方法及显示基板
本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种显示基板的制作方法及显示基板。
技术介绍
OLED显示面板具有基于有机发光二极管的像素阵列。每个像素包括有机发光二极管和用于控制向有机发光二极管施加信号的薄膜晶体管。在众多种类的薄膜晶体管中，低温多晶硅薄膜晶体管具有稳定性高，制作温度低、成本低等优势；金属氧化物薄膜晶体管具有漏电流低、尺寸小、制作方法简单等优势。低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，特别适用于AMOLED(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode，即有源矩阵有机发光二极体)产品。在制作同时具备低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管的显示面板时：在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后，一般利用氟化氢对低温多晶硅有源层进行清洗，以去除多晶硅表面残余的离子及氧化硅。由于氟化氢的腐蚀性较强，在处理低温多晶硅有源层的同时，对金属氧化物有源层具有较大影响，容易造成金属氧化物有源层的损伤。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种显示基板的制作方法及显示基板，所述显示基板的制作方法中，可有效去除低温多晶硅有源层的表面残留的离子和氧化硅，而且不会对金属氧化物有源层造成损伤。本专利技术公开了一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后，所述制作方法还包括：利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层，去除所述低温多晶硅有源层表面残留的离子；对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。优选地，所述氧化性清洗液包括以下组分：2～10wt％的HNO3；2～10wt％的H2SO4；2～10wt％的H2O2；1～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；0.5～5wt％表面活性剂；余量的水。优选地，所述氧化性清洗液包括以下组分：3～8wt％的HNO3；5～8wt％的H2SO4；5～9wt％的H2O2；3～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；2～4wt％的表面活性剂；余量的水。优选地，利用CF4对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。优选地，所述表面活性剂为聚醚类表面活性剂、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基二醇酰胺、甲氧基脂肪酰胺基苯磺酸钠或者氟碳类表面活性剂。优选地，所述低温多晶硅有源层上覆盖有绝缘层，利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层之前，还包括：形成贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层。优选地，所述利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层包括：通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀包括：通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。优选地，所述制作方法具体包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成所述低温多晶硅有源层；形成覆盖所述低温多晶硅有源层的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上通过一次构图工艺形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；形成覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极的层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成所述金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层；对所述层间绝缘层和所述栅绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层；通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。优选地，所述低温多晶硅有源层表面残留的离子包括硼离子和磷离子。本专利技术还公开了一种显示基板，采用上述技术方案所述的制作方法制备得到。与现有技术相比，本专利技术采用氧化性清洗液清洗低温多晶硅有源层，将低温多晶硅表面残留的离子氧化后去除；然后采用干法刻蚀，去除低温多晶硅有源层的表面的氧化硅。由于所用试剂均不会与金属氧化物有源层发生反应，不会对金属氧化物有源层造成损伤。附图说明图1表示显示基板制作过程中的结构剖面示意图。具体实施方式为了进一步理解本专利技术，下面结合实施例对本专利技术优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本专利技术的特征和优点，而不是对本专利技术权利要求的限制。本专利技术的实施例公开了一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后，所述制作方法还包括：利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层，去除所述低温多晶硅有源层表面残留的离子；对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。所述氧化性清洗液可以氧化所述低温多晶硅有源层表面残留的离子，使残留的离子得以去除，而且对于金属氧化物有源层没有腐蚀作用。所述低温多晶硅有源层表面残留的离子包括硼离子和磷离子。优选地，所述氧化性清洗液包括以下组分：2～10wt％的HNO3；2～10wt％的H2SO4；2～10wt％的H2O2；1～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；0.5～5wt％表面活性剂；余量的水。更优选地，所述氧化性清洗液包括以下组分：3～8wt％的HNO3；5～8wt％的H2SO4；5～9wt％的H2O2；3～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；2～4wt％的表面活性剂；余量的水。在所述氧化性清洗液中，所述表面活性剂优选为聚醚类表面活性剂、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基二醇酰胺、甲氧基脂肪酰胺基苯磺酸钠或者氟碳类表面活性剂。经过清洗后，对低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。优选地，利用CF4对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。干法刻蚀在去除氧化硅的同时，不会损伤金属氧化物有源层。优选地，所述低温多晶硅有源层上覆盖有绝缘层，利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层之前，还包括：形成贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层。优选地，所述利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层包括：通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀包括：通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。本专利技术的显示基板的制作方法，具体包括以下步骤:提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成所述低温多晶硅有源层；形成覆盖所述低温多晶硅有源层的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上通过一次构图工艺形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；形成覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极的层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成所述金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层；对所述层间绝缘层和所述栅绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层；通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；通过所述过孔对暴露出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后，所述制作方法还包括：利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层，去除所述低温多晶硅有源层表面残留的离子；对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后，所述制作方法还包括：利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层，去除所述低温多晶硅有源层表面残留的离子；对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化性清洗液包括以下组分：2～10wt％的HNO3；2～10wt％的H2SO4；2～10wt％的H2O2；1～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；0.5～5wt％表面活性剂；余量的水。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述氧化性清洗液包括以下组分：3～8wt％的HNO3；5～8wt％的H2SO4；5～9wt％的H2O2；3～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；2～4wt％的表面活性剂；余量的水。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用CF4对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述表面活性剂为聚醚类表面活性剂、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基二醇酰胺、甲氧基脂肪酰胺基苯磺酸钠或者氟碳类表面活性剂。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述低温多晶硅有源层上覆盖有绝缘层，利用氧化性...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11