【技术实现步骤摘要】
提高基板温度均匀度的基座
本专利技术涉及基座
,尤其涉及提高基板温度均匀度的基座。
技术介绍
一般的等离子化学气相蒸着装备由反应腔室和腔室盖形成与外部隔绝的反应空间,在上述反应空间内,设置有通过移送手段可上下移送并电路接地的基座,等离子化学气相蒸着腔室经基座与上述等离子电极从高频电源加载高能量将注入的气体激活为等离子状态并以此基座上形成蒸镀膜层,加载到等离子电极的高能量电压使PECVD腔室内通过气体注入管注入的蒸镀绝缘气体因高阶电压而变成等离子状态,并蒸镀到被加基座上的基座表面形成一定厚度的蒸镀膜。原有的基座在电热线收敛的中心部位没能均匀地发生热传导,因此温度较周边更低,而且电热线为了将温度传导至中心部位而持续升温,而使电热线发生早期断线的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的提高基板温度均匀度的基座。为了实现上述目的,本专利技术采用了如下技术方案:提高基板温度均匀度的基座,包括PECVD腔室和基座,所述PECVD腔室的底部连接有反应腔室,PECVD腔室的侧面设有腔室盖,PECVD腔室的顶部设有通孔,且通孔内插有气体注入管,气体注入管竖直放置,且气体注入管的底部连接有等离子电极,反应腔室的底部插有竖直的移送手段,移送手段沿反应腔室的中心向反应腔室内延伸,移送手段的顶部安装有基座,所述基座包括板状本体、电热线和主杆体,基座上放置有基板,基座的板状本体底面形成有凹槽槽体,凹槽槽体内放置有主电热线,主杆体为两侧开口的中空管状,主电热线向基座的中心延伸,并穿过基座的中心槽,中心槽内设有中心电热线,中心电热线上设有电热缠线, ...
【技术保护点】
1.提高基板温度均匀度的基座,包括PECVD腔室(1)和基座(6),其特征在于,所述PECVD腔室(1)的底部连接有反应腔室(2),PECVD腔室(1)的侧面设有腔室盖(3),PECVD腔室(1)的顶部设有通孔,且通孔内插有气体注入管(8),气体注入管(8)竖直放置,且气体注入管(8)的底部连接有等离子电极(7),反应腔室(2)的底部插有竖直的移送手段(4),移送手段(4)沿反应腔室(2)的中心向反应腔室(2)内延伸,移送手段(4)的顶部安装有基座(6),所述基座(6)包括板状本体、电热线和主杆体,基座(6)上放置有基板(5),基座(6)的板状本体底面形成有凹槽槽体,凹槽槽体内放置有主电热线(12),主杆体为两侧开口的中空管状,主电热线(12)向基座(6)的中心延伸,并穿过基座(6)的中心槽(14),中心槽(14)内设有中心电热线(10),中心电热线(10)上设有电热缠线(11),电热缠线(11)内缠绕有云母板(13)。
【技术特征摘要】
1.提高基板温度均匀度的基座,包括PECVD腔室(1)和基座(6),其特征在于,所述PECVD腔室(1)的底部连接有反应腔室(2),PECVD腔室(1)的侧面设有腔室盖(3),PECVD腔室(1)的顶部设有通孔,且通孔内插有气体注入管(8),气体注入管(8)竖直放置,且气体注入管(8)的底部连接有等离子电极(7),反应腔室(2)的底部插有竖直的移送手段(4),移送手段(4)沿反应腔室(2)的中心向反应腔室(2)内延伸,移送手段(4)的顶部安装有基座(6),所述基座(6)包括板状本体、电热线和主杆体,基座(6)上放置有基板(5),基座(6)的板状本体底面形成有凹槽槽体,凹槽槽体内放置有主电热线(12),主杆体为两侧开口的中空管状,主电热线(12)向基座(6)的中心延伸,并穿过基座(6)的中心槽(14),中心槽(14)内设有中心电热线(10),中心电热线(10)上设有电热缠线(11),电热缠线(11)内缠绕有云母板(13)。2.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩相镇,朴相明,朴相元,
申请(专利权)人:合肥微睿光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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