一种垂直LED芯片的导电膜测试方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直LED芯片的导电膜测试方法，该方法包含以下过程：将待测试的垂直LED芯片放置在作为衬台物的导电膜上；更换测试机的平台及测试机接线方式；将放置有待测试的垂直LED芯片导电膜进行翻转，将所述待测试的垂直LED芯片翻转至其他的导电膜；测试所述其他的导电膜上的待测试的垂直LED芯片。本发明专利技术通过使用导电膜+测试机平台改造，实现垂直LED芯片的背面导电测试，有效降低成本，提升产品品质，本发明专利技术还可以涵盖不同条件下抽测、全测及QC检验测试。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直LED芯片的导电膜测试方法
本专利技术涉及垂直LED芯片的测试领域，特别涉及一种垂直LED芯片的导电膜测试方法。
技术介绍
传统的LED芯片通常呈四边形，并且其结构有两种：横向结构(Lateral))和垂直结构(Vertical)。其中，垂直结构LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧，由于图形化电极和全部的p型氮化镓层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少有横向流动的电流，因而可改善平面结构的电流分布问题，提高发光效率，也可以解决P电极的遮光问题，提升LED的发光面积。目前垂直LED芯片的制备工艺主要为，在衬底上(一般为蓝宝石材料)生长GaN在该GaN基外延层上制作接触层和金属反光镜层，然后采用电镀或基板键合(Waferbonding)的方式制作导热性能良好的导热基板，同时也作为GaN基外延层的新衬底，再通过激光剥离的方法使蓝宝石衬底和GaN基外延层分离，外延层转移到金属基板上，这样使得LED芯片的散热性能会更好，之后再形成N型电极和P型电极。具体地，图1所示为现有技术中垂直LED芯片的结构示意图；垂直LED芯片包括依次连接的P型电极10、P型GaN层20、量子阱层30、N型GaN层40以及N型电极50。芯片测试是指在芯片封装前，先进行一部分的测试以排除掉一些坏掉的芯片，保证出厂的芯片都是没问题的。综上所述，受垂直LED芯片产品工艺结构特性限制，正常测试探针无法测至芯片背面电极层，导致垂直产品回测检验时，无法有效检测出产品的质量，为了解决这一问题，人们通常需要使用特制机器设备，或是人工手动进行单颗测试，效率低且成本较高。专利
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种垂直LED芯片的导电膜测试方法，通过将绝缘的蓝膜替换成一种可导电的蓝膜，并对应的将测试机平台进行改造，实现垂直LED的背面导电测试，可减少异常芯片的流出风险，有效提升芯片产品的可靠性。为了达到上述目的，本专利技术提供的一种垂直LED芯片的导电膜测试方法，该方法包含以下过程：将待测试的垂直LED芯片放置在作为衬台物的导电膜上；更换测试机的平台及测试机接线方式；将放置有待测试的垂直LED芯片的导电膜进行翻转，将所述待测试的垂直LED芯片翻转至其他的导电膜上；测试所述其他的导电膜上的待测试的垂直LED芯片。优选地，所述导电膜包含金属或合金。优选地，所述导电膜由金属丝或合金丝编制而成。优选地，金属的导电膜包含Ni、Br、Au、Cu、Sn、Ag中的任意一种或者它们的组合。优选地，所述导电膜的大小与待测试的垂直LED芯片的数量和分布相匹配。优选地，翻转前的导电膜上的垂直LED芯片的正面为发光层，背面为金属导电层。优选地，所述导电膜上待测试的垂直LED芯片形状为方形。优选地，所述垂直LED芯片包括依次连接的P型电极、P型GaN层、量子阱层、N型GaN层以及N型电极。优选地，更换后的测试机的平台表面上镀有导电金属；更换后的测试机的接线方式为：将垂直LED芯片的P型电极、N型电极的导线接在一侧，并从所述测试机的平台再接入一根导线，使得所述接线方式形成垂直维度回路。与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：(1)本专利技术通过使用导电膜+测试机平台改造，实现垂直LED芯片的背面导电测试，有效降低成本，提升产品品质。(2)本专利技术的垂直LED芯片产品测试使用导电膜测试，可以涵盖不同条件下抽测、全测及QC检验测试。附图说明图1现有技术的垂直LED芯片的结构示意图；图2本专利技术的蓝膜上的垂直LED芯片结构示意图；图3本专利技术的垂直LED芯片的导电膜测试方法流程示意图；具体实施方式本专利技术提供了一种垂直LED芯片的导电膜测试方法，为了使本专利技术更加明显易懂，以下结合附图和具体实施方式对本专利技术进一步说明。如图2所示，本专利技术的待测试的芯片为垂直LED芯片，垂直LED芯片包括依次连接的P型电极、P型GaN层、量子阱层、N型GaN层以及N型电极。由于垂直LED芯片的P极、N极是相互垂直的，该垂直LED芯片的正面为发光层，背面为可导电的金属层面。芯片出厂前需要放置在蓝膜(相当于衬台物)上。其中，本专利技术制备的垂直LED芯片为圆片结构，当出厂时放置在蓝膜上的垂直LED芯片的形状方形，垂直LED芯片还可以是其他合理形状，本专利技术对此不做限制。由于垂直LED芯片的两极P、N极是相互垂直，垂直LED芯片的背面与蓝膜的表面接触。根据本专利技术的一个实施例，作为衬台物的蓝膜采用导电膜，则垂直LED芯片的背面与该导电膜进行接触，可实现垂直LED芯片的背面的导电作用，使得测试时直接测至芯片背面电极层，避免了现有技术中因绝缘材质的蓝膜与垂直LED芯片的背面接触使得背面绝缘而导致无法直接测试该垂直LED芯片的背面的问题。其中，导电膜可以为金属材质或合金材料，例如，Ni、Br、Au、Cu、Sn、Ag中的任意一种或者它们的组合。该导电膜是由金属丝或合金丝编制而成的膜状结构。导电膜上的待测试的垂直LED芯片一颗颗地分布在导电膜上。且导电膜的大小与待测试的垂直LED芯片的数量和分布相匹配。根据本专利技术的另外一个实施例，如图3所示，本专利技术的垂直LED芯片的导电膜测试方法的步骤包含：S1、将垂直LED芯片放置在作为衬台物的导电膜上；S2、更换测试机平台及接线：将测试垂直LED芯片的测试机以及接线方式对应地进行更换，使得能够正常测试。其中，在测试机的平台表面上镀上导电金属，通过将测试机平台的探针、导线等进行连接，形成测试回路。具体地，由于本专利技术的芯片为垂直LED芯片，则将垂直LED芯片的P、N极的导线接在一侧，并从测试机的平台上再接入一根导线，使得该接线方式形成垂直维度回路，用于后续的垂直LED芯片的测试。S3、导电膜翻转：将放置有待测试的垂直LED芯片的一片导电膜(即相当于可导电的蓝膜)进行翻转，将该片导电膜上的垂直LED芯片翻转至另一导电膜上，待测试的垂直LED芯片被翻转到另外一导电膜上后，则垂直LED芯片的背面朝上。S4、垂直LED芯片测试：将带有垂直LED芯片的导电膜放置到更换后的测试机的平台表面进行测试，即可实现对翻转后的垂直LED芯片进行测试，使得该垂直LED芯片的背面也能实现测试。尽管本专利技术的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本专利技术的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本专利技术的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本专利技术的保护范围应由所附的权利要求来限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，该方法包含以下过程：将待测试的垂直LED芯片放置在作为衬台物的导电膜上；更换测试机的平台及测试机接线方式；将放置有待测试的垂直LED芯片的导电膜进行翻转，将所述待测试的垂直LED芯片翻转至其他的导电膜上；测试所述其他的导电膜上的垂直LED芯片。

【技术特征摘要】
1.一种垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，该方法包含以下过程：将待测试的垂直LED芯片放置在作为衬台物的导电膜上；更换测试机的平台及测试机接线方式；将放置有待测试的垂直LED芯片的导电膜进行翻转，将所述待测试的垂直LED芯片翻转至其他的导电膜上；测试所述其他的导电膜上的垂直LED芯片。2.如权利要求1所述的垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，所述导电膜为金属或合金。3.如权利要求2所述的垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，所述导电膜由金属丝或合金丝编制而成。4.如权利要求2或3所述的垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，金属的导电膜为Ni、Br、Au、Cu、Sn、Ag中的任意一种或者它们的组合。5.如权利要求1或2或3所述的垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海旭，陈党盛，王亚洲，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31