本发明专利技术能够抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。第一载置台(2)具有载置作为等离子体处理的对象的晶片(W)的载置面(6d)和外周面。第一载置台(2)在载置面(6d)设置有加热器(6c)，在载置面(6d)的背面侧设置有供电端子(31)。第一载置台(2)在外周面设置有将加热器(6c)与供电端子(31)连接的配线(32)且该配线内包在绝缘物中。第二载置台(7)沿第一载置台(2)的外周面设置，用于载置聚焦环(5)。
【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术的各种方面和实施方式涉及等离子体处理装置。
技术介绍
根据现有技术，已知对半导体晶片等的被处理体使用等离子体进行蚀刻等的等离子体处理的等离子体处理装置。在这样的等离子处理装置中，为了实现被处理体的加工的面内均匀性，进行被处理体的温度控制是非常重要的。因此，对于等离子体处理装置，为了进行高级的温度控制，在载置被处理体的载置台的内部埋设有温度调节用的加热器。需要向加热器供给电力。因此，在等离子体处理装置中，在载置台的外周区域设置供电端子，从供电端子向加热器供给电力(例如参照下述专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-1688号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题在等离子体处理装置中，在被处理体的载置区域的周围配置聚焦环。但是，如专利文献1所示，在载置台的外周区域设置有供电端子的情况下，为了在载置被处理体的载置区域的外侧配置供电端子，载置台的径向的尺寸变大。在等离子体处理装置中，载置台的径向的尺寸变大时，聚焦环和与设置有供电端子的载置台的外周区域的重叠部分变大，聚焦环的径向的温度容易产生不均匀。在等离子体处理装置中，当聚焦环的径向的温度产生不均匀时，对被处理体进行的等离子体处理的面内的均匀性降低。用于解决技术问题的技术方案在一个实施方式中，公开的一种等离子体处理装置具有第一载置台和第二载置台。第一载置台具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面和外周面。第一载置台在载置面设置有加热器，在载置面的背面侧设置有供电端子。第一载置台在外周面设置有连接加热器与供电端子的配线且该配线内包绝缘物中。第二载置台沿第一载置台的外周面设置以载置聚焦环。专利技术效果根据公开的等离子体处理装置的一个实施方式，能够有效地抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。附图说明图1是表示实施方式中的等离子体处理装置的概略的构成的概略截面图。图2是表示第一实施方式的第一载置台和第二载置台的主要部分构成的概略截面图。图3是表示配置有加热器的区域的一个例子的图。图4是表示生片的一个例子的图。图5是表示制造绝缘部方法的一个例子的图。图6是表示第二实施方式的第一载置台和第二载置台的主要部分构成的概略截面图。图7是对第二实施方式的静电卡盘和绝缘部的制作方法进行说明的图。附图标记说明1处理容器2第一载置台2d制冷剂流路3基座5聚焦环6静电卡盘6c加热器6d载置面7第二载置台8基座9聚焦环加热器9a加热器10等离子体处理装置31供电端子32配线33绝缘部W晶片。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术公开的等离子体处理装置的实施方式详细地进行说明。此外，在各附图中对相同或者相当的部分标注相同的附图标记。另外，不限于由本实施方式所公开的专利技术。可以使各实施方式在处理内容不矛盾的范围内适当地组合。(第一实施方式)[等离子体处理装置的构成]最初，对实施方式中的等离子体处理装置10的概略的构成进行说明。图1是表示实施方式中的等离子体处理装置的概略的构成的概略截面图。等离子体处理装置10具有气密地构成并且形成为电接地的处理容器1。该处理容器1为圆筒形状，例如由在表面形成有阳极氧化覆膜的铝等构成。处理容器1划成生成等离子体的处理空间。在处理容器1内收纳有水平地支承作为被处理体(work-piece：工件)的半导体晶片(以下仅称为“晶片”)W的第一载置台2。第一载置台2呈在上下方向上朝向底面的大致圆柱状，上侧的底面形成为载置晶片W的载置面6d。第一载置台2的载置面6d形成为与晶片W相同程度的尺寸。第一载置台2包括载置台3和静电卡盘6。基座3由导电性金属例如铝等构成。基座3作为下部电极发挥作用。基座3由绝缘体的支承台4支承，支承台4设置于处理容器1的底部。静电卡盘6的上表面形成为平坦的圆盘状，该上表面形成为载置晶片W的载置面6d。在俯视时，静电卡盘6设置于第一载置台2的中央。静电卡盘6具有电极6a和绝缘体6b。电极6a设置于绝缘体6b的内部，直流电源12与电极6a连接。静电卡盘6通过从直流电源12向电极6a施加直流电压，利用库仑力吸附晶片W。另外，静电卡盘6在绝缘体6b的内部设置有加热器6c。加热器6c经后述的供电机构被供给电力，来控制晶片W的温度。第一载置台2沿外周面在周围设置有第二载置台7。第二载置台7形成为内径比第一载置台2的外径大规定尺寸的圆筒形状，且与第一载置台2同轴地配置。第二载置台7的上侧的面形成为载置环状的聚焦环5的载置面9d。聚焦环5例如由单晶体硅形成，并载置在第二载置台7。第二载置台7包含基座8和聚焦环加热器9。基座8例如由在表面形成有阳极氧化覆膜的铝等构成。基座8由支承台4支承。聚焦环加热器9由基座8支承。聚焦环加热器9的上表面形成为平坦的环状形状，将该上表面形成为载置聚焦环5的载置面9d。聚焦环加热器9具有加热器9a和绝缘体9b。加热器9a设置于绝缘体9b的内部，被绝缘体9b内包。加热器9a经后述的供电机构被供给电力，来控制聚焦环5的温度。由此，利用不同的加热器，独立地控制晶片W的温度和聚焦环5的温度。基座3与供电棒50连接。供电棒50经由第一匹配器11a与第一RF电源10a连接，另外，经由第二匹配器11b与第二RF电源10b连接。第一RF电源10a为等离子体产生用的电源，从该第一RF电源10a向第一载置台2的基座供给规定频率的高频电力。另外，第二RF电源10b为离子引入用(偏置用)的电源，从该第二RF电源10b向第二载置台3的基座供给比第一RF电源10a低的规定频率的高频电力。在基座3的内部形成有制冷剂流路2d。制冷剂流路2d的一个端部与制冷剂入口配管2b连接，另一个端部与制冷剂出口配管2c连接。另外，在基座8的内部形成有制冷剂流路7d。制冷剂流路7d的一个端部与制冷剂入口配管7b连接，另一个端部与制冷剂出口配管7c连接。制冷剂流路7d以位于晶片W的下方吸收晶片W的热的方式发挥作用。等离子体处理装置10通过使制冷剂、例如冷却水等分别在制冷剂流路2d和制冷剂流路7d中循环，来独立地控制第一载置台2和第二载置台7的温度。此外，等离子体处理装置10还可以为向晶片W或聚焦环5的背面侧供给冷热传递用的气体能够单独地控制温度的结构。例如，以贯通第一载置台2等的方式设置用于向晶片W的背面供给氦气等冷热传递用的气体(背景气体)的气体供给管。气体供给管与气体供给源连接。根据上述的构成，将利用静电卡盘6吸附保持于第一载置台2的上表面的晶片W控制在规定的温度。另一方面，在第一载置台2的上方，以与第一载置台平行地相对的方式设置有具有作为上部电极的作用的喷头16。喷头16和第一载置台2作为一对电极(上部电极和下部电极)发挥作用。喷头16设置于处理容器1的顶壁部分。喷头16具有主体部16a和构成电极板的上部顶板16b，隔着绝缘性材料95支承在处理容器1的上部。主体部16a由导电性材料例如在表面形成有阳极氧化覆膜形成，其下部可拆卸地支承上部顶板16b。在主体部16a的内部设置有气体扩散室16c，以位于该气体扩散室16c的方式在主体部16a的底部形成有多个气体流通孔16d。另外，在上部顶板16b，以在厚度方向上贯通该上部顶板16b的方式设置有气体导入孔16e，使得气体导入孔16e与上述气体流通孔16d重合。利用该构成，将供给本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：第一载置台，其具有用于载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面和外周面，在所述载置面设置有加热器，在所述载置面的背面侧设置有供电端子，连接所述加热器与所述供电端子的配线以内包于绝缘物中的方式设置在所述外周面；和第二载置台，其沿第一载置台的外周面设置，用于载置聚焦环。
【技术特征摘要】
2017.01.05 JP 2017-000552;2017.11.21 JP 2017-223971.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：第一载置台，其具有用于载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面和外周面，在所述载置面设置有加热器，在所述载置面的背面侧设置有供电端子，连接所述加热器与所述供电端子的配线以内包于绝缘物中的方式设置在所述外周面；和第二载置台，其沿第一载置台的外周面设置，用于载置聚焦环。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第二载置台在用于载置所述聚焦环的载置面设置有加热器。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一载置台在内部形成有制冷剂流路。4.如权利要求1～3的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：上田雄大，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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